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超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的C—V和I-V特性
被引量：
1
1
作者
郑茳
林慈
+2 位作者
孟江生
魏同立
韦钰
《电子科学学刊》
CSCD
1990年第4期415-417,共3页
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。
关键词
lb绝缘薄膜
C-V特性
I-V特性
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职称材料
题名
超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的C—V和I-V特性
被引量：
1
1
作者
郑茳
林慈
孟江生
魏同立
韦钰
机构
东南大学
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1990年第4期415-417,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。
关键词
lb绝缘薄膜
C-V特性
I-V特性
Keywords
lb
insulating thin films
C-V characteristics
1-V characteristics
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的C—V和I-V特性
郑茳
林慈
孟江生
魏同立
韦钰
《电子科学学刊》
CSCD
1990
1
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