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基于纳米器件低能质子数据预测重离子单粒子翻转阈值和截面
1
作者
罗尹虹
张凤祁
+2 位作者
王坦
丁李利
江新帅
《原子能科学技术》
北大核心
2025年第8期1734-1741,共8页
为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面...
为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面峰上下限能量的提取,通过对应的硅中射程以及到达器件灵敏体积内质子能量、质子LET值和有效质子数占比的计算,在无需对器件进行纵切和开展重离子单粒子效应实验的情况下,即可准确获取器件灵敏体积上方等效硅层厚度、单粒子翻转LET阈值以及低LET值时器件单粒子翻转截面,基于实际的器件金属布线层信息和重离子单粒子效应实验数据验证了预测结果的准确性,在此基础上,进一步给出了基于余下射程的简化预测方法。
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关键词
低能质子
重离子
等效硅层厚度
单粒子翻转截面峰
let
阈值
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职称材料
特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响
被引量：
1
2
作者
张科营
郭红霞
+4 位作者
罗尹虹
何宝平
姚志斌
张凤祁
王园明
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期215-219,共5页
采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,...
采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低。
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关键词
特征尺寸
临界电荷
let
阈值
单粒子翻转
cM()s
SRAM
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职称材料
题名
基于纳米器件低能质子数据预测重离子单粒子翻转阈值和截面
1
作者
罗尹虹
张凤祁
王坦
丁李利
江新帅
机构
西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室
出处
《原子能科学技术》
北大核心
2025年第8期1734-1741,共8页
基金
国家自然科学基金(12375275)。
文摘
为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面峰上下限能量的提取,通过对应的硅中射程以及到达器件灵敏体积内质子能量、质子LET值和有效质子数占比的计算,在无需对器件进行纵切和开展重离子单粒子效应实验的情况下,即可准确获取器件灵敏体积上方等效硅层厚度、单粒子翻转LET阈值以及低LET值时器件单粒子翻转截面,基于实际的器件金属布线层信息和重离子单粒子效应实验数据验证了预测结果的准确性,在此基础上,进一步给出了基于余下射程的简化预测方法。
关键词
低能质子
重离子
等效硅层厚度
单粒子翻转截面峰
let
阈值
Keywords
low energy proton
heavy ion
equivalent thickness of silicon layer
single event upset cross section peak
let threshold
分类号
TL81 [核科学技术—核技术及应用]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响
被引量：
1
2
作者
张科营
郭红霞
罗尹虹
何宝平
姚志斌
张凤祁
王园明
机构
西北核技术研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期215-219,共5页
文摘
采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低。
关键词
特征尺寸
临界电荷
let
阈值
单粒子翻转
cM()s
SRAM
Keywords
channel length
critical charge
let threshold
single event upset
CMOS SRAM
分类号
O57 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于纳米器件低能质子数据预测重离子单粒子翻转阈值和截面
罗尹虹
张凤祁
王坦
丁李利
江新帅
《原子能科学技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响
张科营
郭红霞
罗尹虹
何宝平
姚志斌
张凤祁
王园明
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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