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准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性: 1; 作者张秀森《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1992年第4期385-389,共5页; 本文给出了描写脉冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及,文中给出了用Runge-Kutta方法得到的I-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论.; 关键词半导体 mos电容器瞬态特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性被引量：3: 2; 作者李观启钟平 +1 位作者黄美浅曾绍鸿《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第12期115-120,共6页; 在室温下用低能量Ａｒ＋轰击ＭＯＳ电容器背面，能改善ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。... 展开更多; 关键词氩离子束界面特性击穿 mos系统 mos电容器; 在线阅读下载PDF 职称材料

4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展: 3; 作者刘帅宋立辉 +1 位作者杨德仁皮孝东《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第12期2027-2042,共16页; 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用,然而SiO_(2)介电常数低的缺点和SiO_(2)/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构(金属-绝缘体-半导体,MIS)器件更大规模商业化应用,因此科... 展开更多; 关键词 4H-SiC mos电容器 high-k栅介质材料堆栈栅介质界面特性电学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

产生区宽度模型与产生寿命的确定: 4; 作者张秀淼《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1993年第4期425-428,共4页; 本文建议子一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。由于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差,因此无论使用Pierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。... 展开更多; 关键词产生区宽度 mos电容器半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

电场增强载流子的产生研究: 5; 作者张秀森丁扣宝《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1993年第1期53-57,共5页; 本文研究了脉冲MOS电容器中的电场增强载流子产生.深能级中心的载流子发射几率对电场的依赖性采用Poole-Frenkel模型.我们得出了产生电流密度与产生宽度之间的一般关系.通过选择合适的参数,可以使理论结果与实验测量之间在整个测量范围... 展开更多; 关键词半导体 mos电容器载流子电场; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性: 1; 作者张秀森; 机构杭州大学电子工程系; 出处《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1992年第4期385-389,共5页; 文摘本文给出了描写脉冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及,文中给出了用Runge-Kutta方法得到的I-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论.; 关键词半导体 mos电容器瞬态特性; Keywords semiconductor mos capacitor generation lifetime of minority carriers; 分类号 TM531.2 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性被引量：3: 2; 作者李观启钟平黄美浅曾绍鸿; 机构华南理工大学应用物理系; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第12期115-120,共6页; 文摘在室温下用低能量Ａｒ＋轰击ＭＯＳ电容器背面，能改善ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ２时的好。当硅衬底从４５０μｍ减至３００ｍ时，界面态密度和固定电荷密度的减小更明显。本文还对势垒高度进行了计算，并利用吸除及应力补偿的机理对结果进行了分析。; 关键词氩离子束界面特性击穿 mos系统 mos电容器; Keywords argon ion beam gettering interface characteristics breakdown; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展: 3; 作者刘帅宋立辉杨德仁皮孝东; 机构浙江大学材料科学与工程学院浙江大学杭州国际科创中心; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第12期2027-2042,共16页; 基金浙江大学杭州国际科创中心人才专项(02010600-K02013005)。; 文摘金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用,然而SiO_(2)介电常数低的缺点和SiO_(2)/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构(金属-绝缘体-半导体,MIS)器件更大规模商业化应用,因此科研工作者一直致力于寻找能够替代或弥补SiO_(2)的high-k栅介质材料。本文对该科学问题的研究现状进行综述,首先指出合适的high-k栅介质材料应该拥有较宽的禁带宽度、较高的介电常数、良好的界面特性和热稳定性。然后,主要从栅薄膜制备工艺、沉积温度、栅介质界面特性和电学性能等方面对典型high-k栅介质材料的研究结果进行评价,包括氧化铪(HfO_(2))、氧化铝(Al_(2)O_(3))、氮化铝(AlN)、氧化钇(Y_(2)O_(3))、氧化铈(CeO_(2))、氧化锆(ZrO_(2))、氧化镧(La_(2)O_(3))、五氧化二钽(Ta_(2)O_(5))、钛酸钡(BaTiO_(3))、氧化钬(Ho_(2)O_(3))和由它们组合而成的堆栈栅介质。最后,对未来该领域的研究方向进行了展望和建议,例如对栅漏电流机理的研究、对新材料的更多尝试、器件在极端环境下的可靠性问题等。; 关键词 4H-SiC mos电容器 high-k栅介质材料堆栈栅介质界面特性电学性能; Keywords 4H-SiC mos capacitor high-k gate dielectric material gate dielectric stack interfacial property electrical performance; 分类号 O487 [理学—固体物理] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名产生区宽度模型与产生寿命的确定: 4; 作者张秀淼; 机构杭州大学电子工程系; 出处《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1993年第4期425-428,共4页; 基金国家自然科学基金资助; 文摘本文建议子一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。由于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差,因此无论使用Pierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。实验结果表明,对于同一个MOS电容器样品,从不同电压扫描率组合得到的产生寿命值基本一致。; 关键词产生区宽度 mos电容器半导体; Keywords generation region width mos capacitor semiconductor; 分类号 TM53 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电场增强载流子的产生研究: 5; 作者张秀森丁扣宝; 机构杭州大学电子工程系; 出处《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1993年第1期53-57,共5页; 基金国家自然科学基金资助; 文摘本文研究了脉冲MOS电容器中的电场增强载流子产生.深能级中心的载流子发射几率对电场的依赖性采用Poole-Frenkel模型.我们得出了产生电流密度与产生宽度之间的一般关系.通过选择合适的参数,可以使理论结果与实验测量之间在整个测量范围内相当好地符合.关于温度对电场增强载流子产生特性的理论预言也被实验结果所证实.; 关键词半导体 mos电容器载流子电场; Keywords semiconductor mos capacitor carrier generation; 分类号 O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性	张秀森	《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性	李观启钟平黄美浅曾绍鸿	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD	1995	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展	刘帅宋立辉杨德仁皮孝东	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	产生区宽度模型与产生寿命的确定	张秀淼	《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	电场增强载流子的产生研究	张秀森丁扣宝	《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料