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MCT光导器件芯片室温电阻率不稳定因素探讨
1
作者
尹敏
王开元
《红外技术》
CSCD
1994年第2期9-11,共3页
重点讨论ｘ值在０．２７附近的ＭＣＴ光导器件芯片电阻率随时间变化的问题。认为：ＭＣＴ芯片中Ｈｇ原子的逐渐逸出，导致材料ｘ值随时间而变化是使芯片室温电阻率变化的主要原因；在某些条件下（如加温），芯片表面可以形成高浓度的ｎ...
重点讨论ｘ值在０．２７附近的ＭＣＴ光导器件芯片电阻率随时间变化的问题。认为：ＭＣＴ芯片中Ｈｇ原子的逐渐逸出，导致材料ｘ值随时间而变化是使芯片室温电阻率变化的主要原因；在某些条件下（如加温），芯片表面可以形成高浓度的ｎ型薄层，从而对芯片的室温电阻率产生影响。
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关键词
mct
芯片
红外探测器
室温电阻率
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职称材料
题名
MCT光导器件芯片室温电阻率不稳定因素探讨
1
作者
尹敏
王开元
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
1994年第2期9-11,共3页
文摘
重点讨论ｘ值在０．２７附近的ＭＣＴ光导器件芯片电阻率随时间变化的问题。认为：ＭＣＴ芯片中Ｈｇ原子的逐渐逸出，导致材料ｘ值随时间而变化是使芯片室温电阻率变化的主要原因；在某些条件下（如加温），芯片表面可以形成高浓度的ｎ型薄层，从而对芯片的室温电阻率产生影响。
关键词
mct
芯片
红外探测器
室温电阻率
Keywords
mct wafer
,
unstable restivity
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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操作
1
MCT光导器件芯片室温电阻率不稳定因素探讨
尹敏
王开元
《红外技术》
CSCD
1994
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