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InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究被引量：11: 1; 作者罗子江周勋 +4 位作者杨再荣贺业全何浩邓朝勇丁召《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期846-849,共4页; 利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,... 展开更多; 关键词 mbe RHEED stm InGaAs异质薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究被引量：7: 2; 作者王继红罗子江 +4 位作者周勋郭祥周清刘珂丁召《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期847-849,853,共4页; 采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚... 展开更多; 关键词 GaAs薄膜 mbe RHEED stm 熟化; 在线阅读下载PDF 职称材料

RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5: 3; 作者罗子江周勋 +5 位作者贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2107-2111,共5页; 利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像... 展开更多; 关键词 mbe RHEED stm InGaAs薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

In_(0.14)Ga_(0.86)As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析被引量：5: 4; 作者尚林涛罗子江 +5 位作者周勋郭祥张毕禅何浩贺业全丁召《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期256-262,共7页; 以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描... 展开更多; 关键词反射式高能电子衍射分子束外延扫描隧道显微镜InGaAs表面重构模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点被引量：3: 5; 作者王继红罗子江 +1 位作者周勋丁召《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期5023-5027,共5页; 采用间歇式As中断方法利用分子束外延(MBE)生长了不同厚度的InGaAs量子点,并通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)以及扫描隧道显微镜(STM)对其表面进行形貌表征与分析。研究发现间歇式As中断方法有利于改善量子点的均匀性,同时量子点的表... 展开更多; 关键词间歇式As中断 INGAAS 量子点 mbe/stm; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响被引量：3: 6; 作者王一郭祥 +6 位作者刘珂黄梦雅魏文喆赵振胡明哲罗子江丁召《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期363-366,共4页; 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证... 展开更多; 关键词分子束外延 IN0 86Ga0 14As InAs薄膜扫描隧道显微镜生长厚度; 在线阅读下载PDF 职称材料

