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红色发光材料MgTiO3:Eu^3+的水热合成研究
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作者 何赐全 杨朝阳 孙家跃 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期43-44,51,共3页
以MgSO4、TiCl4为镁源和钛源,以NaOH为矿化剂,向体系内添加Eu3+,在有聚四氟乙烯衬的高压反应釜内以60%的填充度、以220℃的反应温度通过90~200h的反应时间制得MgTiO3:Eu3+粉体。XRD分析表明相纯度较高。FS结果显示,产品有294nm和483nm2... 以MgSO4、TiCl4为镁源和钛源,以NaOH为矿化剂,向体系内添加Eu3+,在有聚四氟乙烯衬的高压反应釜内以60%的填充度、以220℃的反应温度通过90~200h的反应时间制得MgTiO3:Eu3+粉体。XRD分析表明相纯度较高。FS结果显示,产品有294nm和483nm2个激发峰;发射峰位于615nm,颜色较纯。该方法具有合成温度低,产物发光亮度好,不用焙烧和球磨就能得到优质粉体的特点。 展开更多
关键词 发光 水热合成 mgtio3:Eu3+ 红色
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Fe2O3掺杂MgTiO3-CaTiO3微波陶瓷的介电性能研究 被引量:1
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作者 董丽 董桂霞 张茜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期47-50,共4页
采用固相法制备0.93MgTiO3-0.07CaTiO3-xFe_2O_3(摩尔分数x=0.01~0.025)微波介质陶瓷材料,研究添加Fe_2O_3后,体系的晶体结构、显微结构和微波介电性能之间的变化规律。利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微观结构、介电性能... 采用固相法制备0.93MgTiO3-0.07CaTiO3-xFe_2O_3(摩尔分数x=0.01~0.025)微波介质陶瓷材料,研究添加Fe_2O_3后,体系的晶体结构、显微结构和微波介电性能之间的变化规律。利用XRD、SEM、网络分析仪对样品的相组成、微观结构、介电性能进行测试分析。研究表明:该复合陶瓷样品的致密度、介电常数和Q·f值随Fe_2O_3含量的增加先增大后减小。当x(Fe_2O_3)为0.015,在1290℃烧结4h时,获得最优的介电性能:εr=21.32,Q·f=37448GHz,τf=0.577×10-6/℃。 展开更多
关键词 mgtio3-CaTiO3微波陶瓷 Fe2O3掺杂 微波介电性能
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添加剂对MgTiO_3陶瓷性能的影响 被引量:8
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作者 朱海奎 刘敏 +2 位作者 周洪庆 杨春霞 梁斌 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期24-26,30,共4页
研究了H3BO3,CaO-SiO2-B2O3玻璃料及V2O5的添加对MgTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:合适的添加剂能够使MgTiO3陶瓷在1240~1300℃之间烧结;添加质量分数为3%的H3BO3,V2O5或1%的CaO-SiO2-B2O3玻璃料... 研究了H3BO3,CaO-SiO2-B2O3玻璃料及V2O5的添加对MgTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:合适的添加剂能够使MgTiO3陶瓷在1240~1300℃之间烧结;添加质量分数为3%的H3BO3,V2O5或1%的CaO-SiO2-B2O3玻璃料的MgTiO3陶瓷的介电常数分别为20.8,17.5和19.8,在5~20MHz下,介电损耗低,多为10-4数量级;在10kHz下,介电常数的温度系数在-66×10-6/℃左右,是一种性能良好的微波介质材料。 展开更多
关键词 钛酸镁 烧结温度 介电性能 mgtio3 陶瓷性能 添加剂 H3BO3 微波介质材料 V2O5 介电常数
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Al_2O_3添加剂对合成MgTiO_3陶瓷相组成及介电性能的影响 被引量:19
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作者 王康宋 罗澜 +1 位作者 陈玮 张干城 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期509-514,共6页
研究了添加剂Al2O3对MgO和TiO2合成MgTiO3陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,XRD分析结果表明:没有添加Al2O3时,合成的MgTiO3陶瓷中只含有MgTiO3和MgTi2O5相;加入Al2O3后,... 研究了添加剂Al2O3对MgO和TiO2合成MgTiO3陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,XRD分析结果表明:没有添加Al2O3时,合成的MgTiO3陶瓷中只含有MgTiO3和MgTi2O5相;加入Al2O3后,MgTiO3陶瓷中除了MgTiO3和MgTi2O5相外,还出现了MgAl2O4相,这是由于Al2O3和 MgO发生固相反应.MgAl2O4的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降,但是可以降低反应烧结合成MgTiO3陶瓷的相对介电常数和介电损耗. 展开更多
