-
题名基于紫外激光对硅基微通道刻蚀分析
被引量：1
- 1
-
-
作者
单存良
梁庭
雷程
王文涛
刘瑞芳
李奇思
-
机构
动态测试技术山西省重点实验室
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
-
出处
《电子测量技术》
北大核心
2021年第2期170-175,共6页
-
基金
山西省重点研发计划(201903D121123)
山西省自然科学基金(201801D121157,201801D221203)项目资助。
-
文摘
紫外激光具有波长短、速度快、加工精度高、热影响区小以及无损加工等优点,针对紫外激光加工过程中,不同参数对刻蚀结果产生不同的影响,实验中通过控制单一变量法,设计了扫描速度、扫描次数、能量密度、重复频率、离焦量等不同参数对刻蚀结果的影响。实验结果表明,刻蚀宽度随能量密度的增加而增加,但是增加率不断降低;减小扫描速度,可以刻蚀出深度较深并且边缘工整的微通道;随着扫描次数的增大,激光刻蚀的深度不断增大,但增大率在不断的减小,刻蚀深度过深,激光将不会对沟道再进行刻蚀。实验中通过优化激光刻蚀参数,得到了刻蚀宽度为146μm、刻蚀深度为25.665μm、微通道边缘整齐,边缘粗糙度为7μm,沟道的垂直度将近90°的L型硅基微通道。
-
关键词
紫外激光器
单一变量法
刻蚀宽度
刻蚀深度
l型硅基微通道
-
Keywords
ultraviolet laser
single variable method
etching width
etching depth
l-shaped silicon microchannel
-
分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
