基于锁相频率合成器的电压控制LC振荡器 被引量：3

1

作者 魏平俊 方向前 刘苡玮 《电子工业专用设备》 2005年第4期53-56,共4页

详细描述了电压控制LC振荡器的设计思路、实现方法及指标测试。采用西勒振荡器作为振荡器的主体部分,通过改变变容二极管两端的电压来调节振荡器输出频率,实现输出频率在15MHz～35MHz范围内可变;采用集成锁相环芯片MC145152来提高振荡... 详细描述了电压控制LC振荡器的设计思路、实现方法及指标测试。采用西勒振荡器作为振荡器的主体部分,通过改变变容二极管两端的电压来调节振荡器输出频率,实现输出频率在15MHz～35MHz范围内可变;采用集成锁相环芯片MC145152来提高振荡器输出频率的稳定度,使其达到10-5;通过AT89C51改变锁相环的分频比,实现频率步进为100kHz/1MHz的两种工作模式,并实时显示。 展开更多

关键词 压控lc振荡器 MC145152 AD603 AT89C51

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基于EDA技术的压控LC振荡器的设计与实现 被引量：1

2

作者 张建荣 陈晓莉 《山西电子技术》 2007年第2期14-16,共3页

根据压控LC振荡器的基本原理,提出了以EDA(Electronic Design Automation,电子设计自动化)软件MAX+PLUSⅡ为基础压控LC振荡器设计的技术方案,详细阐述了系统的设计要求、设计技巧、设计方案,并进行了系统仿真和硬件测试。

关键词 EDA FPGA lc振荡器 仿真

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用EWB仿真软件研究LC振荡器

3

作者 许萍 方勇 《遥测遥控》 2003年第1期59-60,64,共3页

介绍如何用 EWB仿真软件研究 L C振荡器。分别对 L C振荡器的元器件参数改变、起振过程、振荡电压波形及间歇振荡进行了观察和分析。

关键词 EWB仿真软件 lc振荡器 仿真

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LC振荡器寄生振荡的分析和消除 被引量：2

4

作者 侯向东 《电讯技术》 北大核心 2004年第2期161-165,共5页

振荡器在不需要的频率发生的寄生振荡(不一定是由寄生参数引起,在这里暂且称其为寄生振荡),对振荡器的设计与调试带来了很大的困扰。本文对寄生振荡进行理论了分析,并提出避免寄生振荡的措施。

关键词 lc振荡器 寄生振荡 谐振频率 消除方法

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一种带自动稳幅的新型电流模LC振荡器

5

作者 高兴波 赵毅强 宋益伟 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第6期46-50,共5页

介绍了一种新型电流模结构的LC、振荡器.主要用于向电磁感应式的传感器提供激励信号,自动稳幅设计用于克服线圈在PCB加工过程中的工艺离散性,与传统的交叉耦合式VCO结构不同,本设计采用电流模式工作在可更容易实现振幅的校准在,LC谐振... 介绍了一种新型电流模结构的LC、振荡器.主要用于向电磁感应式的传感器提供激励信号,自动稳幅设计用于克服线圈在PCB加工过程中的工艺离散性,与传统的交叉耦合式VCO结构不同,本设计采用电流模式工作在可更容易实现振幅的校准在,LC谐振单元集成于PCB上,处理电路则以标准O.35μm的CMOS工艺实现,电路工作于3.3 MHz,在5 V的电源电压下消耗O.7～1.9mA的电流.振荡幅度能够至少保持在中心为4.19V的±5 mV范围内,本设计经过RF仿真被证实可用于高频应用. 展开更多

关键词 电流模式 电磁感应传感器 自动稳幅 lc振荡器 CMOS

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一种基于变容管偏置的温度补偿LC振荡器

6

作者 张麒 尹勇生 +1 位作者 许江超 孟煦 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第8期1086-1091,共6页