关键词 AL2O3 添加剂 mgtio3陶瓷 相组成 介电性能 相对介电常数 介电损耗 钛酸镁陶瓷
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熔盐法包覆BaTiO_3及其电性能 被引量:5
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作者 崔爱莉 陈仁政 +1 位作者 尉京志 李龙土 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第5期627-630,共4页
通过熔盐法将MgTiO3薄膜均匀地包覆在钛酸钡颗粒表面形成芯壳结构。包覆机理是在MgCl2的熔盐状态800℃下Mg2+取代BaTiO3中的Ba2+离子表面生成MgTiO3薄膜薄膜厚度约20nm。采用TEM、XRD验证了MgTiO3的包覆。包覆粉末经烧成瓷后具有良好的... 通过熔盐法将MgTiO3薄膜均匀地包覆在钛酸钡颗粒表面形成芯壳结构。包覆机理是在MgCl2的熔盐状态800℃下Mg2+取代BaTiO3中的Ba2+离子表面生成MgTiO3薄膜薄膜厚度约20nm。采用TEM、XRD验证了MgTiO3的包覆。包覆粉末经烧成瓷后具有良好的高频性能在1MHz~800MHz的频率范围内介电常数恒定为130。 展开更多
关键词 熔盐法 BATIO3 mgtio3 包覆 介电常数 介电材料 钛酸钡 钛酸镁
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高品质因素MgTiO_3-SrTiO_3系微波陶瓷介电性能的研究 被引量:8
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作者 汪婷 李月明 +2 位作者 王竹梅 沈宗洋 洪燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期336-340,共5页
以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0~0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密... 以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0~0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035时,陶瓷可在1380℃保温2 h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数:τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素:Q×f=16714 GHz、介电常数:εr=21.5。 展开更多
关键词 (1-x)mgtio3-xSrTiO3微波陶瓷 谐振频率温度系数 微波介电性能
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MgTiO_3基微波介质陶瓷研究进展 被引量:8
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作者 赵莉 沈春英 丘泰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期866-869,892,共5页
本文综述了MgTiO3基微波介质陶瓷的性能与最新研究进展,分析了不同添加剂对MgTiO3微波介电性能的影响;总结了MgTiO3材料改性研究的途径及性能;指出了MgTiO3基材料存在的问题与今后的发展方向。
关键词 微波介质陶瓷 mgtio3 介电性能 改性研究
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MgH_2+20%(w)MgTiO_3复合材料的吸/放氢性能(英文) 被引量:2
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作者 王家盛 韩树民 +2 位作者 李媛 沈娜 张伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2323-2327,共5页
为了降低MgH2的吸放氢温度,提高其吸放氢动力学性能,本文通过球磨方法制备了MgH2+20%(w)MgTiO3复合储氢材料,并研究了其储氢性能.X射线衍射(XRD)结果表明,MgTiO3在与MgH2球磨过程中生成Mg2TiO4和TiO2,并且Mg2TiO4和TiO2在体系的吸放氢... 为了降低MgH2的吸放氢温度,提高其吸放氢动力学性能,本文通过球磨方法制备了MgH2+20%(w)MgTiO3复合储氢材料,并研究了其储氢性能.X射线衍射(XRD)结果表明,MgTiO3在与MgH2球磨过程中生成Mg2TiO4和TiO2,并且Mg2TiO4和TiO2在体系的吸放氢过程中保持稳定,能够对MgH2的吸放氢过程产生催化作用.程序升温脱附和吸/放氢动力学测试结果表明,添加MgTiO3后MgH2的初始放氢温度从389°C降至249°C.150°C下的吸氢量从0.977%(w)提高到2.902%(w),350°C下的放氢量从2.319%(w)提高到3.653%(w).同时,MgH2放氢反应的活化能从116kJ·mol-1降至95.7kJ·mol-1.与MgH2相比,MgH2+20%(w)MgTiO3复合材料的热力学与动力学性能均有显著提高,这主要是由于球磨和放氢过程中原位生成的TiO2和Mg2TiO4具有良好的催化活性. 展开更多
关键词 储氢性能 MgH2 mgtio3 催化活性 活化能
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ZnO掺杂MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的介电性能 被引量:3
