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Si(Ge)MOSFET器件微结构的研究
1
作者
刘安生
安生
+4 位作者
邵贝羚
王敬
付军
栾洪发
钱佩信
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997年第3期312-317,共6页
采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／...
采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／ＳｉＯ２非晶层／Ａｌ电极层等组成的；ＳＯＩＳｉ层工作区单晶性良好，很难找到缺陷，缺陷能有效地被限制在工作区两侧的缺陷聚集区；在ＳＯＩＳｉ层和ＧｅＳｉ沟道层之间存在着一些瓣状衬度，它可能是在分子束外延（ＭＢＥ）方法生长ＧｅＳｉ层时所引入的位错环，Ｓｉ细晶层是由无择优取向的、柱状生长的细晶粒组成；
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关键词
mosfet
微结构
多层膜
电子显微术
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题名
Si(Ge)MOSFET器件微结构的研究
1
作者
刘安生
安生
邵贝羚
王敬
付军
栾洪发
钱佩信
机构
北京有色金属研究总院
清华大学微电子研究所
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997年第3期312-317,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／ＳｉＯ２非晶层／Ａｌ电极层等组成的；ＳＯＩＳｉ层工作区单晶性良好，很难找到缺陷，缺陷能有效地被限制在工作区两侧的缺陷聚集区；在ＳＯＩＳｉ层和ＧｅＳｉ沟道层之间存在着一些瓣状衬度，它可能是在分子束外延（ＭＢＥ）方法生长ＧｅＳｉ层时所引入的位错环，Ｓｉ细晶层是由无择优取向的、柱状生长的细晶粒组成；
关键词
mosfet
微结构
多层膜
电子显微术
Keywords
mosfet
\
microstructure
\
multilayer
\
cross
sectional
tem
\
sem
分类号
TN16 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
Si(Ge)MOSFET器件微结构的研究
刘安生
安生
邵贝羚
王敬
付军
栾洪发
钱佩信
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997
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