期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究
被引量：
2
1
作者
刘秀丽
高国华
KAWI Sibudjing
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1609-1612,共4页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在...
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比.
展开更多
关键词
半导体传感器
介孔分子筛(MCM-41)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
二氧化锡
薄膜
在线阅读
下载PDF
职称材料
MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响
2
作者
孙志国
许志
利定东
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期29-31,共3页
在大规模集成电路的制造过程中,MOCVDTiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVDTiN厚度对于W填充能力的影响。
关键词
大规模集成电路
mocvd-tin
薄膜厚度
漂移
钨填充
连接层材料
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究
被引量：
2
1
作者
刘秀丽
高国华
KAWI Sibudjing
机构
上海市绿色化学与化工过程绿色化重点实验室
Department of Chemical and Environmental Engineering
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1609-1612,共4页
基金
教育部留学回国人员科研启动基金资助.
文摘
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比.
关键词
半导体传感器
介孔分子筛(MCM-41)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
二氧化锡
薄膜
Keywords
Semiconductor sensor
MCM-41
MOCVD
Tin dioxide
Thin film
分类号
O614 [理学—无机化学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响
2
作者
孙志国
许志
利定东
机构
应用材料中国有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期29-31,共3页
文摘
在大规模集成电路的制造过程中,MOCVDTiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVDTiN厚度对于W填充能力的影响。
关键词
大规模集成电路
mocvd-tin
薄膜厚度
漂移
钨填充
连接层材料
Keywords
MOCVD TiN
Thickness
W
gap fill
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究
刘秀丽
高国华
KAWI Sibudjing
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响
孙志国
许志
利定东
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