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作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第5期732-734,共3页
采用固相反应法制备(Mg0.95-xZnxCa0.05)TiO3介质陶瓷。研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响。结果表明,ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,随着ZnO掺杂量的增加,有第二相产生,为Zn2TiO4。ZnO掺杂能降低MCT陶瓷的烧... 采用固相反应法制备(Mg0.95-xZnxCa0.05)TiO3介质陶瓷。研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响。结果表明,ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,随着ZnO掺杂量的增加,有第二相产生,为Zn2TiO4。ZnO掺杂能降低MCT陶瓷的烧结温度到1250℃,且对介电常数温度系数αc有调节作用。当x=0.02时在1250℃温度烧结2.5h获得最佳性能,即介电常数εr=21.7,介电损耗tanδ=1×10-5,介电常数温度系数αc=2.12×10-5。 展开更多
关键词 mgtio3-CaTiO3 微波陶瓷 ZnO掺杂 介电性能
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钛酸镁基微波介质陶瓷粉末制备方法及研究进展 被引量:3
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作者 王美娜 丘泰 +1 位作者 杨建 沈春英 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期14-17,共4页
钛酸镁瓷是一种重要的微波介质陶瓷,MgO-TiO2系统存在三种化合物,正钛酸镁、偏钛酸镁、二钛酸镁,三者结构和性能不同。因此为获得高性能陶瓷,通过对组成以及制备工艺的控制,制备单一相的物质至关重要。本文综述了制备钛酸镁粉末的几种... 钛酸镁瓷是一种重要的微波介质陶瓷,MgO-TiO2系统存在三种化合物,正钛酸镁、偏钛酸镁、二钛酸镁,三者结构和性能不同。因此为获得高性能陶瓷,通过对组成以及制备工艺的控制,制备单一相的物质至关重要。本文综述了制备钛酸镁粉末的几种方法以及其他几种新兴制备方法。 展开更多
关键词 mgtio3 Mg2TiO4 MgTi2O5 制备方法
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BiVO_4对MgTiO_3陶瓷烧结及介电性能的影响 被引量:2
11
作者 张启龙 童建喜 +1 位作者 杨辉 王焕平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第4期432-434,共3页
研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和... 研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和介电常数rε逐渐增大,品质因数Q×f急剧下降,频率温度系数fτ向负值方向移动。添加w(MgTiO3)=4%的陶瓷在900℃烧结2 h,获得最佳性能:rε=18.53,Q×f=6 832 GHz,fτ=-55×10-6/℃。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 介电性能 BIVO4 mgtio3
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添加剂对MgTiO_3系统陶瓷介电性能的影响 被引量:3
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作者 苏皓 吴顺华 颜海洋 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第3期31-34,共4页
用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷。MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系。调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εro研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影... 用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷。MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系。调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εro研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影响:硼掺杂降低了陶瓷的烧结温度,同时加快了陶瓷的致密化过程,而且对Q值(Q=1/tanδ)没有明显的负面影响。硼在烧结中以液相存在,因而促进了烧结中反应的进行,起到了助熔剂的作用。 展开更多
关键词 添加剂 mgtio3 介电性能 介电陶瓷 CATIO3 硼掺杂 温度系数 烧结温度 致密化 助熔剂
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电化学方法制备纳米MgTiO_3及表征 被引量:2
