AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文) 被引量：2

1

作者 李永富 唐恒敬 +5 位作者 朱耀明 李淘 殷豪 李天信 李雪 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期401-405,共5页

为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束... 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流（LBIC）技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间. 展开更多

关键词 扫描电容显微镜(SCM) 激光束诱导电流(lbic) 光生载流子扩散 保护环 INP/INGAAS

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飞秒激光对P型碲镉汞打孔的形貌和PN结特性研究 被引量：4

2

作者 周松敏 查访星 +4 位作者 郭青天 殷菲 李茂森 马洪良 张波 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期337-341,共5页

激光束诱导电流(LBIC)检测实验表明,飞秒激光刻蚀P型碲镉汞形成的孔洞结构具有PN结特性.实验研究了激光刻蚀功率、激光聚焦透镜数值孔径等参数对刻蚀孔形貌的影响,发现在较低的激光功率范围内,孔径与激光功率基本呈线性关系.刻蚀孔反型... 激光束诱导电流(LBIC)检测实验表明,飞秒激光刻蚀P型碲镉汞形成的孔洞结构具有PN结特性.实验研究了激光刻蚀功率、激光聚焦透镜数值孔径等参数对刻蚀孔形貌的影响,发现在较低的激光功率范围内,孔径与激光功率基本呈线性关系.刻蚀孔反型层的厚度也与激光功率基本呈线性关系,但不同激光功率刻蚀所形成孔结构的LBIC信号强度的改变不大.另外,还研究了刻蚀激光在材料中聚焦深度对刻蚀孔LBIC信号的影响,发现该因素的影响并不明显. 展开更多

关键词 碲镉汞 PN结 激光束诱导电流 飞秒激光打孔

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HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究 被引量：1

3

作者 陈贵宾 全知觉 +1 位作者 王少伟 陆卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期595-598,共4页

报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提... 报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小. 展开更多

关键词 离子注入 P-N结 激光束诱导电流谱(lbic) 扩散长度

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离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度 被引量：1

4

作者 徐国庆 刘向阳 +5 位作者 王仍 储开慧 汤亦聃 乔辉 贾嘉 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期477-480,共4页

用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的... 用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小;当汞空位浓度一定时,n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加. 展开更多

关键词 激光诱导电流 p型HgCdTe Ar+离子束刻蚀 转型宽度

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连续激光辐照硅太阳电池损伤特性的光束诱导电流表征 被引量：1

5

作者 陆健 谢知健 张宏超 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第2期86-93,共8页

针对连续激光辐照硅太阳能电池的损伤特性,采用光束诱导电流(LBIC)成像方法进行表征,并对其毁伤特性进行了分析。首先采用波长为1070 nm的连续激光聚焦在硅太阳能电池表面,诱导太阳能电池产生损伤,再通过LBIC系统扫描得到激光辐照区域... 针对连续激光辐照硅太阳能电池的损伤特性,采用光束诱导电流(LBIC)成像方法进行表征,并对其毁伤特性进行了分析。首先采用波长为1070 nm的连续激光聚焦在硅太阳能电池表面,诱导太阳能电池产生损伤,再通过LBIC系统扫描得到激光辐照区域的光电流分布图,进而分析太阳能电池的损伤情况。为了表征不同深度下太阳能电池的损伤情况,LBIC测量系统分别采用650 nm和980 nm波长激光作为探测光源。结果表明,1070 nm连续激光辐照硅太阳能电池非栅线部位时,太阳能电池损伤首先发生在内部;随着功率密度的增加,在太阳能电池表面熔融前,电池内部已经产生了失效区域。当激光辐照太阳能电池栅线时,栅线会发生熔断,导致辐照位置远离电极引线一侧的光电流下降;严重时会使太阳能电池产生垂直于栅线的裂纹,使远离电极引线一侧的电池失效。该研究成果可为连续激光辐照太阳能电池损伤机理研究提供参考。 展开更多

关键词 激光损伤 硅太阳能电池 连续激光 光束诱导电流 表面形貌

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斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测

6

作者 董小兵 张少云 徐传骧 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期623-626,共4页

采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较... 采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高. 展开更多

关键词 硅器件 表面耗尽区 光感生电流

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激光束诱导电流谱技术表征红外器件几何结构

7

作者 陈贵宾 全知觉 陆卫 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第1期12-15,共4页

硼离子注入p型HgcdTe薄膜材料制备的光伏型红外探测器光敏元实际面积对器件结构的优化设计、器件性能研究具有重要意义．通过高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段获取 HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,结果表明离子注... 硼离子注入p型HgcdTe薄膜材料制备的光伏型红外探测器光敏元实际面积对器件结构的优化设计、器件性能研究具有重要意义．通过高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段获取 HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,结果表明离子注入形成的n型区域的面积明显大于离子实际注入的区域面积。 展开更多

关键词 激光束诱导电流谱 探测器单元

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飞秒激光脉冲数对P型HgCdTe激光打孔成结效果的影响 被引量：1

8

作者 潘晨博 陈熙仁 +3 位作者 公民 戴晔 邵军 查访星 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期52-56,共5页

