MOS控制晶闸管的最大可关断电流 被引量：2

1

作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 王伟 解勇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期133-137,共5页

建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟... 建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟分析结果符合较好 .结果表明 ,耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流 . 展开更多

关键词 mos控制 晶闸管 最大可关断电流

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MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究 被引量：3

2

作者 李学宁 唐茂成 +2 位作者 李肇基 李原 刘玉书 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期63-66,共4页

本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本... 本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。 展开更多

关键词 三重扩散 mos控制晶闸管 工艺 场效应器件

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基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性 被引量：9

3

作者 覃新 朱朋 +3 位作者 徐聪 杨智 张秋 沈瑞琪 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期417-425,I0006,共10页

为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm... 为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm(H)的CDU,其回路电感约10 nH,电阻约100 mΩ。首先分析了CDU回路的R-L-C零输入响应方程,采用CDU负载短路放电实验进行验证,研究发现随着电容值的增大,CDU的峰值电流、峰值电流上升时间、高压电容的放电时间等关键参数均增大;随着放电电压的升高,峰值电流增大,峰值电流上升时间不变。采用微型爆炸箔芯片(Cu桥箔35 mΩ)和硼/硝酸钾(Boron?Potassium Nitrate,BPN)点火药(硼粉/1.50μm,压药密度/1.57 g·cm^(-3))验证了CDU的作用效能,在0.36μF/1.20 kV下,测得回路峰值电流2.032 kA,桥箔两端电压0.9273 kV,峰值电流、电压延迟时间32.4 ns,爆发点时刻168.2 ns,爆发点功率1.490 MW,且CDU能可靠进行BPN的飞片冲击点火。结果表明,基于国产MCT和高压陶瓷电容的CDU基本适用于爆炸箔起爆器等脉冲大电流激发火工品,但其综合性能仍需改进。 展开更多

关键词 金属氧化物半导体(mos)控制晶闸管 电容放电单元 爆炸箔起爆器 硼/硝酸钾(BPN)点火药

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低导通压降MOS控制晶闸管的研制

4

作者 刘中梦雪 黄伟 +4 位作者 刘垚 张海峰 段懿晨 丁继洪 赵建强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期476-481,487,共7页

基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行... 基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。 展开更多

关键词 mos控制晶闸管(MCT) 导通压降 正向阻断电压 p基区 静态特性

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MOS控制的晶闸管简介

5

作者 刘成芳 钟利平 《国外电子元器件》 1995年第8期31-33,共3页

本文简要介绍了ＭＯＳ控制的晶闸管（ＭＣＴ）结构及优点，较详细地介绍了Ｐ－ＭＣＴ的特点，同时对ＭＣＴ的发展作了一些探讨。

关键词 晶闸管 mos 控制 半导体器件

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改善栅控晶闸管关断特性的一种新结构 被引量：1

6

作者 戴显英 张鹤鸣 王伟 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期234-238,共5页

提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性．

关键词 mos栅晶闸管 耗尽型 mos关闭栅 关断均匀性

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功率器件发展及新型可关断晶闸管

7

作者 王新 唐茂成 +1 位作者 李肇基 梁春广 《半导体情报》 1994年第6期50-55,共6页

本文介绍了功率器件的发展过程，重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构，工作机理，及它们各自的特点。

关键词 可关断晶闸管 晶闸管 mos 功率器件

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晶闸管大注入情况下关断时间公式的研究

8

作者 关艳霞 《沈阳电力高等专科学校学报》 2000年第1期13-15,21,共4页

通过对大注入状态下晶闸管关断过程的分析，提出了该状态下的关断模型，并在此基础上进行了关断时间公式的推导。实验证明该公式较以前的公式更符合实际情况，同时说明了产生误差的原因。

关键词 晶闸管 关断时间公式 电荷控制模型

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金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化 被引量：2

9

作者 胡飞 宋李梅 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期274-279,320,共7页

金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析... 金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率（di/dt）由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。 展开更多