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作者 陈永红 朱传高 +1 位作者 魏亦军 褚道葆 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期41-43,3,共4页
以金属阳极溶解法制得MgTiO3前驱体MgTi(OCH2CH3)(6-y)(acac)y[acac为乙酰丙酮基];讨论了影响电合成镁、钛醇盐配合物的主要因素。在pH=8.5的条件下,将含有前驱体的电解液直接水解形成凝胶,凝胶经洗涤、干燥后,在500℃下煅烧2h,制得纳米... 以金属阳极溶解法制得MgTiO3前驱体MgTi(OCH2CH3)(6-y)(acac)y[acac为乙酰丙酮基];讨论了影响电合成镁、钛醇盐配合物的主要因素。在pH=8.5的条件下,将含有前驱体的电解液直接水解形成凝胶,凝胶经洗涤、干燥后,在500℃下煅烧2h,制得纳米Mg-TiO3粉体。采用红外(IR)、热重-差热分析(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)、电子透射技术(TEM)等对前驱体和纳米Mg-TiO3进行了表征。实验表明,在使用导电盐Bu4NBr浓度0.04mol/L,控制电解液温度35~40℃之间的条件下,制得的纳米Mg-TiO3粉体纯度高,平均粒径在20~30nm之间。 展开更多
关键词 mgtio3 电化学方法 纳米 表征 热重-差热分析 制备 X-射线衍射 电解液温度 前驱体 阳极溶解 电子透射 平均粒径 电合成 配合物 钛醇盐 500 凝胶 粉体 水解 煅烧
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Zn-Al共掺MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的结构与性能 被引量:1
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作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 张东 宋天秀 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期461-463,共3页
采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷。研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响。结果表明,Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共... 采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷。研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响。结果表明,Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1 300℃,且得到致密的晶粒结构,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用。当掺杂Zn2+、Al3+的摩尔分数均为0.02时,在1 300℃烧结2.5 h获得最佳性能:介电常数为20.35,介电损耗为2.0×10-6,介电常数温度系数为-1.78×10-6。 展开更多
关键词 mgtio3-CaTiO3陶瓷 Zn-Al共掺杂 介电性能
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Zn-Al共掺对0.95MgTiO_3-0.05CaTiO_3介电性能的影响 被引量:1
15
作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期371-373,共3页
采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相M... 采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相MgTi2O5的产生,同时,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效地降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用.当Zn2+掺杂量为0.02mol、Al3+掺杂量为0.02mol时,在1300℃烧结2.5h获得最佳性能:εr=20.35,tgδ=2.0×10-6,αc=-1.78×10-6. 展开更多
关键词 0.95mgtio3-0.05CaTiO3介质陶瓷 Zn-Al共掺杂 介电性能
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CoO掺杂95MCT陶瓷的微波介电性能 被引量:1
16
作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期885-887,共3页
采用固相反应法制备了CoO掺杂的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)介质陶瓷。研究了CoO掺杂对95MCT介质陶瓷烧结特性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明,CoO掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构;CoO掺杂能有效降低95MCT... 采用固相反应法制备了CoO掺杂的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)介质陶瓷。研究了CoO掺杂对95MCT介质陶瓷烧结特性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明,CoO掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构;CoO掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1250℃,同时提高陶瓷的品质因数。w(CoO)=2.6%的95MCT陶瓷在1250℃烧结获得最佳性能,即介电常数εr=20.9,品质因数与频率的乘积Q×f=48908,介电常数温度系数αc=1.06×10-5。 展开更多
