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MBE生长InGaAs／GaAs应变层单量子阱激光器结构材料的研究
1
作者
林耀望
《半导体情报》
1994年第3期1-5,共5页
采用ＶａｒｉａｎＧｅｎⅡＭＢＥ生长系统研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阶（ＳＳＱＷ）激光器结构材料。通过ＭＢＥ生长实验，探索了Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ｔＡｓ／ＧａＡｓＳＳＱＷ激光器发射波长（λ）与Ｉｎ组分（ｘ...
采用ＶａｒｉａｎＧｅｎⅡＭＢＥ生长系统研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阶（ＳＳＱＷ）激光器结构材料。通过ＭＢＥ生长实验，探索了Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ｔＡｓ／ＧａＡｓＳＳＱＷ激光器发射波长（λ）与Ｉｎ组分（ｘ）和阱宽（Ｌ＿ｚ）的关系，并与理论计算作了比较，两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响，主要包括：Ⅴ／Ⅲ束流比，量子阱结构的生长温度Ｔ＿ｇ（ＱＷ），生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础，通过优化器件结构和ＭＢＥ生长条件，获得了性能优异的Ｉｎ＿（０．２）Ｇａ＿（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阱激光器：其次长为９６３ｎｍ，阈值电流密度为１３５Ａ／ｃｍ￣２，微分量子效率为３５．１％。
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关键词
分子束外延
量子阱激光器
激光材料
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职称材料
InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用
被引量：
2
2
作者
刘安平
韩伟峰
+1 位作者
黄茂
罗庆春
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期1665-1667,共3页
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱...
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果。
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关键词
金属有机物
化学气相淀积
应变量子阱
半导体激光器
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职称材料
In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响
被引量：
6
3
作者
叶志成
舒永春
+5 位作者
曹雪
龚亮
姚江宏
皮彪
邢晓东
许京军
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期164-168,共5页
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。...
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。
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关键词
分子束外延
ingaas/
gaas
应变量子阱
变温光致发光
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职称材料
题名
MBE生长InGaAs／GaAs应变层单量子阱激光器结构材料的研究
1
作者
林耀望
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《半导体情报》
1994年第3期1-5,共5页
文摘
采用ＶａｒｉａｎＧｅｎⅡＭＢＥ生长系统研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阶（ＳＳＱＷ）激光器结构材料。通过ＭＢＥ生长实验，探索了Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ｔＡｓ／ＧａＡｓＳＳＱＷ激光器发射波长（λ）与Ｉｎ组分（ｘ）和阱宽（Ｌ＿ｚ）的关系，并与理论计算作了比较，两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响，主要包括：Ⅴ／Ⅲ束流比，量子阱结构的生长温度Ｔ＿ｇ（ＱＷ），生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础，通过优化器件结构和ＭＢＥ生长条件，获得了性能优异的Ｉｎ＿（０．２）Ｇａ＿（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变层单量子阱激光器：其次长为９６３ｎｍ，阈值电流密度为１３５Ａ／ｃｍ￣２，微分量子效率为３５．１％。
关键词
分子束外延
量子阱激光器
激光材料
Keywords
mbe
,
ingaas/gaas
,
strained single quantum well laser
分类号
TN244 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用
被引量：
2
2
作者
刘安平
韩伟峰
黄茂
罗庆春
机构
重庆大学应用物理系
重庆光电技术研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期1665-1667,共3页
基金
中央高校基本科研业务费资金资助课题(CDJRC10100003)
文摘
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱,通过优化生长条件和采用应变缓冲层结构获得量子阱,将该量子阱结构应用于1 054 nm激光器的制备。经测试该器件具有9 mA低阈值电流和0.4 W/A较高的单面斜率效率,在驱动电流为50 mA时测得该应变量子阱光谱半宽为1.6nm,发射波长为1 054 nm。实验表明:通过优化工艺条件和采用应变缓冲层等手段,改善了应变量子阱质量,该结果应用于1 054 nm激光器的制备,取得了较好的结果。
关键词
金属有机物
化学气相淀积
应变量子阱
半导体激光器
Keywords
metal-organic
chemical vapor deposition
ingaas/gaas
strained
quantum
well
semiconductor
laser
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响
被引量：
6
3
作者
叶志成
舒永春
曹雪
龚亮
姚江宏
皮彪
邢晓东
许京军
机构
南开大学泰达应用物理学院弱光非线性教育部重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期164-168,共5页
基金
天津应用基础研究基金(06YFJZJC01100
08JCYBJC14800)
国家"863"计划(2006AA03Z413)资助项目
文摘
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。
关键词
分子束外延
ingaas/
gaas
应变量子阱
变温光致发光
Keywords
mbe
ingaas/gaas
strained
quantum
wells
variable-temperature photoluminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MBE生长InGaAs／GaAs应变层单量子阱激光器结构材料的研究
林耀望
《半导体情报》
1994
0
在线阅读
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职称材料
2
InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1054nm激光器中的应用
刘安平
韩伟峰
黄茂
罗庆春
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
在线阅读
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职称材料
3
In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响
叶志成
舒永春
曹雪
龚亮
姚江宏
皮彪
邢晓东
许京军
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
6
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职称材料
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