LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射 被引量：6

1

作者 刘渝珍 石万全 +7 位作者 刘世祥 姚德成 刘金龙 韩一琴 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 陈梦真 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期37-40,共4页

在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其... 在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其发光机制． 展开更多

关键词 lpcvd 氮化硅 薄膜 可见荧光 室温 激光激发

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LPCVD氮化硅薄膜的化学组成 被引量：6

2

作者 葛其明 刘学建 +1 位作者 黄智勇 黄莉萍 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期192-195,共4页

分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形... 分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌。XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33)。AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%)。AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm。 展开更多

关键词 氮化硅 薄膜 化学组成 lpcvd

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LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究 被引量：3

3

作者 刘红侠 郝跃 朱秉升 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期309-311,共3页

SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .

关键词 掺氧半绝缘多晶硅 lpcvd 薄膜淀积

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LPCVD水解法制备TiO_2薄膜 被引量：5

4

作者 李文漪 李刚 +2 位作者 蔡峋 孙彦平 赵君芙 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期331-334,共4页

本文利用LPCVD法水解四异丙醇钛 (TTIP)制备TiO2 薄膜 ,研究了制备过程中水解TTIP的反应动力学。通过对沉积温度和沉积率关系的研究 ,计算出TTIP水解反应表观活化能为 5 9 85kJ mol。沉积温度不仅影响反应速率 ,还对TiO2 薄膜结构、表... 本文利用LPCVD法水解四异丙醇钛 (TTIP)制备TiO2 薄膜 ,研究了制备过程中水解TTIP的反应动力学。通过对沉积温度和沉积率关系的研究 ,计算出TTIP水解反应表观活化能为 5 9 85kJ mol。沉积温度不仅影响反应速率 ,还对TiO2 薄膜结构、表面形貌有决定性的作用。XRD和Raman分析表明 :TTIP水解法制备TiO2 薄膜 ,薄膜结构主要依赖于沉积温度。 180℃～ 2 2 0℃沉积TiO2 薄膜为非晶态 ,2 40℃～ 3 0 0℃沉积为锐钛矿和非晶态混杂结构。在水分压对TTIP水解反应影响的研究中发现 ,水分压为零时 ,TTIP发生热解反应 ,TiO2 沉积率不为零 ,热解反应 2 40℃无锐钛矿特征峰出现。这说明水解反应制备TiO2 有利于降低锐钛矿的生长温度。氧分子的加入可以消除TiO2 薄膜表面的“针孔”。 展开更多

关键词 lpcvd法 水解 四异丙醇钛 制备 TIO2 二氧化钛薄膜 光催化剂 化学气相沉积 有机污染物 降解

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LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析 被引量：2

5

作者 彭英才 稻毛信弥 +1 位作者 池田弥央 宫崎诚一 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期261-264,共4页

采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,... 采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,当Si纳米量子点高度hc<5nm时 ,其PL效率基本保持不变。而当hc>5nm时 ,PL效率则急剧下降。同时 ,PL峰值能量随hc 的减少而增大 ,并与 (l/hc) 2 成正比依赖关系。如当hc 从 5 5nm减小至 0 8nm时 ,其峰值能量从 1 2 8eV增加到 1 4 3eV ,出现了约 0 15eV的谱峰蓝移。我们用量子限制效应 展开更多

关键词 lpcvd 自组织生长 发光机制 Si纳米量子点 量子限制效应-界面中心复合发光 低压化学气相沉积

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SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系LPCVD Si_3N_4薄膜因素分析 被引量：1

6

作者 谭刚 吴嘉丽 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期34-37,共4页

以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si... 以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整。较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。 展开更多

关键词 SiH2CL2-NH3-N2体系 lpcvd 氮化硅薄膜 淀积速率

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Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长

7

作者 孙国胜 罗木昌 +3 位作者 王雷 朱世荣 李晋闽 林兰英 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期253-255,共3页

Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果... Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果表明 ,3C -SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源 ,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散 。 展开更多

关键词 方形3C-SiC lpcvd Si(001)衬底 半导体材料 碳化硅 硅衬底 异质外延生长

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MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文)

8

作者 孙国胜 王雷 +4 位作者 巩全成 高欣 刘兴日方 曾一平 李晋闽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期982-985,976,共5页

本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测... 本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-S iC和S iO2之间没有明显的坑洞形成。 展开更多

关键词 3C—SiC lpcvd生长 Si台面 SIO2/SI

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SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究

9

作者 谭刚 吴嘉丽 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第z1期318-321,共4页

介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于... 介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值. 展开更多

关键词 二氯甲硅烷-氨体系 lpcvd 氮化硅薄膜 折射率

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LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺 被引量：3

10

作者 冯海玉 黄元庆 冯勇健 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B08期362-364,共3页

氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技... 氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求. 展开更多

关键词 氮化硅薄膜 lpcvd 制备工艺 低压化学气相淀积

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LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性(英文) 被引量：3

