VDMOS功率器件用硅外延片

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《中国集成电路》 2007年第7期56-57,共2页

1、产品及其简介 1973年美国IR公司推出VDMOS结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS管是在外延片上制作的，由于一个管芯包括几千个元胞，故要求线条细，光刻精度高。所以对外延片的电阻率均匀性要求... 1、产品及其简介 1973年美国IR公司推出VDMOS结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS管是在外延片上制作的，由于一个管芯包括几千个元胞，故要求线条细，光刻精度高。所以对外延片的电阻率均匀性要求高，对外延片表面的平整度和颗粒度要求也高，我公司的产品是为了功率VDMOS管专门研制开发的。 展开更多

关键词 mos功率器件 VDmos结构 硅外延片 VDmos管 IR公司 能力提高 电流处理 导通电阻

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功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟 被引量：2

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作者 唐本奇 王燕萍 +2 位作者 耿斌 陈晓华 杨海亮 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期422-427,共6页

建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是... 建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。 展开更多

关键词 功率mos器件 电路模拟 PSPICE模拟 单粒子烧毁效应 电路模型

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功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟 被引量：2

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作者 唐本奇 王燕萍 +1 位作者 耿斌 陈晓华 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期161-165,共5页

建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 。

关键词 功率mos器件 单粒子栅穿 PSPICE电路模拟

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高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型 被引量：2

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作者 刘光廷 《电子器件》 CAS 1995年第2期65-75,共11页

对高压ＭＯＳ功率器件的设计而言，结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高，终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再运用。因此，本文对新的设计手段──计算机模拟进行了详细地研究。首先建立了一套适用于终端结构模... 对高压ＭＯＳ功率器件的设计而言，结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高，终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再运用。因此，本文对新的设计手段──计算机模拟进行了详细地研究。首先建立了一套适用于终端结构模拟的物理模型。然后讨论了离散化的形式，并分析了所得大型稀疏线性方程组的迭代收敛性及稳定性。文中还提出了对于耗尽层分布及场限环浮置电位的一种新的处理方法──多重迭代法，从而克服了以往处理方法中数值不稳定的问题。最后利用上述物理模型所编写的终端结构模拟程序进行了各种情况下的模拟计算和讨论，并同实验结果进行了比较，二者所得数据相当吻合。 展开更多

关键词 高压 功率mos器件 终端 结构 物理 模型

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功率MOS器件SEB、SEGR测量系统的研制

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作者 王燕萍 唐本奇 +1 位作者 耿斌 杜凯 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期217-219,共3页

研制了功率 MOS器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC振荡电路和 DUT栅极触发电路组成 ,具有栅 (漏 )极电压偏置、电流测量、过流保护、电容电阻选择等功能 ,... 研制了功率 MOS器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC振荡电路和 DUT栅极触发电路组成 ,具有栅 (漏 )极电压偏置、电流测量、过流保护、电容电阻选择等功能 ,经实验验证 。 展开更多

关键词 功率mos器件 辐照效应 电压偏置 电流测量 电源系统 单粒子烧毁 单粒子栅穿

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功率MOS器件安全工作区的修正方法

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作者 徐国治 潘志斌 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1992年第4期7-8,共2页

本文以功率MOS器件(IRF440)为例。给出了安全工作区在实际工作条件下的修正步骤及SOA曲线的修正结果。

关键词 功率mos器件 安全工作区 修正方法

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功率MOS器件安全工作区的修正方法

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作者 徐国治 潘志斌 《电子产品可靠性与环境试验》 1992年第5期27-28,共2页

关键词 功率mos器件 安全工作区 修正

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功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究 被引量：3

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作者 唐本奇 王燕萍 耿斌 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期344-347,共4页

建立了利用2 52 Cf裂片源 ,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置 ,开展了功率 MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究 ,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值 。

关键词 航天器 卫星 电子系统 抗辐射 加固 功率mos器件 IBGT 单粒子烧毁 单粒子栅穿 模拟试验 辐射损伤

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大功率电源MOS管的特性及应用 被引量：3

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作者 沈昂 《上海计量测试》 2005年第6期28-29,共2页

