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LMTO方法在β－Si_3N_4能带结构和静态性质研究中的应用
1
作者
吴孙桃
王仁智
陈传鸿
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期39-42,共4页
用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法和局域密度泛函理论，从第一原理计算了晶体结构复杂的β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４的电子能带结构、晶体的总能－体积曲线，由总能－体积曲线求得晶体的平衡晶格常数ａ＿０、体模量Ｂ＿０和结合能Ｅ＿（ｃｏｈ），引用Ｌ...
用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法和局域密度泛函理论，从第一原理计算了晶体结构复杂的β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４的电子能带结构、晶体的总能－体积曲线，由总能－体积曲线求得晶体的平衡晶格常数ａ＿０、体模量Ｂ＿０和结合能Ｅ＿（ｃｏｈ），引用Ｌｏｗｄｉｎ微扰法减少计算工作量，计算结果与准确性较高的从头算赝势法的计算结果基本相符，本文计算量比从头算赝势法少很多，仅用７４阶久期方程，便获得合理的结果。
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关键词
电子能带
静态性质
氮化硅
lmto法
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职称材料
CrC的能带结构研究
2
作者
蔡淑惠
郑金成
+1 位作者
郑永梅
王仁智
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期369-372,共4页
采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了ＣｒＣ的能带结构，对引起Ｓｉｎｇｈ与ｚｈｕｋｏｖ等人计算结果差异的原因进行了探讨．结果表明，特殊ｋ点数的选取对计算结果有较大影响。
关键词
能带结构计算
lmto法
碳化铬
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职称材料
Si(111)表面电子结构
3
作者
张海峰
李永平
《量子电子学》
CSCD
1993年第3期243-248,共6页
本文利用自洽LMTO-ASA方法研究了晶体Si及Si(111)表面的几种模型的电子结构,给出了在slab模型各不同结构下的态密度和分波态密度,以及各不等价原子态密度和分波态密度。
关键词
lmto法
电子结构
光学性质
硅表面
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职称材料
题名
LMTO方法在β－Si_3N_4能带结构和静态性质研究中的应用
1
作者
吴孙桃
王仁智
陈传鸿
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期39-42,共4页
基金
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构开放实验室与国家自然科学基金
文摘
用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法和局域密度泛函理论，从第一原理计算了晶体结构复杂的β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４的电子能带结构、晶体的总能－体积曲线，由总能－体积曲线求得晶体的平衡晶格常数ａ＿０、体模量Ｂ＿０和结合能Ｅ＿（ｃｏｈ），引用Ｌｏｗｄｉｎ微扰法减少计算工作量，计算结果与准确性较高的从头算赝势法的计算结果基本相符，本文计算量比从头算赝势法少很多，仅用７４阶久期方程，便获得合理的结果。
关键词
电子能带
静态性质
氮化硅
lmto法
Keywords
Si_3N_4,Electronic band,Static property
分类号
O481.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
CrC的能带结构研究
2
作者
蔡淑惠
郑金成
郑永梅
王仁智
机构
厦门大学物理学系
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期369-372,共4页
文摘
采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了ＣｒＣ的能带结构，对引起Ｓｉｎｇｈ与ｚｈｕｋｏｖ等人计算结果差异的原因进行了探讨．结果表明，特殊ｋ点数的选取对计算结果有较大影响。
关键词
能带结构计算
lmto法
碳化铬
Keywords
CrC, Band structure calculation,
lmto
method
分类号
O481.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
Si(111)表面电子结构
3
作者
张海峰
李永平
机构
中国科技大学材料科学与工程系
中国科技大学物理系中国科技大学结构分析研究开放实验室
出处
《量子电子学》
CSCD
1993年第3期243-248,共6页
基金
国家自然科学基金课题:项目批准号:1924012
文摘
本文利用自洽LMTO-ASA方法研究了晶体Si及Si(111)表面的几种模型的电子结构,给出了在slab模型各不同结构下的态密度和分波态密度,以及各不等价原子态密度和分波态密度。
关键词
lmto法
电子结构
光学性质
硅表面
Keywords
lmto
method
surface electronic structure
optical properties
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
LMTO方法在β－Si_3N_4能带结构和静态性质研究中的应用
吴孙桃
王仁智
陈传鸿
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
在线阅读
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职称材料
2
CrC的能带结构研究
蔡淑惠
郑金成
郑永梅
王仁智
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
在线阅读
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职称材料
3
Si(111)表面电子结构
张海峰
李永平
《量子电子学》
CSCD
1993
0
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职称材料
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