文章介绍一种用于在宽温度范围内产生稳定时钟信号的温度补偿振荡器。该振荡器基于温度对控制电压的影响改变偏置变容管的容值,补偿因温度变化引起的振荡器频率变化,使整个振荡器的温度系数(temperature coefficient,TC)为0。另外,在通... 文章介绍一种用于在宽温度范围内产生稳定时钟信号的温度补偿振荡器。该振荡器基于温度对控制电压的影响改变偏置变容管的容值,补偿因温度变化引起的振荡器频率变化,使整个振荡器的温度系数(temperature coefficient,TC)为0。另外,在通过分频产生几十兆赫兹频率的同时,振荡器的相位噪声性能得到进一步优化。该文在SMIC 180 nm CMOS工艺下完成整体电路的设计与仿真。后仿真结果显示,在1.8 V电源下整体功耗为7.12 mW,中心振荡频率2.4002 GHz处的频率漂移可达到8.68×10^(-6)℃^(-1),经过分频后得到的30 MHz信号在10 kHz偏移下的相位噪声大小为-112.923 dBc/Hz。 展开更多

关键词 lc振荡器 宽温度范围 温度补偿 分频 相位噪声

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基于FPGA的电压控制LC振荡器的设计研究

7

作者 万留杰 周晓娟 《数字技术与应用》 2011年第9期56-57,共2页

文章设计了一种基于FPGA的电压控制LC振荡器,频率可调整的LC振荡器利用可变电容值的二极管构成,由锁相环频率合成器MC145152进行控制电压,以FPGA+单片机作为整个系统的测控部分,采用硬件描述语言进行各功能模块的编程,最后对程序进行编... 文章设计了一种基于FPGA的电压控制LC振荡器,频率可调整的LC振荡器利用可变电容值的二极管构成,由锁相环频率合成器MC145152进行控制电压,以FPGA+单片机作为整个系统的测控部分,采用硬件描述语言进行各功能模块的编程,最后对程序进行编译和功能仿真,给出仿真结果,验证系统设计的正确性。 展开更多

关键词 VHDL FPGA 电压控制 lc振荡器 仿真

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LC振荡器短时间频率稳定度测试方法

8

作者 陈庆礼 刘志军 《山东电子》 1997年第2期23-24,共2页

本文较详细的探讨了一种ＬＣ振荡器的短时间频率稳定度的测试方法、测试原理及电路组成，产以测试２００μｓ时的频率稳定度为例进行了分析，能达到１０￣（＿６）级的测试精度要求。

关键词 高频脉冲 稳定度 雷达 lc振荡器 测试

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LC振荡器输出幅度的分析和计算

9

作者 鲍汉忠 《无线电通信技术》 北大核心 1989年第5期50-54,共5页

LC振荡器工作在稳态振荡时,运用到晶体管非线性区域,其输出幅度不能简单的采用晶体管小信号等效电路来分析和计算。晶体管非线性特性,可用非线性跨导来描述。本文在分析LC振荡器工作过程后,引出非线性等效电路和输出电压计算方法。供工... LC振荡器工作在稳态振荡时,运用到晶体管非线性区域,其输出幅度不能简单的采用晶体管小信号等效电路来分析和计算。晶体管非线性特性,可用非线性跨导来描述。本文在分析LC振荡器工作过程后,引出非线性等效电路和输出电压计算方法。供工程设计时参考。 展开更多

关键词 lc振荡器 输出幅度 计算 分析

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晶体三极管h参数对LC振荡器振荡频率引入的理论误差

10

作者 王汉卿 刘书真 《辽宁工学院学报》 1993年第2期62-64,共3页

关键词 晶体三极管 h参数 lc振荡器

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一种基于阻抗变换的低噪声LC压控振荡器设计

11

作者 周鑫 田晔非 《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第2期394-398,共5页

为了提高相位噪声性能,提出了一种基于阻抗变换模块的新型无尾电流源电感电容(LC)压控振荡器。该阻抗变换模块位于交叉耦合晶体管的漏极与栅极之间,能够减少有源器件产生的噪声,并且交叉耦合晶体管主要位于饱和区域,能够防止LC谐振腔的... 为了提高相位噪声性能,提出了一种基于阻抗变换模块的新型无尾电流源电感电容(LC)压控振荡器。该阻抗变换模块位于交叉耦合晶体管的漏极与栅极之间,能够减少有源器件产生的噪声,并且交叉耦合晶体管主要位于饱和区域,能够防止LC谐振腔的品质因数降低。此外,相较于传统LC振荡器,该振荡器在低电压工作条件下能够维持低相位噪声性能,并采用0.18μm CMOS工艺进行了具体实现。实验结果表明:在3 MHz偏移频率的条件下,提出的振荡器相位噪声范围为-138.8 dBc/Hz～-141.1 dBc/Hz,调谐范围增加了大约22.8%。在此调谐范围内,与其他提LC压控振荡器相比,所提方法具有更大的品质因数更好,具体为191.8 dBc/Hz。 展开更多