引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时,主开关功率器件一般都使用功率MOS器件.所以深入了解功率MOS器件的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要.开关电源电路中MOS管的结构,寄生参数,散热条件等都会对功率MO... 引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时,主开关功率器件一般都使用功率MOS器件.所以深入了解功率MOS器件的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要.开关电源电路中MOS管的结构,寄生参数,散热条件等都会对功率MOS的工作性能产生影响.为了使开关电源设计师在使用功率MOS管时有的放矢,本文将对功率MOS管的各项基本参数和性能进行论述. 展开更多

关键词 功率mos管 大功率电源 特性 功率mos器件 开关电源电路 开关功率器件 应用 内部结构 工作性能 电源电压

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BUY25CSXX系列：功率MOSFET

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《世界电子元器件》 2012年第9期35-35,共1页

英飞凌科技推出专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型（RH）功率MOS器件拥有较好的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。

关键词 功率mosFET 功率mos器件 电源系统 空间应用 开关器件 航空应用 加固型 抗辐射

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用^(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法 被引量：5

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作者 唐本奇 王燕萍 +3 位作者 耿斌 陈晓华 贺朝会 杨海亮 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期339-343,共5页

建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果表明 ,该测试系统... 建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果表明 ,该测试系统和实验方法是可行、可靠的。 展开更多

关键词 功率mos器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 252离子源

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安森美半导体及其西部开发策略

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作者 卢玥光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期86-86,共1页

关键词 安森美半导体公司 电源管理产品 模拟集成电路 高频时钟 mos功率器件

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绝缘栅双极晶体管研究与中试

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《创新科技》 2007年第6期61-61,共1页

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行，在国内的生产更是空白，国内的器件应用全靠进口。

关键词 绝缘栅双极晶体管 mos功率器件 中试 器件应用 国内

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美国MCT的生产以及未来的发展计划

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作者 冯玉春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期11-13,17,共4页

在美国从事ＭＣＴ研制的公司主要有三家。本文介绍了其中两家──Ｈａｒｒｉｓ和ＳＰＣＯ公司ＭＣＴ的研制情况，其中Ｈａｒｒｉｓ是世界上最早从事ＭＣＴ研究，并且是全球唯一一家大批量生产ＭＣＴ的公司，它的研制、生产水平代表了Ｍ... 在美国从事ＭＣＴ研制的公司主要有三家。本文介绍了其中两家──Ｈａｒｒｉｓ和ＳＰＣＯ公司ＭＣＴ的研制情况，其中Ｈａｒｒｉｓ是世界上最早从事ＭＣＴ研究，并且是全球唯一一家大批量生产ＭＣＴ的公司，它的研制、生产水平代表了ＭＣＴ的全球发展水平，因此Ｈａｒｒｉｓ公司ＭＣＴ的发展计划，可以说是ＭＣＴ器件的未来。 展开更多

关键词 研制 生产 发展 计划 mos类功率器件

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工业用与再生能源应用效率的新视野— 切换式电源供应(SMPS)

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作者 Dean Henderson Christian Wald 《电子与电脑》 2010年第6期62-64,共3页

功率MOSFET与IGBT等其他功率MOS器件并行发展，满足了许多应用的需要。在低电压的应用中，相关器件让电源供应器与”DC／DC”转换器能够达到高效率．并让伺服与马达控制设计达到高稳定度。汽车防死锁煞车系统等高电压的应用中，相关器... 功率MOSFET与IGBT等其他功率MOS器件并行发展，满足了许多应用的需要。在低电压的应用中，相关器件让电源供应器与”DC／DC”转换器能够达到高效率．并让伺服与马达控制设计达到高稳定度。汽车防死锁煞车系统等高电压的应用中，相关器件的交换速度可以极快的频率开关，这对于使用脉宽调变（PWM）的应用来说相当重要。 展开更多

关键词 电源供应器 应用 再生能源 功率mos器件 切换式 工业用 功率mosFET 视野

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