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LPE碲镉汞薄膜的显微Raman谱与显微荧光谱分析 被引量:2
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作者 黄晖 唐莹娟 +2 位作者 许京军 张存洲 张光寅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期261-264,共4页
利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd0 96Zn0 04Te衬底上生长的Hg0 8Cd0 2Te外延薄膜样品,在100~5000cm-1光谱范围进行测量,在实验曲线中除了观察到与碲镉汞材料晶格振动相符的类 HgTe的光学振动横模(TO1模)和纵模(LO1模)... 利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd0 96Zn0 04Te衬底上生长的Hg0 8Cd0 2Te外延薄膜样品,在100~5000cm-1光谱范围进行测量,在实验曲线中除了观察到与碲镉汞材料晶格振动相符的类 HgTe的光学振动横模(TO1模)和纵模(LO1模)的Raman散射峰、类 CdTe光学振动横模(TO2模)和纵模(LO2模)混合的Raman散射峰以及来源于TO1+LO1的二级Raman散射峰外,在1000~5000cm-1光谱范围首次发现了LPE碲镉汞薄膜的显微荧光峰,该显微荧光的发光范围换算为电子伏特标度为1 34~1 83eV,发光中心位于2750cm-1即1 62eV,发光峰的半高宽(FWHM)约为0 25eV。通过分析指出,该显微荧光来源于碲镉汞外延层中阴性离子空位与材料导带底的共振能级的发光。 展开更多
关键词 lpe碲镉汞薄膜 显微Raman谱 显微荧光谱 液相外延 红外探测器 光学振动
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管道3LPE防腐蚀层补口失效原因及建议 被引量:11
2
作者 孙海明 刘立群 张海雷 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2016年第1期60-63,67,共5页
根据调研,管道3LPE补口失效主要以密封失效和底漆失效为主,分析了其失效的主要原因;针对失效的原因,提出了五种热收缩带补口技术的改进措施。同时,面对热收缩带不可避免的失效问题,通过调研多个现场开挖验证实例,分析并对比了多种新型3... 根据调研,管道3LPE补口失效主要以密封失效和底漆失效为主,分析了其失效的主要原因;针对失效的原因,提出了五种热收缩带补口技术的改进措施。同时,面对热收缩带不可避免的失效问题,通过调研多个现场开挖验证实例,分析并对比了多种新型3LPE补口技术的应用及检测结果。有助于全面认识热收缩带补口技术,并为后续管道工程中3LPE防腐蚀层补口方法的选择和改进提供多种思路。 展开更多
关键词 密封失效 底漆失效 干膜安装 新型3lpe补口技术
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红外光谱法检测LPE In_(1-x)Gal_xA syP_(1-y)晶体质量优劣的研究
3
作者 刘益春 孙跃东 齐秀英 《东北师大学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第3期28-30,共3页
通过红外光谱检测LPEInGaAsP材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性,对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析,并同X-射线双晶衍射的测量结果进行了对比,二者具有... 通过红外光谱检测LPEInGaAsP材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性,对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析,并同X-射线双晶衍射的测量结果进行了对比,二者具有很好的一致性.实验结果证明,光致发光方法是判断LPE晶体质量简单而有效的方法. 展开更多
关键词 红外光谱 lpe INGAASP 半导体 晶体质量
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在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响
4
作者 王永珍 金长春 吕贵进 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期153-155,共3页
采用LPE技术,生长出InAsPSb外延层,研究了降温、恒温两种方法对外延层组分分布的影响.结果表明,用恒温方法生长时,外延层中P、Sb组分分布较为均匀,在脉冲电流激发下,得到了3.09μm激光输出.
