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MOSFET开关变换电路换流过程的瞬态磁场能量密度的计算被引量：4: 1; 作者汪东艳张林昌白同云《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 2000年第2期97-101,共5页; 为进一步明确电力电子电路开关瞬态过程的干扰特性 ,基于传输线理论 ,首先解决了瞬态电流环路磁矢量势计算中所遇到的难题 ,并在此基础上提出了一种瞬态场时域解析模型 .在进行高精度计算时 ,该模型与数值方法相比具有高效的特点 .最后... 展开更多; 关键词瞬态磁场能量密度 mosfet开关变换电路换流; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于TOPSwitchⅡ的开关电源设计被引量：6: 2; 作者黄海宏王海欣《现代电子技术》 2006年第4期16-18,共3页; TOPSwitchⅡ系列芯片是PowerIntegration公司生产的开关电源专用集成电路,他将脉宽调制电路与高压MOSFET开关管及驱动电路等集成在一起,具备完善的保护功能。使用该芯片设计的小功率开关电源,可大大减少外围电路,降低成本,提高可靠性。... 展开更多; 关键词开关电源 TOPSwitchⅡ 反激高压mosfet开关管; 在线阅读下载PDF 职称材料

动态开关的设计被引量：2: 3; 作者李东杰胡永林何承基《探测与控制学报》 CSCD 2000年第2期46-50,共5页; 叙述了全电子安全系统中动态开关的基本概念及其组成部分 ,并应用计算机仿真技术和试验相结合的方法对各组成部分进行了设计与分析 ,该动态开关曾应用于全电子安全系统中。; 关键词全电子点火系统动态开关:功率mosfet; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种超磁致伸缩换能器驱动电源的设计与实现被引量：1: 4; 作者耿金登王水波韩笑飞《现代电子技术》 2007年第4期1-3,共3页; 设计并实现了一种高效率的稀土超磁致伸缩换能器驱动电源,使换能器和功放的阻抗匹配得到改善。利用开关管的导通与否控制脉冲信号,从而达到驱动换能器的目的。本电源主要配合稀土换能器应用于桥梁和大体积混凝土的超声无损检测领域。数... 展开更多; 关键词磁致伸缩换能器 mosfet开关管高频变压器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种宽脉冲高重频浮动板调制器的设计被引量：6: 5; 作者满海峰《雷达科学与技术》 2013年第1期82-86,共5页; 浮动板调制器具有输出波形好、功率小、电压较低、波形变化灵活等特点,在中小功率控制极微波管中被广泛应用。介绍了一种采用功率MOSFET串联组成调制开关的应用于行波管发射机的40kHz/2kV固态浮动板调制器的设计,对调制器的电路拓扑进... 展开更多; 关键词宽脉宽高重频 mosfet开关管浮动板调制器行波管发射机; 在线阅读下载PDF 职称材料

高功率窄脉宽半导体激光激励器设计被引量：11: 6; 作者阎得科孙传东 +2 位作者冯莉何浩东朱少岚《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期165-169,共5页; 为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型。为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极... 展开更多; 关键词能量压缩技术 mosfet高速开关推挽式驱动窄脉冲高功率激光; 在线阅读下载PDF 职称材料

超声波探伤发射电路及参数分析被引量：14: 7; 作者王晓蕊张晓青贾三山《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2012年第9期30-32,共3页; 研究了基于ARM和FPGA的数字式超声波探伤电路系统,运用MOSFET开关I/V特性推导出阈值电压和漏极电流公式,推导了电容充放电时间以及运用极限法来分析发射电路中电容电阻因素。并对发射电路进行仿真设计及分析,实现了FPGA对发射电路的控... 展开更多; 关键词超声波探伤发射电路 mosfet开关脉冲; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于推挽电路的双极性长脉宽单级LTD模块被引量：4: 8; 作者李兰茜丁卫东 +1 位作者孙国祥申赛康《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期1168-1176,共9页; 针对肿瘤消融的应用需求,研制了基于推挽电路的全固态双极性长脉宽单级LTD模块。其原边采用4路推挽电路,并加入双向短路匝与RCD缓冲电路,可输出前沿快、脉宽覆盖数百纳秒到数微秒范围的双极性方波脉冲。采用现场可编程门阵列(FPGA)产生... 展开更多; 关键词 mosfet开关双极性方波直线型变压器驱动源推挽电路 FPGA; 在线阅读下载PDF 职称材料

高重频可调小型高功率半导体激光电源研究被引量：5: 9; 作者张延超孙兰君 +2 位作者付石友刘立宝田兆硕《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期731-734,共4页; 为了获得高功率、高重频半导体激光脉冲,设计了一种体积小、重量轻、造价低的纳米级大功率半导体激光器驱动电源。采用改进的单稳态触发器产生窄脉冲,经放大后驱动快速开关MOSFET获得大电流窄脉冲;电源脉冲电流驱动能力0A～80A,脉冲上... 展开更多; 关键词激光技术激光器半导体激光电源 mosfet开关窄脉冲脉宽宽度可调高重复频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOSFET开关变换电路换流过程的瞬态磁场能量密度的计算被引量：4: 1; 作者汪东艳张林昌白同云; 机构北方交通大学电子信息工程学院; 出处《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 2000年第2期97-101,共5页; 文摘为进一步明确电力电子电路开关瞬态过程的干扰特性 ,基于传输线理论 ,首先解决了瞬态电流环路磁矢量势计算中所遇到的难题 ,并在此基础上提出了一种瞬态场时域解析模型 .