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高品质LaAlO_3-SrTiO_3系陶瓷微波介电性能的研究 被引量:5
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作者 黄春娥 沈春英 丘泰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2057-2061,共5页
采用固相反应法制备了高品质(1-x)LaAlO3-xSrTiO3(x=0.54~0.63)系列微波介质陶瓷,研究了SrTiO3含量对LaAlO3-SrTiO3系陶瓷结构与性能的影响。结果表明:当x取0.54~0.63时,LaAlO3与SrTiO3形成了赝立方钙钛矿结构固溶体;在最佳工艺条件下... 采用固相反应法制备了高品质(1-x)LaAlO3-xSrTiO3(x=0.54~0.63)系列微波介质陶瓷,研究了SrTiO3含量对LaAlO3-SrTiO3系陶瓷结构与性能的影响。结果表明:当x取0.54~0.63时,LaAlO3与SrTiO3形成了赝立方钙钛矿结构固溶体;在最佳工艺条件下,试样结构致密,无气孔,晶界清晰;随着x值的增大,陶瓷的体积密度由5.45g/cm3降至5.28 g/cm3,εr由38.9增大到约48.35,τf由-12×10-6/℃增大至.19×10-6/℃,品质因数Q·f则由75057 GHz降至48629 GHz。当x=0.6时,材料在1550℃下保温3 h获得最佳的微波介电性能:εr=45.27,Q·f=57677 GHz,τf=+1×10-6/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介电性能 srtio3 laalo3
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LaAlO_3/SrTiO_3界面的电子结构及光学性质的第一性原理研究 被引量:2
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作者 唐明君 杨仕清 +2 位作者 梁桃华 杨清学 刘科 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期665-669,共5页
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合局域密度近似(LDA)研究了钙钛矿结构氧化物LaAlO3/SrTiO3界面的电子结构及光学性质.能带结构分析表明当形成(AlO2)-/(TiO2)0界面时其禁带宽度为1.888eV,呈现绝缘体的性质... 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合局域密度近似(LDA)研究了钙钛矿结构氧化物LaAlO3/SrTiO3界面的电子结构及光学性质.能带结构分析表明当形成(AlO2)-/(TiO2)0界面时其禁带宽度为1.888eV,呈现绝缘体的性质,当形成(LaO)+/(SrO)0界面时其禁带宽度为0.021eV,呈现半导体或半金属性质.同时,对不同界面的光学性质也进行了研究,结果表明纯相的LaA-lO3和SrTiO3的吸收系数、反射系数及能量损失谱强度明显高于由这两种单质形成不同界面的强度. 展开更多
关键词 laalo3 srtio3界面 电子结构 光学性质 第一性原理
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V_2O_5掺杂对0.6SrTiO_3-0.4LaAlO_3微波介质陶瓷结构与性能的影响
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作者 黄春娥 陆小荣 +1 位作者 陆旻瑶 宦媛 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期514-518,共5页
采用固相反应法,研究了V_2O_5添加量与0.6SrTiO_3-0.4LaAlO_3(简称6ST-4LA)陶瓷烧结性能及介电性能之间的变化关系。结果表明:少量V_2O_5的引入未改变陶瓷的晶相组成,主晶相仍为SrTiO_3基固溶体,适量添加V_2O_5不仅能显著降低6ST-4LA陶... 采用固相反应法,研究了V_2O_5添加量与0.6SrTiO_3-0.4LaAlO_3(简称6ST-4LA)陶瓷烧结性能及介电性能之间的变化关系。结果表明:少量V_2O_5的引入未改变陶瓷的晶相组成,主晶相仍为SrTiO_3基固溶体,适量添加V_2O_5不仅能显著降低6ST-4LA陶瓷的烧结温度,而且能增大其介电常数和品质因数(Q·f),调节谐振频率温度系数τf;随着V_2O_5添加量的继续增加,有第二相SrVO_3出现并逐渐增多。当V_2O_5添加量为0.10wt%,1450℃烧结时,6ST-4LA陶瓷获得最佳微波介电性能:εr=46.46,Q·f=59219 GHz,τf=3×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 0.6srtio3-0.4laalo3 V2O5 微波介质陶瓷 介电常数
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BaTiO_3/SrTiO_3超晶格的微结构研究
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作者 刘飞 郑冰 +3 位作者 佟富强 高丽娟 于文学 郑伟涛 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期322-324,共3页
本实验研究利用激光分子束外延法 (L%DMBE)研究在SrTiO3(STO) (0 0 1)基片上生长的BaTiO3(BTO) /SrTiO3(STO)超晶格的微结构 .利用小角X射线衍射光谱 (SAXRD)的计算机模拟来获得BaTiO3/SrTiO3 超晶格的微结构参数 ,如 :总的膜厚度、超... 本实验研究利用激光分子束外延法 (L%DMBE)研究在SrTiO3(STO) (0 0 1)基片上生长的BaTiO3(BTO) /SrTiO3(STO)超晶格的微结构 .利用小角X射线衍射光谱 (SAXRD)的计算机模拟来获得BaTiO3/SrTiO3 超晶格的微结构参数 ,如 :总的膜厚度、超晶格周期、表面和界面的均方根粗糙度等 .实验结果表明超晶格的表面和界面非常平整 ,均方根粗糙度大约为 0 .2nm .原子力显微镜 (AFM )的实验研究已经证明了超晶格结构的平滑程度 .超晶格的〈0 0 展开更多
关键词 BaTiO3/srtio3超晶格 小角X射线衍射 表面 界面 微结构 均方根粗糙度 钛酸钡 钛酸锶 铁电体 介电体
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LaAlO_3/GaAs异质结界面的空穴导电行为分析
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作者 毛田田 廖锡龙 +3 位作者 杨云龙 荔静 熊昌民 王登京 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2018年第6期429-433,共5页
采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO_3薄膜构成LaAlO_3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO_3/GaAs异质结进行表征,并通过PPMS对LaAlO_3/GaAs异质结进行面内电阻和霍尔电阻测试,研究其界面电输运性能。结果表明,... 采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO_3薄膜构成LaAlO_3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO_3/GaAs异质结进行表征,并通过PPMS对LaAlO_3/GaAs异质结进行面内电阻和霍尔电阻测试,研究其界面电输运性能。结果表明,LaAlO_3在GaAs表面生长均匀,LaAlO_3/GaAs异质结界面处存在空穴型的导电行为,且该空穴来源于界面处的悬空键效应。 展开更多
关键词 laalo3 GAAS 异质结界面 空穴导电 电输运
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