关键词 压控振荡器 lc振荡器 相位噪声 低电压

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一种低相位噪声LC压控振荡器的设计与实现 被引量：5

12

作者 常昌远 王绍权 +1 位作者 陈瑶 余东升 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1052-1057,共6页

基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器中的低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电... 基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器中的低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电容阵列和偏置滤波网络来降低相位噪声.采用TSMC 0.35μm CMOS工艺完成前仿真、版图设计与后仿真,芯片面积为1 285.3μm×1 162.7μm.流片测试结果显示,LC压控振荡器的频率调谐范围为1.558～2.065 GHz,调谐范围高达28%,中心频率处的相位噪声为-133.3 dBc/Hz@1 MHz,综合性能指数为-183.3 dBc/Hz.由此表明,所设计的压控振荡器具有比较优异的综合性能. 展开更多

关键词 lc压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 CMOS

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一种高线性度2.4GHz CMOS LC压控振荡器 被引量：1

13

作者 张鸿 陈贵灿 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第7期176-179,共4页

对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p+/n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1.... 对影响压控振荡器(VCO)线性度的因素进行了研究,并提出了一种适用于2.4GHz ISM频段的高调节线性度的CMOS LC VCO结构。新的VCO结构采用两个控制端,分别控制一对p+/n-well变容管和一对MOS变容管。该VCO输出两个波段,调节非线性度分别为1.45%和1.74%,总调节范围为2.33～2.72 GHz,功耗为15mW,芯片面积为534×540μm2。结果表明,新的电路结构使得VCO的调节非线性度降低到通常只用一对变容管的VCO的一半以下,同时极大地减小了调节范围内相噪声的波动,有效地提高ISM频段内多种无线通信标准的射频收发机的性能。 展开更多

关键词 lc压控振荡器 CMOS射频集成电路 调节线性度 相噪声

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噪声对 LC 振荡器振幅稳定性的影响分析

14

作者 彭章友 《兰州铁道学院学报》 1998年第1期65-68,共4页

根据数理统计理论，计算分析了白噪声干扰对ＬＣ振荡器振幅稳定性的影响，得出了白噪声影响振幅稳定性的数量关系，提出了相应的解决办法．

关键词 振荡器 白噪声 稳定性 干扰 lc振荡器 振幅

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0.18μm CMOS工艺全集成LC谐振压控振荡器的优化设计 被引量：1

15

作者 李智群 王志功 +3 位作者 张立国 徐勇 章丽 熊明珍 《中国集成电路》 2004年第1期61-64,共4页

本文介绍了用0.18μm六层金属混合信号/射频CMOS工艺设计的两个LC谐振压控振荡器,给出了优化设计的方法、步骤和测试结果。两个振荡器均使用片上元件实现。第一个振荡器采用混合信号晶体管设计,振荡频率为2.64GHz,相位噪声为-93.5dBc/Hz... 本文介绍了用0.18μm六层金属混合信号/射频CMOS工艺设计的两个LC谐振压控振荡器,给出了优化设计的方法、步骤和测试结果。两个振荡器均使用片上元件实现。第一个振荡器采用混合信号晶体管设计,振荡频率为2.64GHz,相位噪声为-93.5dBc/Hz@500kHz。第二个振荡器使用相同的电路结构,但采用射频晶体管设计,振荡频率为2.61GHz,相位噪声为-95.8dBc/Hz@500kHz。在2V电源下,它们的功耗均为8 mW,最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm。 展开更多

关键词 CMOS lc谐振压控振荡器 优化设计 片上元件 混合信号晶体管 射频晶体管

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宽带LC压控振荡器的相位噪声优化设计 被引量：3

16

作者 丁理想 吴洪江 +2 位作者 卢东旭 谷江 赵永瑞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期89-92,135,共5页