关键词 0.95mgtio3-0.05CaTiO3陶瓷 CoO掺杂 微波介电性能
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温度稳定型超低损耗Mg(Zr_(0.05)Ti_(0.95))O_3微波介质陶瓷的研制
17
作者 余洪滔 薛小梅 徐光亮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期12-15,共4页
为了提高具有超低损耗Mg(Zr0.05Ti0.95)O3陶瓷的温度稳定型,采用Sr2+掺杂来对其进行改性研究。采用传统固相法制备了摩尔比Mg∶Sr∶Zr∶Ti∶O=1-x∶x∶0.05∶0.95∶3(x=0、0.03、0.05和0.07)陶瓷,利用XRD和SEM分析其结构和相组成。随着S... 为了提高具有超低损耗Mg(Zr0.05Ti0.95)O3陶瓷的温度稳定型,采用Sr2+掺杂来对其进行改性研究。采用传统固相法制备了摩尔比Mg∶Sr∶Zr∶Ti∶O=1-x∶x∶0.05∶0.95∶3(x=0、0.03、0.05和0.07)陶瓷,利用XRD和SEM分析其结构和相组成。随着Sr含量的增加,陶瓷中出现了SrTiO3相,起到了补偿Mg(Zr0.05Ti0.95)O3温度系数的作用。当Mg∶Sr=0.95∶0.05,1390℃烧结4小时的陶瓷一个近零的温度系数(2.1ppm/℃),高的品质因子(207000)以及一个高的介电常数(20.9)。该陶瓷有望应用现代微波领域。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 谐振频率温度系数 mgtio3
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MgTiO_3:Fe^(3+)(Mn^(2+))的EPR参量D与局域结构的研究
18
作者 李福珍 李兆民 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2003年第1期31-34,61,共5页
用晶体场理论研究了MgTiO3:Fe3+(Mn2+)的EPR参量D和掺杂晶体局域结构间的内在联系,计算值与实验值符合好.结果表明,掺杂后,MgTiO3:Fe3+和MgTiO3:Mn2+局域结构的畸变均趋向Oh对称,且MgTiO3:Fe3+的畸变程度大于MgTiO3:Mn2+.
关键词 mgtio3:Fe^3+(Mn^2+) EPR 局域结构 晶体场理论 零场分裂值 基态 电子顺磁共振
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(Zn_xMg_(1-x))TiO_3微波介电性能及其TiO_2掺杂研究 被引量:1
19
作者 相龙成 张树人 +4 位作者 周晓华 钟朝位 唐彬 李波 陈庆荣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期717-719,共3页
调节不同的r(Zn/Mg)值,用普通固相合成法制备了(ZnxMg1-x)TiO3(x=0.1~0.5(摩尔比)微波陶瓷基料,研究了r(Zn/Mg)及预烧温度对其微波和烧结性能的影响,并通过TiO3和CaSiO3玻璃掺杂改善了(ZnxMg1-x)TiO3基料的微波性能... 调节不同的r(Zn/Mg)值,用普通固相合成法制备了(ZnxMg1-x)TiO3(x=0.1~0.5(摩尔比)微波陶瓷基料,研究了r(Zn/Mg)及预烧温度对其微波和烧结性能的影响,并通过TiO3和CaSiO3玻璃掺杂改善了(ZnxMg1-x)TiO3基料的微波性能,最终获得了可在1170℃烧成的相对介电常数εr=26~28,品质因数与频率之积Q·f〉70000(10GHz),谐振频率温度系数τf〈±10×10^-6/℃的微波陶瓷。 展开更多
关键词 ZnTiO3 mgtio3 X-射线衍射(XRD) 扫描电镜(SEM) 微波陶瓷
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MgTiO_3对Mg_2SiO_4-SiC复相材料烧结性能的影响 被引量:1
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作者 周萍 李晓云 +1 位作者 丘泰 杨建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期371-375,共5页
在采用传统固相法预合成Mg2SiO4和MgTiO3粉体的基础上,在H2气氛下常压烧结制备了Mg2SiO4-MgTiO3-SiC复相材料。研究了Mg2SiO4和MgTiO3的最佳原料配比及MgTiO3的添加量、烧结温度、保温时间对复相材料烧结性能和相组成的影响。结果表明:M... 在采用传统固相法预合成Mg2SiO4和MgTiO3粉体的基础上,在H2气氛下常压烧结制备了Mg2SiO4-MgTiO3-SiC复相材料。研究了Mg2SiO4和MgTiO3的最佳原料配比及MgTiO3的添加量、烧结温度、保温时间对复相材料烧结性能和相组成的影响。结果表明:Mg2SiO4粉的最佳Mg/Si物质的量比为2.02,MgTiO3粉的最佳Mg/Ti物质的量比为1,Mg2SiO4-MgTiO3-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4、MgTiO3和6H-SiC;MgTiO3的加入可促进材料烧结,最佳保温时间为1 h。 展开更多
关键词 mgtio3 Mg2SiO4-SiC 常压烧结
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