期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
1
作者
卢励吾
周洁
+1 位作者
瞿伟
张盛廉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第11期72-75,共4页
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和In...
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。
展开更多
关键词
mis
结构
界面陷阱
深能级
INP
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于分子链位移的HVDC电缆接头界面区域空间电荷分布研究
被引量：
5
2
作者
王雅妮
孙远远
+4 位作者
张帅
任品顺
杨兴武
王亚林
尹毅
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第10期3854-3863,共10页
在高压直流电缆接头绝缘中,携带被深陷阱捕获电荷的分子链在库伦力作用下会发生位移,导致聚合物绝缘中深陷阱能级发生变化,进而对电荷输运造成影响。该文基于分子链动力学对传统双极性电荷输运模型进行改进,在温度梯度下分析高压直流电...
在高压直流电缆接头绝缘中,携带被深陷阱捕获电荷的分子链在库伦力作用下会发生位移,导致聚合物绝缘中深陷阱能级发生变化,进而对电荷输运造成影响。该文基于分子链动力学对传统双极性电荷输运模型进行改进,在温度梯度下分析高压直流电缆接头不同界面的深陷阱能级、空间电荷及电场分布,探讨在温度梯度下深陷阱能级变化对电缆接头绝缘界面电荷分布的影响。研究表明:基于分子链动力学改进的双极性电荷输运模型中,复合绝缘界面以及介质内部深陷阱能级增大,导致电荷在介质内部的扩散和迁移受到阻碍,大量电荷在界面积聚;界面电荷分布规律与界面深陷阱能级分布一致;相较于接头内部整体高温,接头两侧存在较大的温差更容易使接头绝缘面临更严峻的挑战,电缆接头在10K的温差下能够保持较为良好的电气绝缘和运行状态。所得结果为进一步理清电缆接头绝缘电荷输运特性提供了支撑。
展开更多
关键词
高压直流电缆接头
分子链动力学
深陷阱能级
界面电荷输运
电场分布
在线阅读
下载PDF
职称材料
MOS结构界面性质的变频C-V研究
3
作者
王永生
郑有炓
张荣
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1990年第2期211-222,共12页
本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。
关键词
MOS
结构
界面
测量
C-V法
变频
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
1
作者
卢励吾
周洁
瞿伟
张盛廉
机构
半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第11期72-75,共4页
文摘
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。
关键词
mis
结构
界面陷阱
深能级
INP
Keywords
mis structure
,
interfacial traps
,
deep levels
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于分子链位移的HVDC电缆接头界面区域空间电荷分布研究
被引量：
5
2
作者
王雅妮
孙远远
张帅
任品顺
杨兴武
王亚林
尹毅
机构
上海电力大学电气工程学院
上海交通大学电气工程系
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第10期3854-3863,共10页
基金
国家自然科学基金项目(52007114)
上海市青年科技英才扬帆计划(20YF1414700)。
文摘
在高压直流电缆接头绝缘中,携带被深陷阱捕获电荷的分子链在库伦力作用下会发生位移,导致聚合物绝缘中深陷阱能级发生变化,进而对电荷输运造成影响。该文基于分子链动力学对传统双极性电荷输运模型进行改进,在温度梯度下分析高压直流电缆接头不同界面的深陷阱能级、空间电荷及电场分布,探讨在温度梯度下深陷阱能级变化对电缆接头绝缘界面电荷分布的影响。研究表明:基于分子链动力学改进的双极性电荷输运模型中,复合绝缘界面以及介质内部深陷阱能级增大,导致电荷在介质内部的扩散和迁移受到阻碍,大量电荷在界面积聚;界面电荷分布规律与界面深陷阱能级分布一致;相较于接头内部整体高温,接头两侧存在较大的温差更容易使接头绝缘面临更严峻的挑战,电缆接头在10K的温差下能够保持较为良好的电气绝缘和运行状态。所得结果为进一步理清电缆接头绝缘电荷输运特性提供了支撑。
关键词
高压直流电缆接头
分子链动力学
深陷阱能级
界面电荷输运
电场分布
Keywords
HVDC cable joints
molecular chain dynamics
deep
trap energy
levels
interfacial
charge transport
electric field distribution
分类号
TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
MOS结构界面性质的变频C-V研究
3
作者
王永生
郑有炓
张荣
机构
南京大学物理系
出处
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1990年第2期211-222,共12页
文摘
本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用于研究界面深能级及氧化层电荷陷阱态。此方法对样品漏电及测量环境要求较低,具有较大的实用意义。
关键词
MOS
结构
界面
测量
C-V法
变频
Keywords
MOS
structure
variable-frequency C-V
interface states
deep
level
oxide trap centers
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
卢励吾
周洁
瞿伟
张盛廉
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于分子链位移的HVDC电缆接头界面区域空间电荷分布研究
王雅妮
孙远远
张帅
任品顺
杨兴武
王亚林
尹毅
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
MOS结构界面性质的变频C-V研究
王永生
郑有炓
张荣
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1990
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