关键词 lpe INASPSB 降温和恒温 组分分布
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EBIC测定GaPLPE样片的少子扩散长度
5
作者 李永良 杨锡震 +2 位作者 周燕 李承基 李蕴言 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期581-582,共2页
关键词 EBIC 半导体 磷化铟 lpe样片 分子扩散长度
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基于离体模型研究推测荸荠蒸制中LPC(18:1)和LPE(18:1)形成壬醛和癸醛的机制 被引量:1
6
作者 罗秀娟 罗杨合 +4 位作者 李官丽 黎小椿 张奕涛 聂辉 伍淑婕 《食品工业科技》 CAS 北大核心 2023年第18期123-130,共8页
模拟荸荠的pH、油酸酰溶血磷脂酰胆碱18:1(LPC(18:1))和油酸酰溶血磷脂乙醇胺18:1(LPE(18:1))含量及荸荠蒸制条件,构建LPC(18:1)、LPE(18:1)和油酸的离体模型,以离体模型生成的壬醛、癸醛和油酸的含量以及过氧化值(POV)作为指标,探讨荸... 模拟荸荠的pH、油酸酰溶血磷脂酰胆碱18:1(LPC(18:1))和油酸酰溶血磷脂乙醇胺18:1(LPE(18:1))含量及荸荠蒸制条件,构建LPC(18:1)、LPE(18:1)和油酸的离体模型,以离体模型生成的壬醛、癸醛和油酸的含量以及过氧化值(POV)作为指标,探讨荸荠蒸制中LPC(18:1)和LPE(18:1)生成壬醛和癸醛的机制。结果表明,LPC(18:1)和LPE(18:1)氧化形成壬醛和癸醛的可能机制如下:LPC(18:1)和LPE(18:1)的不饱和酰基链上紧靠双键的C8位和C11位分别失去H,形成R·;R·可直接与O_(2)和H反应形成8-氢过氧化物(8-ROOH),或经电子重排后再与O_(2)和H反应形成9-氢过氧化物(9-ROOH)和10-氢过氧化物(10-ROOH);其中8-ROOH均裂形成癸醛,9-ROOH和10-ROOH的均裂形成壬醛。研究结果可为果蔬风味物质形成机制研究和风味品质调控提供科学参考。 展开更多
关键词 荸荠 油酸酰溶血磷脂酰胆碱18:1(LPC(18:1)) 油酸酰溶血磷脂酰乙醇胺18:1(lpe(18:1)) 壬醛 癸醛 形成机制
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GaP:N LPE片的位错对发光亮度的影响
7
作者 李桂英 李永良 +2 位作者 王亚非 杨锡震 孙寅官 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期4-6,共3页
用化学腐蚀配合扫描电镜(SEM)对几种不同来源的国产GaPN液相外延(LPE)材料及各自的衬底的位错密度ND和发光亮度进行了测量.结果表明:样品的发光亮度随LPE层的ND降低而升高,降低衬底的ND可降低LPE层的ND.
关键词 位错密度 发光二极管 lpe 发光性能 磷化镓
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过冷度对Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs LPE生长的影响
8
作者 徐自亮 徐万劲 +2 位作者 李力 杨澄清 刘弘度 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期600-603,共4页
计算了Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs与GaAs晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长AlGaInPAs/GaAs所用母液中Al的分凝系数。实验证明,由于Al的分凝,使过冷度对Al-GaInPAs外延层的固相组... 计算了Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs与GaAs晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长AlGaInPAs/GaAs所用母液中Al的分凝系数。实验证明,由于Al的分凝,使过冷度对Al-GaInPAs外延层的固相组分有显著影响,但对外延层的其他性质没有影响。 展开更多
关键词 五元系 AlGaInPAs 半导体 化合物 lpe
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稀土类掺杂YIG磁光单晶薄膜的LPE生长 被引量:2
9
作者 龙兴武 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期279-285,共7页
本文探讨了稀土类掺杂YIG磁光单晶薄膜的LPE生长问题,特别是磁镜偏频激光陀螺所用磁膜的工艺配方及生长规律,对影响磁光效应的各类工艺参数及元素掺杂也进行了讨论。
关键词 钇铁石榴石 掺杂 液相外延 磁光薄膜 薄膜
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NONDESTRUCTIVE BAND-GAP PROFILE DETERMINATION OF HgCdTe LPE GROWN LAYERS 被引量:1
10
作者 Z.F.Ivasiv F.F.Sizov 等 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期81-86,共6页
