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0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
被引量：
13
1
作者
汪波
李豫东
+4 位作者
郭旗
刘昌举
文林
孙静
玛丽娅
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期242-248,共7页
采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输...
采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。
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关键词
电离总剂量辐射效应
CMOS有源像素传感器
饱和输出信号
像素单元结构
locos隔离
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职称材料
题名
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
被引量：
13
1
作者
汪波
李豫东
郭旗
刘昌举
文林
孙静
玛丽娅
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
中国科学院大学
重庆光电技术研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期242-248,共7页
基金
国家自然科学基金(11005152)资助项目
文摘
采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。
关键词
电离总剂量辐射效应
CMOS有源像素传感器
饱和输出信号
像素单元结构
locos隔离
Keywords
total ionizing dose
CMOS APS
saturation output signal
pixel unit
locos
isolation
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
汪波
李豫东
郭旗
刘昌举
文林
孙静
玛丽娅
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
13
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