关键词 mos控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关 开启瞬态 上升时间

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关断角控制型软启动器的简化分析与仿真 被引量：2

10

作者 王玲 《电子科技》 2012年第5期66-69,共4页

对于关断角控制型软启动器的三相晶闸管交流调压电路,将其等效为一个随关断角而变化的电抗,结合异步电机简化模型,得出软启动器主电路的等效电路。在此基础上,分析了关断角与电机定子电流、电磁转矩、最大电磁转矩和临界转差率的关系,... 对于关断角控制型软启动器的三相晶闸管交流调压电路,将其等效为一个随关断角而变化的电抗,结合异步电机简化模型,得出软启动器主电路的等效电路。在此基础上,分析了关断角与电机定子电流、电磁转矩、最大电磁转矩和临界转差率的关系,进一步得到电机的启动电流可由关断角进行控制的结论。仿真结果验证了理论分析的有效性和可行性。 展开更多

关键词 关断角控制 晶闸管 软启动器 等效电路

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压控型脉冲功率半导体器件技术及应用 被引量：3

11

作者 孙瑞泽 陈万军 +3 位作者 刘超 刘红华 姚洪梅 张波 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期94-102,共9页

近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、... 近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。 展开更多

关键词 脉冲功率技术 脉冲功率半导体开关 mos栅控晶闸管 电压控制 重复脉冲

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单结晶体管的不同控制

12

作者 方有铭 《中国高新技术企业》 2008年第22期300-300,共1页

学习电子技术,必须从基本元件、基本电路着手,深入研究、深入探讨、切实掌握其基本原理,才能应用自如、才能有所创新。

关键词 单结晶体管 充放电特性 控制晶闸管导通 控制晶闸管关断

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硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展 被引量：3

13

作者 王彩琳 高勇 张新 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期945-948,957,共5页

综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管... 综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。 展开更多

关键词 硅直接键合 电力电子器件 集成门极换流晶闸管 集成门极双晶体管 mos控制可关断晶闸管

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大功率变流器的拓扑结构与器件选择

14

作者 于飞 张晓锋 +1 位作者 李槐树 叶志浩 《机车电传动》 北大核心 2004年第2期5-8,11,共5页

详细阐述了IGCT、ETO、IEGT等新型器件的技术特点和应用前景以及矩阵式变流器、多点式变流器和多相逆变器等高性能、大功率变流器的结构、特性与应用状况,提出了适用于电力推进的大功率变流器的选择方案。

关键词 大功率变流器 拓扑结构 多相逆变器 多点式变流器 集成门极换流晶闸管 发射极关断晶闸管 mos关断晶闸管

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10A/500V MCT器件的研制 被引量：1

15

作者 张发生 陈治明 《世界电子元器件》 2003年第9期36-37,42,共3页

本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法。西安徽电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品。测试结果表明,其在20V的栅压下能在4μs内关断50A/cm^2的阴极电流。

关键词 mos控制晶闸管 功率器件 结构设计 工艺流程 工作原理 电学参数设置

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新型功率器件MCT的研究

16

作者 唐国洪 陈德英 周健 《电子器件》 CAS 1993年第2期87-93,共7页

本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42... 本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42A/cm^2的阳极电流. 展开更多

关键词 晶闸管 功率器件 硅片直接键合 mos控制 晶闸管

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电力半导体器件的现状及发展趋势 被引量：1

17

作者 陈烨 吴济钧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期33-39,共7页

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功... 叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功率器件的作用。提出了高压、大电流、高频、模块化和组件化是电力半导体器件今后发展的方向。 展开更多

关键词 电力半导体器件 集成电路 mos控制晶闸管

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7A　500V　MCT芯片的研制

18

作者 冯玉春 罗晋生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期31-32,41,共3页

采用外延片作衬底研制出耐压５００Ｖ，关断电流为７Ａ的ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）芯片。ＭＣＴ芯片是由５０７５个单胞并联而成，它具有ＭＯＳＦＥＴ门极开通、关断功能。

关键词 mos 控制晶闸管 MCT 芯片

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