Infrared transmission and photoconductivity spectra of mercury cadmium telluride (MCT) epitaxial layers, grown by liquid phase epitaxy (LPE) on CdTe and CdZnTe wide band gap substrates, were investigated both theoreti... Infrared transmission and photoconductivity spectra of mercury cadmium telluride (MCT) epitaxial layers, grown by liquid phase epitaxy (LPE) on CdTe and CdZnTe wide band gap substrates, were investigated both theoretically and experimentally at temperatures T =82 K and T =300 K in the infrared (IR) wavelength region 3 15 μm. The photoresponse position of the diodes was determined at cryogenic temperatures from the transmission spectra of room temperature. Theoretical calculations of optical density D(h-ω), needed for analysis of experimental optical transmission data, were performed in the framework of WKB approximation. 展开更多
关键词 HGCDTE 汞镉碲化合物 外延生长 红外探测 lpe 液相外延
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N型LPE和VPE-GaAs电子辐照缺陷能级的研究
11
作者 胡雨生 《应用科学学报》 CAS CSCD 1992年第3期199-205,共7页
用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)GaAs层逐次引入的缺陷和400—500K温区等时退火行为.讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后缺陷浓度N_T的变化,以... 用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)GaAs层逐次引入的缺陷和400—500K温区等时退火行为.讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后缺陷浓度N_T的变化,以及根据L^2/D对N_T^(-1)作图来判别电照引入的“E”缺陷能级中对少子寿命起主要控制作用的复合中心能级. 展开更多
关键词 电子辐照 砷化镓 缺陷能级 lpe
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LPEInAsPSb外延层组分分布的均匀性的研究
12
作者 王永珍 金长春 吕贵进 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期58-61,共4页
本文采用LPE生长技术,分析、研究了降温、恒温两种方法生长的InAsPSb外延层组分分布。实验结果表明,用恒温方法生长的外延层,P、Sb组分分布均匀不变。
关键词 化合物半导体 外延生长 外延层分布 均匀性
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绒面单晶硅光伏用薄膜的LPE生长
13
作者 FaveA 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期49-49,共1页
关键词 绒面单晶硅 光伏 薄膜 lpe生长 太阳能电池
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超薄溶液LPE技术生长GaInAsP/InP超晶格的理论与实验
14
作者 李洵 陈根祥 简水生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期70-77,共8页
本文由有限厚度溶液及自由表面浓度和恒定表面浓度二种模型出发对LPE生长动力学过程进行了理论分析,并导出了实现薄层生长的参数控制条件,根据这一条件用LPE技术实际生长了GaInAsP/InP超晶格,570℃下用突冷法及... 本文由有限厚度溶液及自由表面浓度和恒定表面浓度二种模型出发对LPE生长动力学过程进行了理论分析,并导出了实现薄层生长的参数控制条件,根据这一条件用LPE技术实际生长了GaInAsP/InP超晶格,570℃下用突冷法及被压缩到200μm~500μm的薄层溶液在0.2s的驻留时间内分别重复长出了5nm(Ga0.40In0.60As0.89P0.11)和10nm(InP)的超晶格,证明了用重复推拉舟的LPE系统在一定的参数条件下可以生长MQW结构. 展开更多
关键词 液相外延 量子阱 超晶格 GAINASP INP
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LPE Ga_(1-x)Al_xAs中Al组分分布
15
作者 沈耀文 《发光学报》 EI CAS 1979年第Z1期116-121,共6页
用理想溶液模型简化计算了GaAlAs三元系在富Ga角的相图,用作图法确定降温过程中液相组分变化的沉积路程(简称DP线),分析了母液配方,外延温区和生长速率对外延层中分布的影响。