在进行高精度计算时 ,该模型与数值方法相比具有高效的特点 .最后以MOSFET开关电路为例 ,计算了该开关在关断瞬间瞬态磁场的变化规律 ,并计算了瞬态磁场能量密度 .本模型的建立为电力电子电路的电磁兼容性设计提供了依据 .计算结果与实际结果均表明 ,瞬态电流在本文所提出的实验回路中的传输时延虽为纳秒级。; 关键词瞬态磁场能量密度 mosfet开关变换电路换流; Keywords magnetic vector potential of loop circuit transient magnetic field energy density; 分类号 TN710.02 [电子电信—电路与系统] TM76－39 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于TOPSwitchⅡ的开关电源设计被引量：6: 2; 作者黄海宏王海欣; 机构合肥工业大学; 出处《现代电子技术》 2006年第4期16-18,共3页; 文摘 TOPSwitchⅡ系列芯片是PowerIntegration公司生产的开关电源专用集成电路,他将脉宽调制电路与高压MOSFET开关管及驱动电路等集成在一起,具备完善的保护功能。使用该芯片设计的小功率开关电源,可大大减少外围电路,降低成本,提高可靠性。介绍其内部结构和工作原理,给出几种应用于反激式功率变换电路的典型用法,并给出一种反激式开关电源的实用电路。; 关键词开关电源 TOPSwitchⅡ 反激高压mosfet开关管; Keywords switching power supply TOPSwiteh Ⅱ flyback； high voltage mosfet; 分类号 TM4 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名动态开关的设计被引量：2: 3; 作者李东杰胡永林何承基; 机构四川绵阳; 出处《探测与控制学报》 CSCD 2000年第2期46-50,共5页; 文摘叙述了全电子安全系统中动态开关的基本概念及其组成部分 ,并应用计算机仿真技术和试验相结合的方法对各组成部分进行了设计与分析 ,该动态开关曾应用于全电子安全系统中。; 关键词全电子点火系统动态开关:功率mosfet; Keywords ESA dynamic switch power; 分类号 TJ43-55 [兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种超磁致伸缩换能器驱动电源的设计与实现被引量：1: 4; 作者耿金登王水波韩笑飞; 机构长安大学信息工程学院; 出处《现代电子技术》 2007年第4期1-3,共3页; 基金国家西部交通建设科技项目(200431881222); 文摘设计并实现了一种高效率的稀土超磁致伸缩换能器驱动电源,使换能器和功放的阻抗匹配得到改善。利用开关管的导通与否控制脉冲信号,从而达到驱动换能器的目的。本电源主要配合稀土换能器应用于桥梁和大体积混凝土的超声无损检测领域。数次实际检测效果表明:该电源可以迅速、有效、稳定地驱动稀土超磁致伸缩换能器。; 关键词磁致伸缩换能器 mosfet开关管高频变压器; Keywords magnetostrictive transducer mosfet switch tube high frequency transformer; 分类号 TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP33 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种宽脉冲高重频浮动板调制器的设计被引量：6: 5; 作者满海峰; 机构中国电子科技集团公司第三十八研究所; 出处《雷达科学与技术》 2013年第1期82-86,共5页; 文摘浮动板调制器具有输出波形好、功率小、电压较低、波形变化灵活等特点,在中小功率控制极微波管中被广泛应用。介绍了一种采用功率MOSFET串联组成调制开关的应用于行波管发射机的40kHz/2kV固态浮动板调制器的设计,对调制器的电路拓扑进行了简要的概述,对调制器的关键器件即MOSFET开关管的选择、宽脉冲传输、开关管的驱动电路、调制器的保护电路及散热/绝缘设计等进行了较为详细的介绍。还就调制器抗打火设计进行了分析。最后给出了调制器的测试波形。; 关键词宽脉宽高重频 mosfet开关管浮动板调制器行波管发射机; Keywords wide pulse high pulse repetition frequency mosfet switching transistor floating deckmodulator TWT transmitter; 分类号 TN761 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高功率窄脉宽半导体激光激励器设计被引量：11: 6; 作者阎得科孙传东冯莉何浩东朱少岚; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室中国科学院研究生院; 出处《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期165-169,共5页; 文摘为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型。为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路。当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns。最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素。; 关键词能量压缩技术 mosfet高速开关推挽式驱动窄脉冲高功率激光; Keywords power compression technology fast mosfet switch push-pull driving narrow pulse high power laser; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超声波探伤发射电路及参数分析被引量：14: 7; 作者王晓蕊张晓青贾三山; 机构北京信息科技大学北京声华兴业科技有限公司; 出处《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2012年第9期30-32,共3页; 文摘研究了基于ARM和FPGA的数字式超声波探伤电路系统,运用MOSFET开关I/V特性推导出阈值电压和漏极电流公式,推导了电容充放电时间以及运用极限法来分析发射电路中电容电阻因素。