InAs(001)表面金属化的转变: 7; 作者尚林涛周勋 +3 位作者罗子江张毕禅郭祥丁召《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期101-104,113,共5页; 论述了利用分子束外延方法在InAs(001)基片上生长InAs时,样品表面由富As的(2×4)向富In的(4×2)转变的现象。通过控制生长参数生长出了较好的富As(2×4)表面。在As压不足的情况下,轻微的提升样品衬底温度,样品表面逐渐转向... 展开更多; 关键词 RHEED mbe stm InAs表面重构模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析被引量：1: 8; 作者周海月赵振 +7 位作者郭祥魏文喆王一罗子江刘健王继红周勋丁召《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期477-481,共5页; 采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_(0.26)Ga_... 展开更多; 关键词分子束外延扫描隧道显微镜退火时间半平台扩散模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究: 9; 作者刘健王一 +6 位作者郭祥王继红罗子江郎啟智赵振周海月丁召《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1413-1417,共5页; 通过分子束外延生长方法,在GaAs(001)衬底上制备生长12周期,16周期,20周期的InGaAs/GaAs量子点,分析了多周期生长的InGaAs/GaAs量子点在16周期下出现较好分布的机理。以及在生长16周期的InGaAs/GaAs量子点下,分析了未退火和退火的初始... 展开更多; 关键词量子点扫描隧道显微镜表面张力分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究被引量：11: 1; 作者罗子江周勋杨再荣贺业全何浩邓朝勇丁召; 机构贵州大学理学院贵州财经学院教育管理学院贵州师范大学物理与电子科学学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期846-849,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60866001) 贵州省委组织部高层人才科研特助资助项目(Z073011 +4 种基金 TZJF-2008-31) 贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目(黔省专合字(2009)114号); 文摘利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相。样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜。; 关键词 mbe RHEED stm InGaAs异质薄膜; Keywords mbe RHEED stm InGaAs heterofilms; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究被引量：7: 2; 作者王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召; 机构贵州大学理学院贵州财经学院教育管理学院贵州师范大学物理与电子科学学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期847-849,853,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60866001) 贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目(黔省专合字(2009)114号) +2 种基金 2010年度贵州财经学院博士基金的资助; 文摘采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失。指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因。; 关键词 GaAs薄膜 mbe RHEED stm 熟化; Keywords GaAs films mbe RHEED stm ostwald ripening; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5: 3; 作者罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召; 机构贵州大学理学院贵州财经学院教育管理学院贵州师范大学物理与电子科学学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2107-2111,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60866001) 贵州省委组织部高层人才科研特助资助项目(TZJF-2008-31) +3 种基金贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2095号); 文摘利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。; 关键词 mbe RHEED stm InGaAs薄膜; Keywords mbe RHEED stm InGaAs; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名In_(0.14)Ga_(0.86)As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析被引量：5: 4; 作者尚林涛罗子江周勋郭祥张毕禅何浩贺业全丁召; 机构贵州大学理学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期256-262,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(60866001) 贵州省委组织部高层人才科研特助项目(TZJF-2006年10号) +1 种基金贵州省留学人员科技项目(黔人项目资助合同(2007)03号); 文摘以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描隧道显微镜分析发现其表面主要由占大多数的4×3及少量的α2(2×4)重构混合而成,并用软件模拟RHEED对实验结果进行了验证。; 关键词反射式高能电子衍射分子束外延扫描隧道显微镜InGaAs表面重构模拟; Keywords RI-IEED, mbe, stm, Surface reconstruction on InGaAs, Simulation; 分类号 N34 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点被引量：3: 5; 作者王继红罗子江周勋丁召; 机构贵州大学大数据与信息工程学院贵州财经大学信息学院贵州师范大学物理与电子科学学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期5023-5027,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(61664005 61564002) +2 种基金黔科合J字[2014]2046号) 贵州省教育厅自然科学研究资助项目(黔教合KY字(2014)265号); 文摘采用间歇式As中断方法利用分子束外延(MBE)生长了不同厚度的InGaAs量子点,并通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)以及扫描隧道显微镜(STM)对其表面进行形貌表征与分析。研究发现间歇式As中断方法有利于改善量子点的均匀性,同时量子点的表面形貌特征由生长温度和沉积厚度决定;量子点沉积厚度越大,量子点面密度越高;在一定生长温度范围内,生长温度越高量子点分布均匀性越强,反之则越弱;研究还发现InGaAs量子点的生长过程中存在3个截然不同的阶段和两种明显的生长模式转变点,3个阶段分别是层状生长阶段、量子点形成阶段和量子点自合并成熟阶段,两种生长模式转变点分别是SK转变和量子点自合并熟化转变。; 关键词间歇式As中断 INGAAS 量子点 mbe/stm; Keywords hydrothermal-assembly route carbon nanotubes nitrogen-doped porous carbon composite energystorage property; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响被引量：3: 6; 作者王一郭祥刘珂黄梦雅魏文喆赵振胡明哲罗子江丁召; 机构贵州大学理学院电子科学系; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期363-366,共4页; 基金国家自然科学基金项目(6086601) 教育部博士点基金项目(20105201110003) 贵州省自然科学基金项目(No.20132092); 文摘利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。; 关键词分子束外延 IN0 86Ga0 14As InAs薄膜扫描隧道显微镜生长厚度; Keywords mbe, InGaAs/InAs, stm, Growth thickness; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InAs(001)表面金属化的转变: 7; 作者尚林涛周勋罗子江张毕禅郭祥丁召; 机构贵州大学理学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期101-104,113,共5页; 基金国家自然科学基金(60866001) 贵州省委组织部高层人才科研特助项目(TZJF-2006年10号) +1 种基金贵州省留学人员科技项目(黔人项目资助合同(2007)03号); 文摘论述了利用分子束外延方法在InAs(001)基片上生长InAs时,样品表面由富As的(2×4)向富In的(4×2)转变的现象。通过控制生长参数生长出了较好的富As(2×4)表面。在As压不足的情况下,轻微的提升样品衬底温度,样品表面逐渐转向富In表面的(4×2)结构,呈现出(3×1)混合相。通过实验分析及软件模拟确定表面(4×2)结构区域已覆盖多达90%,表明样品表面大部分已金属化。; 关键词 RHEED mbe stm InAs表面重构模拟; Keywords RHEED, mbe, stm, surface reconstruction on InAs, simulation; 分类号 N34 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析被引量：1: 8; 作者周海月赵振郭祥魏文喆王一罗子江刘健王继红周勋丁召; 机构贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州财经大学教育管理学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期477-481,共5页; 基金贵州省自然科学基金(黔科合J字[2013]2114号黔科合J字[2014]2046号) +1 种基金贵州大学研究生创新基金资助项目(研理工2015082); 文摘采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面形貌特点。在40 min的热退火后,Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面完全熟化。本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致。; 关键词分子束外延扫描隧道显微镜退火时间半平台扩散模型; Keywords mbe stm Annealing time The half-terrace diffusion theoretical model; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究: 9; 作者刘健王一郭祥王继红罗子江郎啟智赵振周海月丁召; 机构贵州大学大数据与信息工程学院贵州财经大学计算机信息学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1413-1417,共5页; 基金国家自然科学基金项目(61564002) 贵州省自然科学基金项目(黔科合J字[2013]2114号 +1 种基金黔科合J字[2014]2046号) 贵州省教育厅自然科学研究项目(黔科合KY字[2014]265号); 文摘通过分子束外延生长方法,在GaAs(001)衬底上制备生长12周期,16周期,20周期的InGaAs/GaAs量子点,分析了多周期生长的InGaAs/GaAs量子点在16周期下出现较好分布的机理。以及在生长16周期的InGaAs/GaAs量子点下,分析了未退火和退火的初始表面对于量子点分布的影响,未退火处理的衬底生长的InGaAs/GaAs量子点分布更加均匀且有序,量子链延伸得更长。; 关键词量子点扫描隧道显微镜表面张力分子束外延; Keywords Quantum dots stm Surface tension mbe; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究	罗子江周勋杨再荣贺业全何浩邓朝勇丁召	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	11	在线阅读下载PDF 职称材料
2	MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究	王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜	罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	In_(0.14)Ga_(0.86)As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析	尚林涛罗子江周勋郭祥张毕禅何浩贺业全丁召	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点	王继红罗子江周勋丁召	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响	王一郭祥刘珂黄梦雅魏文喆赵振胡明哲罗子江丁召	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	InAs(001)表面金属化的转变	尚林涛周勋罗子江张毕禅郭祥丁召	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析	周海月赵振郭祥魏文喆王一罗子江刘健王继红周勋丁召	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	多周期InGaAs量子点点阵与点链形貌研究	刘健王一郭祥王继红罗子江郎啟智赵振周海月丁召	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料