关键词 lpe Ga x)Al_xAs 生长速率 组分分布 AL 降温过程 外延层 理想溶液模型 GA
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液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善 被引量:7
16
作者 吴军 毛旭峰 +2 位作者 万志远 李沛 韩福忠 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第12期973-975,共3页
由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边缘2.5 mm)以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高,增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波... 由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边缘2.5 mm)以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高,增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波碲镉汞材料(?1/2(77 K)=4.8?m)?x≤0.001,与国外水平相当。 展开更多
关键词 石墨舟 碲镉汞 组分均匀性 lpe
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热收缩带机械化补口技术在长输油气管道建设上的应用 被引量:13
17
作者 朱琳 白树彬 +3 位作者 徐昌学 钟婷 张国栋 何岚 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2016年第11期929-931,946,共4页
热收缩带补口施工质量影响着补口的长期可靠性,针对手工补口存在施工困难、补口质量不稳定等问题,开发了机械化补口装备。实践经验表明,开发的机械化补口装备能完成喷砂、预热、收缩到回火等工序的机械化操作,有效保证了热收缩带作为3LP... 热收缩带补口施工质量影响着补口的长期可靠性,针对手工补口存在施工困难、补口质量不稳定等问题,开发了机械化补口装备。实践经验表明,开发的机械化补口装备能完成喷砂、预热、收缩到回火等工序的机械化操作,有效保证了热收缩带作为3LPE补口材料的安装质量。 展开更多
关键词 热收缩带 补口 机械化 3lpe
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La_3Ga_5SiO_(14)单晶的生长、性能及SAW应用 被引量:14
18
作者 武安华 徐家跃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期559-564,共6页
本文综述了新型压电晶体La3 Ga5SiO14 的最新研究进展 ,详细讨论了该晶体的生长问题 ,简单介绍了该晶体的性能及其在SAW和BAW方面的应用 ,分析了该晶体在压电应用方面的优势。
关键词 单晶 应用 SAW La3Ga5SiO14 Gzochralski lpe 晶体生长 压电性能 声表面波
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关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论 被引量:2
19
作者 史伟民 闵嘉华 +5 位作者 王林军 钱永彪 刘冬华 陈培峰 桑文斌 吴汶海 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2000年第3期194-198,共5页
从热力学角度对 L PE中同时存在的 Si氧化与 Si O2 腐蚀的动态平衡过程进行了分析 ,表明在 Si的低温同质液相外延中 ,一般的 L PE条件很难解决防止 Si的氧化问题 .作者尝试采用饱和 Sn源保护 Si衬底的方法来解决硅氧化问题 ,通过对外延... 从热力学角度对 L PE中同时存在的 Si氧化与 Si O2 腐蚀的动态平衡过程进行了分析 ,表明在 Si的低温同质液相外延中 ,一般的 L PE条件很难解决防止 Si的氧化问题 .作者尝试采用饱和 Sn源保护 Si衬底的方法来解决硅氧化问题 ,通过对外延层表面形貌和成分的分析研究 ,表明采用 Sn源保护成功地解决了硅的氧化问题 . 展开更多
关键词 硅氧化 液相外延 硅薄膜 lpe CVD 表面形貌
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解决3层PE管道现场补口问题势在必行 被引量:4
20
作者 王芷芳 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2013年第4期342-345,共4页
从3层PE管道现场补口暴露出来的大量问题,提出对现行管道防腐蚀质量表示担忧;认为GB/T 23257-2009《埋地钢质管道聚乙烯防腐蚀层技术标准》要求不严格也是导致补口质量下降的一个原因。本文根据现场条件,介绍了一种较好的防腐蚀材料,该... 从3层PE管道现场补口暴露出来的大量问题,提出对现行管道防腐蚀质量表示担忧;认为GB/T 23257-2009《埋地钢质管道聚乙烯防腐蚀层技术标准》要求不严格也是导致补口质量下降的一个原因。本文根据现场条件,介绍了一种较好的防腐蚀材料,该材料具有施工工艺简便的特点。结合现场应用实例,希望能进一步提高管道的防腐蚀水平。 展开更多
关键词 管道 腐蚀 3lpe补口 结构 新材料 新工艺
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