11

作者 谢自力 韩平 +6 位作者 张荣 曹亮 刘斌 修向前 华雪梅 赵红 郑有炓 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期655-658,678,共5页

本文报道了在GaN/蓝宝石作衬底生长Ge薄膜材料的外延生长及其特性研究。研究了不同外延生长条件。结果表明,使用低压化学气相外延技术在GaN/蓝宝石衬底复合衬底上可以生长Ge薄膜。高分辨X射线衍射谱研究得到了峰位分别位于2θ=27.3°... 本文报道了在GaN/蓝宝石作衬底生长Ge薄膜材料的外延生长及其特性研究。研究了不同外延生长条件。结果表明,使用低压化学气相外延技术在GaN/蓝宝石衬底复合衬底上可以生长Ge薄膜。高分辨X射线衍射谱研究得到了峰位分别位于2θ=27.3°、2θ=45.3°和2θ=52.9°的Ge峰.原子力显微镜研究表明得到的Ge薄膜的表面粗糙度为43.4nm。扫描电子显微镜研究表明生长的Ge/GaN/蓝宝石具有清晰的层界,表面Ge晶粒致密并且分布均匀。Raman谱表明所生长的Ge的TO声子峰位于299.6cm-1,这表明了生长的Ge薄膜具有良好的质量。 展开更多

关键词 Ge GAN 衬底 低压化学气相沉积

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LPCVD制备多晶硅薄膜的性能 被引量：3

12

作者 马红娜 李锋 +2 位作者 赵学玲 史金超 张伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期630-635,共6页

对低压化学气相沉积(LPCVD)制备多晶硅薄膜的生长工艺与钝化性能进行研究,重点分析了沉积温度、硅烷体积流量和沉积时间对薄膜生长和钝化性能的影响。在590~635℃沉积温度内,多晶硅薄膜生长速率与沉积温度近似呈线性关系,钝化性能随着... 对低压化学气相沉积(LPCVD)制备多晶硅薄膜的生长工艺与钝化性能进行研究,重点分析了沉积温度、硅烷体积流量和沉积时间对薄膜生长和钝化性能的影响。在590~635℃沉积温度内,多晶硅薄膜生长速率与沉积温度近似呈线性关系,钝化性能随着沉积温度的增加先变优再变差;在250~1150 cm^(3)/min硅烷体积流量内,多晶硅薄膜的生长速率与硅烷体积流量基本呈线性关系,当硅烷体积流量为1150 cm^(3)/min时,钝化性能明显变差;随着多晶硅薄膜厚度增加,钝化性能先变优后稳定。使用优化后的工艺制备多晶硅薄膜样品并对其进行测试,测试结果表明样品的隐性开路电压为749 mV,饱和电流密度为1.46 fA/cm^(2),钝化性能最佳。 展开更多

关键词 低压化学气相沉积(lpcvd) 多晶硅薄膜 生长工艺 钝化性能 生长速率

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LPCVD法制备TOPCon太阳能电池工艺研究 被引量：2

13

作者 王举亮 贾永军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期149-154,共6页

本文主要对低压化学气相沉积(LPCVD)法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中P掺杂量对太阳能电池转换效率的影... 本文主要对低压化学气相沉积(LPCVD)法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多晶硅层的影响因素,研究了不同氧化层厚度、多晶硅厚度及多晶硅层中P掺杂量对太阳能电池转换效率的影响。结果表明:当隧穿氧化层厚度在1.55 nm时,钝化效果最佳;多晶硅层厚度120 nm时V_(oc)达到最高值;多晶硅层厚度在90 nm时E_(ff)最高。当P掺杂量为3.0×10^(15)cm^(-2)时可获得较高的Voc,原因是随着P掺杂量的增加,多晶硅层场钝化效果提高。 展开更多

关键词 TOPCon电池 lpcvd 隧穿氧化层 多晶硅层 钝化 掺杂

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LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性

14

作者 潘尧令 王云珍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期51-55,46,共6页

本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。

关键词 多晶硅薄膜 掺氧 淀积 lpcvd

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LPCVD半绝缘多晶硅的性质和应用研究

15

作者 翟冬青 李洪鑫 李彦波 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1984年第2期62-70,共9页

成功地用LPCVD技术制取了优质SIPOS膜。SIPOS膜的生长速率与生长过程中的N_2O/S_iH-4流量比密切相关,SIPOS膜的众多性质中起决定性作用的是其内的氧原子浓度,而膜中氧原子浓度的高低也取决于生长过程中的N_2O/S_iH_4流量比。MO(SI)S结构... 成功地用LPCVD技术制取了优质SIPOS膜。SIPOS膜的生长速率与生长过程中的N_2O/S_iH-4流量比密切相关,SIPOS膜的众多性质中起决定性作用的是其内的氧原子浓度,而膜中氧原子浓度的高低也取决于生长过程中的N_2O/S_iH_4流量比。MO(SI)S结构的C—V特性测量及实际应用试验表明,SIPOS膜具有优良的钝化性质和钝化效果。 展开更多