采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用... 采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响。测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96~2.70 GHz的带宽,频偏为100 k Hz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 d Bc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求。 展开更多

关键词 lc压控振荡器(VCO) 相位噪声优化 品质因数 噪声滤波 宽带

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一种宽带低相噪CMOS LC压控振荡器设计 被引量：3

17

作者 魏伟伟 于海勋 +1 位作者 李卫民 文武 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第9期65-68,72,共5页

设计了一种频率可调范围约830MHz全集成CMOS LC压控振荡器.该压控振荡器利用了一种改进的四位二进制加权的开关电容阵列扩大了其调谐范围;采用了可变尾电流源设计,使得振荡信号在整个频率范围内幅度变化不大.结果表明,该压控振荡器总调... 设计了一种频率可调范围约830MHz全集成CMOS LC压控振荡器.该压控振荡器利用了一种改进的四位二进制加权的开关电容阵列扩大了其调谐范围;采用了可变尾电流源设计,使得振荡信号在整个频率范围内幅度变化不大.结果表明,该压控振荡器总调节范围1.12～1.95GHz,功耗为6.5～19.1mW,采用0.35μm CMOSRF工艺设计版图面积为360μm×830μm,工作于1.1GHz和1.9GHz时,1MHz频偏处的单边带相位噪声分别为-122dBc/Hz、-120dBc/Hz. 展开更多

关键词 lc压控振荡器 开关电容阵列 相位噪声 宽调谐范围

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卫星电视天线射频电路中LC压控振荡器设计 被引量：1

18

作者 王魏 黎希 +3 位作者 宫召英 马晓英 杨丽君 王岳生 《电视技术》 北大核心 2012年第21期71-73,共3页

设计了一款应用于卫星电视天线电路中低功耗、低相噪的宽带单片集成压控振荡器。该振荡器利用PMOS尾电流源和MIM电容阵列结构。在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。使得该压控振荡器实现了3.384～4.022 GHz频段的覆盖,在中... 设计了一款应用于卫星电视天线电路中低功耗、低相噪的宽带单片集成压控振荡器。该振荡器利用PMOS尾电流源和MIM电容阵列结构。在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。使得该压控振荡器实现了3.384～4.022 GHz频段的覆盖,在中心频率为3.7 GHz时,100 Hz和1 MHz频偏处的相位噪声分别为-90.4 dBc/Hz和-119.1 dBc/Hz,工作电压下为1.8 V,功耗仅为2.5 mW。 展开更多

关键词 天线电路 lc压控振荡器 宽带 相位噪声

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一种低噪声C类LC压控振荡器的设计

19

作者 葛士曾 陈德媛 张瑛 《现代电子技术》 2023年第20期13-16,共4页

为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可... 为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可变电容的设计,压控振荡器的增益减小,压控振荡器的相位噪声得到改善。设计了4组开关电容进行调节,增大压控振荡器的调谐范围。仿真结果表明,处于1.2 V的电压下,压控振荡器振荡频率范围在4.14~5.7 GHz,频率调谐范围变化率达到31.2%,相位噪声为-112.8 dBc/Hz。 展开更多

关键词 lc压控振荡器 低噪声振荡器 相位噪声 CMOS 差分电压变容 振荡频率 交叉耦合 共模反馈

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无线传感网SoC芯片中4.8GHz压控振荡器设计

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作者 樊祥宁 郑浩 陈晓光 《电子器件》 CAS 2009年第4期733-736,741,共5页

采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的... 采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的调谐范围;共源级输出缓冲提供了较好的反向隔离度。所设计的芯片版图面积为600μm×475μm。在电源电压为1.8V时,后仿真结果表明,电路调谐范围最高可达40%,有效地补偿了工艺角偏差;在4.95GHz处,后仿真测得的相位噪声为-125.3dBc/Hz@3MHz,优于系统要求5.3dB;核心电路工作电流约5.2mA。 展开更多

关键词 无线传感网 RFCMOS工艺 lc压控振荡器 相位噪声 宽调谐范围

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