在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级...在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.展开更多
提出了一种Ga Al As红外发光二极管自动温控RTS(Random Telegraph Signal)噪声测试新方法。通过分析Ga Al As IRLED的RTS噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRLED的RTS噪声模型,设计了自动温控噪声测试系统。实验结果表明,该方法能准...提出了一种Ga Al As红外发光二极管自动温控RTS(Random Telegraph Signal)噪声测试新方法。通过分析Ga Al As IRLED的RTS噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRLED的RTS噪声模型,设计了自动温控噪声测试系统。实验结果表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRLED的RTS噪声,得到与噪声模型一致的结果,为Ga Al As IRLED可靠性的噪声表征提供了实验与理论依据。展开更多
通过分析Ga Al As红外发光二极管(IRED)的低频噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRED的噪声模型,设计了一套低频噪声测试系统,通过该系统测量得到了Ga Al As IRED的低频噪声。实验表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRED的低频噪声,发...通过分析Ga Al As红外发光二极管(IRED)的低频噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRED的噪声模型,设计了一套低频噪声测试系统,通过该系统测量得到了Ga Al As IRED的低频噪声。实验表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRED的低频噪声,发现其低频噪声主要表现为1/f噪声,得到与噪声模型一致的结果。该研究为Ga Al As IRLED可靠性的噪声表征提供了实验基础与理论依据。展开更多
文摘在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.
文摘提出了一种Ga Al As红外发光二极管自动温控RTS(Random Telegraph Signal)噪声测试新方法。通过分析Ga Al As IRLED的RTS噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRLED的RTS噪声模型,设计了自动温控噪声测试系统。实验结果表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRLED的RTS噪声,得到与噪声模型一致的结果,为Ga Al As IRLED可靠性的噪声表征提供了实验与理论依据。
文摘通过分析Ga Al As红外发光二极管(IRED)的低频噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRED的噪声模型,设计了一套低频噪声测试系统,通过该系统测量得到了Ga Al As IRED的低频噪声。实验表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRED的低频噪声,发现其低频噪声主要表现为1/f噪声,得到与噪声模型一致的结果。该研究为Ga Al As IRLED可靠性的噪声表征提供了实验基础与理论依据。