关键词 钝化效果 半绝缘多晶硅 流量比 lpcvd 氧原子 晶粒间界 晶界 面缺陷 半导体表面 硅衬底

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LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究 被引量：1

16

作者 潘尧令 王云珍 王济身 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第4期372-377,共6页

本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:... 本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:低温退火过程中,电导率的变化与SIPOS中的Si-O键的分布和作用有关;而在高温退火过程中,电导率的变化则是SIPOS薄膜再结晶的结果。本文对SIPOS的掺杂效应也进行了研究。结果表明,SIPOS掺杂后电导率明显提高;而含氧量对掺杂后的SIPOS的电导率的提高具有明显的抑制作用。 展开更多

关键词 掺氧 多晶硅 汽相淀积 电学特性

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B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响 被引量：1

17

作者 黄建华 刘怀周 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期236-240,共5页

采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO（BZO）透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响。结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B... 采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO（BZO）透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响。结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1Ω/□,导电能力显著增强同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在6090 sccm之间。 展开更多

关键词 低压化学沉积 B掺杂Zn O薄膜 透明导电氧化物 方块电阻 均匀性 绒面结构

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TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用

18

作者 胡玲 杨霏 +1 位作者 商庆杰 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期439-442,共4页

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,... 应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。 展开更多

关键词 低压化学气相淀积 正硅酸乙酯 碳化硅 微波功率器件 二氧化硅

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沉积位置对LPCVD SiC涂层微观结构的影响

19

作者 张渭阳 郭领军 +2 位作者 王少龙 景伟 付前刚 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期724-728,733,共6页

采用低压化学气相沉积法（ LPCVD）在炭纤维表面制备了SiC涂层，借助扫描电镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对不同沉积位置SiC涂层的微观形貌和晶体结构进行了表征。 SEM结果表明，沿气流方向，涂层表面逐渐致密和均匀；SiC涂层为多层结构... 采用低压化学气相沉积法（ LPCVD）在炭纤维表面制备了SiC涂层，借助扫描电镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对不同沉积位置SiC涂层的微观形貌和晶体结构进行了表征。 SEM结果表明，沿气流方向，涂层表面逐渐致密和均匀；SiC涂层为多层结构，这种多层结构的形成可能是由于反应中产生的HCl气体吸附在表面反应活性点，从而通过活性点的阻塞机制来阻止SiC晶粒的生长。 XRD结果表明，制备的涂层中存在自由碳，各位置处的SiC晶体在（111）晶面存在择优取向，且沿气流方向（111）晶面的取向性逐渐减弱，（220）和（311）晶面的取向性逐渐增加。拉曼光谱低段频谱（200~600 cm-1）的出现表明CVD涂层中存在一定的缺陷。 展开更多

关键词 低压化学气相沉积 沉积位置 SIC涂层 微观结构

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p型TBC电池发射极制备工艺

20

作者 宋志成 张博 +3 位作者 张春福 屈小勇 倪玉凤 高嘉庆 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期857-863,共7页

将隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)结构引入背接触太阳电池结构,制备得到隧穿氧化层钝化接触背接触(TBC)太阳电池,能够有效抑制电子、空穴的复合,提高光电转换效率。本文重点关注p型TBC太阳电池的发射极制备工艺,深入研究了p型硅片上n型隧... 将隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)结构引入背接触太阳电池结构,制备得到隧穿氧化层钝化接触背接触(TBC)太阳电池,能够有效抑制电子、空穴的复合,提高光电转换效率。本文重点关注p型TBC太阳电池的发射极制备工艺,深入研究了p型硅片上n型隧穿氧化钝化接触结构(n-TOPCon)的制备工艺和钝化性能,通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧化时间对氧化层厚度的影响,并研究不同厚度的隧穿氧化层对发射极n-TOPCon结构钝化性能的影响。实验结果表明,在氧化温度为600℃,氧化时间1 200 s时,隧穿氧化层厚度达到1.52 nm,可以获得最佳的钝化性能,此时隐开路电压达到733 mV,对应的暗饱和电流密度J_(0)为4.41 fA/cm^(2)。之后研究了不同磷扩散温度和不同磷源流量下发射极n-TOPCon的掺杂分布曲线和钝化性能。当扩散温度达到870℃时,n-TOPCon结构的隐开路电压可提升至736 mV,随着扩散温度的继续增加,n-TOPCon结构的隐开路电压开始降低。最后研究了在扩散温度相同的情况下,n-TOPCon结构钝化性能与N_(2)-POCl_(3)流量的关系,通过实验发现,随着扩散N_(2)-POCl_(3)流量的增加,n-TOPCon结构钝化性能出现先提升后下降的情况,根据测试结果,当N_(2)-POCl_(3)流量为3 000 sccm时,n-TOPCon结构的隐开路电压可提升至740 mV。 展开更多

关键词 p型TBC电池 磷扩散 lpcvd 掺杂 钝化性能

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