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Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响
被引量：
1
1
作者
张仕凯
张宝林
+7 位作者
史志锋
王辉
夏晓川
伍斌
蔡旭浦
高榕
董鑫
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期934-938,共5页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性...
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.07×1020cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。
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关键词
mocvd
zno/
au
/zno
(ZAZ)多层膜
射频磁控溅射
退火温度
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职称材料
题名
Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响
被引量：
1
1
作者
张仕凯
张宝林
史志锋
王辉
夏晓川
伍斌
蔡旭浦
高榕
董鑫
杜国同
机构
集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院
大连理工大学物理与光电工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期934-938,共5页
基金
国家自然科学基金(60976010
61006006)
国家"973"计划(2011CB302005)资助项目
文摘
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.07×1020cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。
关键词
mocvd
zno/
au
/zno
(ZAZ)多层膜
射频磁控溅射
退火温度
Keywords
mocvd； zno/au/zno multilayer films； rf sputtering； annealing temperature
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响
张仕凯
张宝林
史志锋
王辉
夏晓川
伍斌
蔡旭浦
高榕
董鑫
杜国同
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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