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MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究被引量：3: 1; 作者李学宁唐茂成 +2 位作者李肇基李原刘玉书《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期63-66,共4页; 本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本... 展开更多; 关键词三重扩散 mos控制晶闸管工艺场效应器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

低导通压降MOS控制晶闸管的研制: 2; 作者刘中梦雪黄伟 +4 位作者刘垚张海峰段懿晨丁继洪赵建强《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期476-481,487,共7页; 基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行... 展开更多; 关键词 mos控制晶闸管(MCT) 导通压降正向阻断电压 p基区静态特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性被引量：9: 3; 作者覃新朱朋 +3 位作者徐聪杨智张秋沈瑞琪《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期417-425,I0006,共10页; 为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm... 展开更多; 关键词金属氧化物半导体(mos)控制晶闸管电容放电单元爆炸箔起爆器硼/硝酸钾(BPN)点火药; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化被引量：2: 4; 作者胡飞宋李梅韩郑生《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期274-279,320,共7页; 金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析... 展开更多; 关键词 mos控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关开启瞬态上升时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有双n^+发射区的MCT: 5; 作者周宝霞陈治明《西安理工大学学报》 CAS 1999年第4期39-41,55,共4页; 提出一种新型的ＭＯＳ控制晶闸管结构ＤＮＭＣＴ器件。该器件同ＭＣＴ相比减弱了寄生ＪＦＥＴ效应，并利用ＰＩＳＣＥＳ－ＩＩＢ器件模拟软件验证ＤＮＭＣＴ具有较好的正向导通电流－电压特性。该结构在一定程度上可缓解器件开关速度... 展开更多; 关键词发射极 mos控制晶闸管功率半导体管件 MCT; 在线阅读下载PDF 职称材料

电力半导体器件的现状及发展趋势被引量：1: 6; 作者陈烨吴济钧《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期33-39,共7页; 叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功... 展开更多; 关键词电力半导体器件集成电路 mos控制晶闸管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究被引量：3: 1; 作者李学宁唐茂成李肇基李原刘玉书; 机构成都电子科技大学微电子所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期63-66,共4页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。; 关键词三重扩散 mos控制晶闸管工艺场效应器件; Keywords Triple diffusion ,mos-controlled thyristor ,Process simulation; 分类号 TN342.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低导通压降MOS控制晶闸管的研制: 2; 作者刘中梦雪黄伟刘垚张海峰段懿晨丁继洪赵建强; 机构华东光电集成器件研究所复旦大学微电子学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期476-481,487,共7页; 文摘基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。; 关键词 mos控制晶闸管(MCT) 导通压降正向阻断电压 p基区静态特性; Keywords mos controlled thyristor(MCT) on⁃state voltage drop forward blocking voltage p⁃base static characteristic; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性被引量：9: 3; 作者覃新朱朋徐聪杨智张秋沈瑞琪; 机构南京理工大学化工学院; 出处《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期417-425,I0006,共10页; 基金江苏省自然科学基金资助(BK20151486); 文摘为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm(H)的CDU,其回路电感约10 nH,电阻约100 mΩ。首先分析了CDU回路的R-L-C零输入响应方程,采用CDU负载短路放电实验进行验证,研究发现随着电容值的增大,CDU的峰值电流、峰值电流上升时间、高压电容的放电时间等关键参数均增大;随着放电电压的升高,峰值电流增大,峰值电流上升时间不变。采用微型爆炸箔芯片(Cu桥箔35 mΩ)和硼/硝酸钾(Boron?Potassium Nitrate,BPN)点火药(硼粉/1.50μm,压药密度/1.57 g·cm^(-3))验证了CDU的作用效能,在0.36μF/1.20 kV下,测得回路峰值电流2.032 kA,桥箔两端电压0.9273 kV,峰值电流、电压延迟时间32.4 ns,爆发点时刻168.2 ns,爆发点功率1.490 MW,且CDU能可靠进行BPN的飞片冲击点火。结果表明,基于国产MCT和高压陶瓷电容的CDU基本适用于爆炸箔起爆器等脉冲大电流激发火工品,但其综合性能仍需改进。; 关键词金属氧化物半导体(mos)控制晶闸管电容放电单元爆炸箔起爆器硼/硝酸钾(BPN)点火药; Keywords Metal-Oxide-Semiconductor(mos) controlled thyristor capacitor discharge unit exploding foil initiator boron- potassium nitrate pellet; 分类号 TJ45 [兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化被引量：2: 4; 作者胡飞宋李梅韩郑生; 机构中国科学院微电子研究所中国科学院硅器件技术重点实验室中国科学院大学; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期274-279,320,共7页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFB0901801); 文摘金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率（di/dt）由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。; 关键词 mos控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关开启瞬态上升时间; Keywords mos controlled thyristor （MCT） current rise rate （di/dt） pulse power switch turn-on transient rise time; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有双n^+发射区的MCT: 5; 作者周宝霞陈治明; 机构西安理工大学自动化与信息工程学院; 出处《西安理工大学学报》 CAS 1999年第4期39-41,55,共4页; 文摘提出一种新型的ＭＯＳ控制晶闸管结构ＤＮＭＣＴ器件。该器件同ＭＣＴ相比减弱了寄生ＪＦＥＴ效应，并利用ＰＩＳＣＥＳ－ＩＩＢ器件模拟软件验证ＤＮＭＣＴ具有较好的正向导通电流－电压特性。该结构在一定程度上可缓解器件开关速度与导通压降之间的矛盾。; 关键词发射极 mos控制晶闸管功率半导体管件 MCT; Keywords emitter mos controlling thyristor; 分类号 TN73 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电力半导体器件的现状及发展趋势被引量：1: 6; 作者陈烨吴济钧; 机构西安电力电子技术研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期33-39,共7页; 文摘叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功率器件的作用。提出了高压、大电流、高频、模块化和组件化是电力半导体器件今后发展的方向。; 关键词电力半导体器件集成电路 mos控制晶闸管; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TM－39 [电气工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究	李学宁唐茂成李肇基李原刘玉书	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1996	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	低导通压降MOS控制晶闸管的研制	刘中梦雪黄伟刘垚张海峰段懿晨丁继洪赵建强	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性	覃新朱朋徐聪杨智张秋沈瑞琪	《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	9	在线阅读下载PDF 职称材料
4	金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化	胡飞宋李梅韩郑生	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	具有双n^+发射区的MCT	周宝霞陈治明	《西安理工大学学报》 CAS	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	电力半导体器件的现状及发展趋势	陈烨吴济钧	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1996	1	在线阅读下载PDF 职称材料