并对发射电路进行仿真设计及分析,实现了FPGA对发射电路的控制。最后从超声波探伤实用性角度分析了发射电路参数对探伤系统性能的影响。研究结论表明,MOFSET开关和电容充放电中电压、电阻、电容等影响发射电路性能的因素合理取值提高了超声波探伤系统的能力。; 关键词超声波探伤发射电路 mosfet开关脉冲; Keywords ultrasonic inspection transmitting circuit mosfet switch pulse; 分类号 TH-3 [机械工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于推挽电路的双极性长脉宽单级LTD模块被引量：4: 8; 作者李兰茜丁卫东孙国祥申赛康; 机构西安交通大学电力设备与电气绝缘国家重点实验室; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期1168-1176,共9页; 基金国家重点研发计划(2018YFC0115302) 国家自然科学基金(81727802)。; 文摘针对肿瘤消融的应用需求,研制了基于推挽电路的全固态双极性长脉宽单级LTD模块。其原边采用4路推挽电路,并加入双向短路匝与RCD缓冲电路,可输出前沿快、脉宽覆盖数百纳秒到数微秒范围的双极性方波脉冲。采用现场可编程门阵列(FPGA)产生驱动信号,该信号通过电光–光纤–光电转换进行隔离后输送至驱动芯片,驱动MOSFET开关动作。实验结果表明:所研制的单级LTD模块可输出重复频率达0.5 kHz的双极性方波脉冲,当输出百纳秒脉冲时,脉宽在300~1000 ns范围内可调,输出电压幅值500 V,输出脉冲前沿约13 ns;当输出微秒脉冲时,脉宽在1~8μs范围内可调,输出电压幅值为250 V,最大平顶降<5%,后沿反向过冲幅值约15%。可以通过多模块叠加提高其输出电压。; 关键词 mosfet开关双极性方波直线型变压器驱动源推挽电路 FPGA; Keywords mosfet switch bipolar rectangular pulse linear transformer driver push-pull circuit FPGA; 分类号 TN78 [电子电信—电路与系统] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高重频可调小型高功率半导体激光电源研究被引量：5: 9; 作者张延超孙兰君付石友刘立宝田兆硕; 机构哈尔滨工业大学(威海)信息光电子研究所; 出处《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期731-734,共4页; 基金山东省科技发展计划资助项目(2009GG10005006); 文摘为了获得高功率、高重频半导体激光脉冲,设计了一种体积小、重量轻、造价低的纳米级大功率半导体激光器驱动电源。采用改进的单稳态触发器产生窄脉冲,经放大后驱动快速开关MOSFET获得大电流窄脉冲;电源脉冲电流驱动能力0A～80A,脉冲上升时间2.8ns,下降时间3.8ns,脉冲宽度5ns～500ns范围内可调,最小5.2ns,重复频率可达200kHz。用该电源实验测试了激光波长为905nm的半导体激光器,在重复频率为10kHz时,激光脉冲峰值功率达到70W以上。结果表明,采用窄脉冲驱动MOSFET可以得到高重复频率10ns以内的大电流窄脉冲,可以驱动大功率半导体激光器,若驱动100A以上的激光器需进一步研究。; 关键词激光技术激光器半导体激光电源 mosfet开关窄脉冲脉宽宽度可调高重复频率; Keywords laser technique lasers laser diode power supply mosfet switch narrow pulse pulse-width-tunable high pulse-repetition-frequency; 分类号 TN86 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MOSFET开关变换电路换流过程的瞬态磁场能量密度的计算	汪东艳张林昌白同云	《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心	2000	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于TOPSwitchⅡ的开关电源设计	黄海宏王海欣	《现代电子技术》	2006	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	动态开关的设计	李东杰胡永林何承基	《探测与控制学报》 CSCD	2000	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种超磁致伸缩换能器驱动电源的设计与实现	耿金登王水波韩笑飞	《现代电子技术》	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种宽脉冲高重频浮动板调制器的设计	满海峰	《雷达科学与技术》	2013	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	高功率窄脉宽半导体激光激励器设计	阎得科孙传东冯莉何浩东朱少岚	《应用光学》 CAS CSCD 北大核心	2011	11	在线阅读下载PDF 职称材料
7	超声波探伤发射电路及参数分析	王晓蕊张晓青贾三山	《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心	2012	14	在线阅读下载PDF 职称材料
8	基于推挽电路的双极性长脉宽单级LTD模块	李兰茜丁卫东孙国祥申赛康	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	4	在线阅读下载PDF 职称材料
9	高重频可调小型高功率半导体激光电源研究	张延超孙兰君付石友刘立宝田兆硕	《激光技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	5	在线阅读下载PDF 职称材料