飞秒激光对p型Hg Cd Te打孔形成PN结.该实验基于1 k Hz低重复频率飞秒激光采用不同脉冲数在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔结构.实验发现脉冲数是影响成结效果的重要参数.激光诱导电流(LBIC)检测表明,随着脉冲数由单个增至10个,... 飞秒激光对p型Hg Cd Te打孔形成PN结.该实验基于1 k Hz低重复频率飞秒激光采用不同脉冲数在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔结构.实验发现脉冲数是影响成结效果的重要参数.激光诱导电流(LBIC)检测表明,随着脉冲数由单个增至10个,微孔侧壁反型层宽度由13.5μm减小到10.5μm.当脉冲数增大至100个时,微孔LBIC信号曲线已严重偏离PN结所对应的正负峰对称线形,意味着结特性趋于失效.对LBIC曲线拟合表明,单脉冲打孔形成的PN结给出最大的载流子扩散长度,约为17μm,而10个脉冲对应的环孔PN结扩散长度则减小为12μm. 展开更多

关键词 碲镉汞 PN结 激光束诱导电流 飞秒激光打孔

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激光束感应电流法研究HgCdTe电活性缺陷和焦平面器件的光电特性 被引量：1

9

作者 茅文英 孙全 +2 位作者 褚君浩 赵军 王令名 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期259-262,共4页

用高分辨率的、非破坏的光学表征技术的激光束感应电流研究碲镉汞 (MCT)晶片中电活性缺陷和光伏型红外碲镉汞焦平面器件及光伏型硅光电器件 P- N结光电特性 ,实验表明在 MCT晶片中探测到激光束感应电流 ,在光伏型 P- N结构的器件中 ,观... 用高分辨率的、非破坏的光学表征技术的激光束感应电流研究碲镉汞 (MCT)晶片中电活性缺陷和光伏型红外碲镉汞焦平面器件及光伏型硅光电器件 P- N结光电特性 ,实验表明在 MCT晶片中探测到激光束感应电流 ,在光伏型 P- N结构的器件中 ,观察到周期结构的激光束感应电流分布 .定性地观察激光束感应电流图谱以及定量地分析单个 P- 展开更多

关键词 红外焦平面器件 P-N结 激光束感应电流 光电特性 红外探测器

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HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法

10

作者 翁彬 周松敏 +3 位作者 王溪 陈奕宇 李浩 林春 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期54-59,共6页

报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区... 报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致. 展开更多

关键词 HGCDTE 激光束诱导电流 Ⅰ-Ⅴ测试 B+离子注入 干法刻蚀

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显微激光诱导电流技术研究进展

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作者 吕磊 苏丹 +4 位作者 杨毅 王善江 周桓立 刘肇国 张彤 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第12期201-212,共12页

随着光电器件的研究步入微米/纳米尺度,显微激光诱导电流(LBIC)技术作为一种半导体器件的无损、快速、可成像的表征技术得到迅速发展。显微LBIC技术可表征局域光照激励下器件的光电转换性能,起初被用于检测器件中的不均匀性或缺陷。近年... 随着光电器件的研究步入微米/纳米尺度,显微激光诱导电流(LBIC)技术作为一种半导体器件的无损、快速、可成像的表征技术得到迅速发展。显微LBIC技术可表征局域光照激励下器件的光电转换性能,起初被用于检测器件中的不均匀性或缺陷。近年来,将显微LBIC技术与其他显微成像技术相关联,进行器件多物理参量的综合表征,为研究微纳尺度上的材料-结构-器件性能关系提供了有效手段。基于这一表征手段的进步,光伏器件中微观晶体结构与性能的关系研究、全新机理的低维光伏/探测器件研究、以及微纳结构的光伏/探测增强研究等均得到了蓬勃发展。文中综述了显微LBIC技术的研究进展,首先介绍显微LBIC的基本模型及分类,随后聚焦于LBIC与其他多种显微成像的关联表征技术,并探讨该类技术在光伏器件和光电探测器件研究方面的应用。最后展望了显微LBIC及其关联成像技术的未来发展方向。 展开更多

关键词 激光诱导电流 微纳结构 光伏器件 光电探测器件

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碲镉汞激光线刻蚀研究

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作者 张赫 蒋鸿儒 潘晨博 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第10期1359-1362,共4页

飞秒激光对碲镉汞(HgCdTe)材料刻蚀形成PN结。文章进行了飞秒激光刻蚀试验,使用1 kHz飞秒激光在P型HgCdTe上刻蚀形成线刻蚀区域,并采用激光束诱导电流(laser beam induced current,LBIC)技术对刻蚀区域进行光电流性质探测。试验结果表明... 飞秒激光对碲镉汞(HgCdTe)材料刻蚀形成PN结。文章进行了飞秒激光刻蚀试验,使用1 kHz飞秒激光在P型HgCdTe上刻蚀形成线刻蚀区域,并采用激光束诱导电流(laser beam induced current,LBIC)技术对刻蚀区域进行光电流性质探测。试验结果表明,LBIC扫描信号的峰形表现出明显的方向性,刻线两侧的光电流信号存在明显差异。 展开更多

关键词 碲镉汞(HgCdTe) PN结 激光束诱导电流(lbic) 飞秒激光打孔 脉冲时间

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