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带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵被引量：4: 1; 作者方高瞻肖建伟 +4 位作者马骁宇谭满清刘宗顺刘素平冯小明《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第12期9-11,共3页; 报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的... 展开更多; 关键词非注入区 COD gaas/algaas 激光二级管列阵腔面固件激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器: 2; 作者刘晓娟傅汝廉 +2 位作者卓然然薛兵招方涛《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1578-1581,共4页; 用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运... 展开更多; 关键词激光二极管阵列(LDA) As^+离子注入gaas 调Q锁模 Nd:YVO1晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

泵浦用高平均功率二极管激光器研制被引量：4: 3; 作者武德勇吕文强 +4 位作者魏彬高松信李奇峰蔡震唐淳《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B04期56-58,共3页; 针对高平均功率线阵二极管激光器(DL )芯片的工作要求,开展了相应的封装结构设计和高效冷却技术研究。封装的单条线阵DL连续输出激光功率50 W,工作寿命达到5 000 h,10%占空比准连续输出激光脉冲功率150 W,25%占空比准连续输出激光脉冲功... 展开更多; 关键词二极管激光器叠阵占空比; 在线阅读下载PDF 职称材料

准连续5kW叠层激光二极管列阵: 4; 作者方高瞻肖建伟 +3 位作者马骁宇谭满清冯小明潘贵生《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第5期41-44,共4页; 报导了 5kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果。通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构。 1cm激光条的填充密度是70 %。采用 80个激光条叠层封装 ,激光条间距是 0 5mm ,功率密度达 1 2 5kW /cm2 ,... 展开更多; 关键词激光二极管列阵 gaas/algaas 准连续叠层固体激光器砷化镓砷铝镓化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵被引量：4: 1; 作者方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平冯小明; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第12期9-11,共3页; 基金国家杰出青年基金资助项目; 文摘报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高 4 0 %。器件在连续 15W下恒功老化 ,工作寿命超过 50 0 0h。; 关键词非注入区 COD gaas/algaas 激光二级管列阵腔面固件激光器; Keywords laser diode arrays, Non injection regions, COD, gaas/algaas; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器: 2; 作者刘晓娟傅汝廉卓然然薛兵招方涛; 机构山东理工大学物理与光电信息技术学院南开大学现代光学研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1578-1581,共4页; 基金国家自然科学基金(60577015)资助; 文摘用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运转阶段,初始透过率60%的GaAs晶片对调Q包络内的锁模脉冲的调制深度达到95%以上,锁模脉冲重复频率991MHz.研究了加在LDA上的电压、方波脉冲的脉宽和重复频率对调Q锁模脉冲特性的影响,并对实验结果进行了讨论.; 关键词激光二极管阵列(LDA) As^+离子注入gaas 调Q锁模 Nd:YVO1晶体; Keywords diode laser array（LDA） As^＋ ion-implanted gaas Q-switching mode locking Nd： YVO4 crystal; 分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名泵浦用高平均功率二极管激光器研制被引量：4: 3; 作者武德勇吕文强魏彬高松信李奇峰蔡震唐淳; 机构中国工程物理研究院应用电子学研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B04期56-58,共3页; 基金中国工程物理研究院基金资助课题; 文摘针对高平均功率线阵二极管激光器(DL )芯片的工作要求,开展了相应的封装结构设计和高效冷却技术研究。封装的单条线阵DL连续输出激光功率50 W,工作寿命达到5 000 h,10%占空比准连续输出激光脉冲功率150 W,25%占空比准连续输出激光脉冲功率100 W,工作寿命达到5×109 次脉冲。采用模块式封装方式由25个模块堆叠,制作出了连续激光功率1 kW和20%占空比工作脉冲功率2.5 kW的叠阵二极管激光器。; 关键词二极管激光器叠阵占空比; Keywords diode laser stack arrays Duty cycle; 分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名准连续5kW叠层激光二极管列阵: 4; 作者方高瞻肖建伟马骁宇谭满清冯小明潘贵生; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第5期41-44,共4页; 文摘报导了 5kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果。通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构。 1cm激光条的填充密度是70 %。采用 80个激光条叠层封装 ,激光条间距是 0 5mm ,功率密度达 1 2 5kW /cm2 ,峰值波长是 80 9 0nm ,谱线宽度是 4 8nm。; 关键词激光二极管列阵 gaas/algaas 准连续叠层固体激光器砷化镓砷铝镓化合物; Keywords laser diode arrays, stack, gaas/algaas; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵	方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平冯小明	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2000	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器	刘晓娟傅汝廉卓然然薛兵招方涛	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	泵浦用高平均功率二极管激光器研制	武德勇吕文强魏彬高松信李奇峰蔡震唐淳	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	准连续5kW叠层激光二极管列阵	方高瞻肖建伟马骁宇谭满清冯小明潘贵生	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料