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题名基于高压BCD工艺的内集成自举电路
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作者
冯宇翔
左安超
李斌
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机构
华南理工大学微电子学院
广东汇芯半导体有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第2期140-144,共5页
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文摘
设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题。基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证。测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4 V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能。
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关键词
高压集成电路(HVIC)
BCD工艺
mos自举电路
二极管自举电路
低电压
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Keywords
high voltage integrated circuit(HVIC)
BCD technology
mos bootstrap circuit
diode bootstrap circuit
low voltage
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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