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无铅压电陶瓷的研究进展 被引量:7
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作者 蒲永平 姚谋腾 +3 位作者 高子岩 靳乾 郑晗煜 王亚茹 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2034-2045,共12页
BaTiO3、Na0.5Bi0.5TiO3和K0.5N0.5NbO3三大体系无铅压电陶瓷因其优异的压电介电性能,尤其是以准同型相界(MPB)多晶型相界(PPB)附近优异的压电性能受到极为深入和广泛的研究。结合近几年相关文献报道,分析和评价了三大体系无铅压电陶瓷... BaTiO3、Na0.5Bi0.5TiO3和K0.5N0.5NbO3三大体系无铅压电陶瓷因其优异的压电介电性能,尤其是以准同型相界(MPB)多晶型相界(PPB)附近优异的压电性能受到极为深入和广泛的研究。结合近几年相关文献报道,分析和评价了三大体系无铅压电陶瓷的组分设计和相界构建与性能调控的最新研究进展,讨论了离子或化合物掺杂改性、制备工艺以及压电性能与微观结构之间的关系等关键科学和技术问题。分析并展望了体系构建、新制备工艺以及相关理论在无铅压电陶瓷研究领域的研究前景。 展开更多
关键词 BATIO3 Na0.5Bi0.5TiO3 k0.5n0.5nbo3 无铅压电陶瓷
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(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3-LiNbO_3无铅压电陶瓷的烧结特性和压电性能研究 被引量:19
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作者 唐福生 杜红亮 +2 位作者 刘代军 罗发 周万城 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期323-327,共5页
采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.制备的(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钛矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变... 采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征.制备的(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钛矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变,显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异.与(K0.5Na0 5)NbO3陶瓷相比,(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低,烧结特性得到改善.(K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能,其中0.94(K0.5Na0.5)NbO3-0.06LiNbO3(x=0.06)陶瓷的压电常数d33达到205pC/N,机电耦合系数kp为40.3%,kt达到49.8%. 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 压电性能 (K0.5Na0.5)NbO3-LiNbO3 钙钦矿结构
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(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3基无铅压电陶瓷的研究进展 被引量:18
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作者 杜红亮 李智敏 +2 位作者 周万城 屈绍波 裴志斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1281-1291,共11页
由于钙钛矿结构无铅压电陶瓷具有高的压电性能,已成为无铅压电陶瓷研究的热点.本文综述了钙钛矿结构无铅压电陶瓷(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3的研究进展和趋势.重点从添加第二组元、添加助烧剂、取代改性和制备方法四个方面,归纳和分析了... 由于钙钛矿结构无铅压电陶瓷具有高的压电性能,已成为无铅压电陶瓷研究的热点.本文综述了钙钛矿结构无铅压电陶瓷(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3的研究进展和趋势.重点从添加第二组元、添加助烧剂、取代改性和制备方法四个方面,归纳和分析了(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3基无铅压电陶瓷的研究开发进展,并对(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3基无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出一些建议. 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钙钛矿结构 压电材料 (Na0. 5K0.5)NbO3
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织构化K0.5Na0.5NbO3无铅压电陶瓷的性能研究 被引量:11
4
作者 刘虎 李月明 +2 位作者 沈宗洋 王竹梅 李润润 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期445-449,共5页
以分析纯Na2CO3、Bi2O3和Nb2O5为原料,以NaCl为熔盐,采用二次熔盐法和拓扑化学反应法合成各向异性片状NaNbO3粉体。以该片状NaNbO3粉体为模板晶粒,以固相法合成的NaNbO3和KNbO3粉体为基料,采用流延工艺制备出较高取向度的织构化K0.5Na0.... 以分析纯Na2CO3、Bi2O3和Nb2O5为原料,以NaCl为熔盐,采用二次熔盐法和拓扑化学反应法合成各向异性片状NaNbO3粉体。以该片状NaNbO3粉体为模板晶粒,以固相法合成的NaNbO3和KNbO3粉体为基料,采用流延工艺制备出较高取向度的织构化K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,系统研究了模板含量、烧结温度和保温时间等工艺参数对织构化KNN陶瓷显微结构和压电性能的影响规律。研究结果表明:随着模板含量的增加,陶瓷的取向度逐渐增加,当模板含量为15 wt%时,陶瓷的取向度可达0.69,当模板含量为10 wt%,1100℃下保温5 h烧结,可以获得具有一定织构度(f=0.58)的KNN陶瓷,并表现出优异的压电性能,d33=128 pC/N。 展开更多
关键词 Na0.5K0.5NbO3 无铅压电陶瓷 织构化陶瓷 反应模板晶粒生长
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无铅压电陶瓷K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-BiFeO_3的烧结工艺与压电性能研究 被引量:2
5
作者 江民红 陈何欣 +2 位作者 刘心宇 杨理清 周昌荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1178-1182,共5页
采用传统常压固相烧结工艺制备了掺杂0.8at%BiFeO3(BF)的K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,着重研究了烧结温度与保温时间对陶瓷的晶体结构、相转变、致密度与压电、介电性能的影响.研究结果表明,所有陶瓷样品都为单一的钙钛矿结构,烧结... 采用传统常压固相烧结工艺制备了掺杂0.8at%BiFeO3(BF)的K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,着重研究了烧结温度与保温时间对陶瓷的晶体结构、相转变、致密度与压电、介电性能的影响.研究结果表明,所有陶瓷样品都为单一的钙钛矿结构,烧结温度与保温时间对陶瓷样品的室温晶体结构与相转变温度几乎没有影响,但对陶瓷的表面形貌、密度和压电性能有较大的影响.当保温时间为3h,在1100℃至1150℃范围内,随烧结温度的升高,陶瓷的压电常数d33、平面机电耦合系数Kp及机械品质因数Qm均一直升高,介电损耗tanδ则显著降低.当烧结温度为1150℃时,随保温时间的增加,陶瓷的压电性能先显著提高后基本保持不变.1150℃保温2h烧结的陶瓷获得良好的性能:密度ρ=4.50g/cm3(致密度为95.63%),d33=132pC/N,Kp=45%,Qm=333.73,tanδ=2.39%. 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 K0.5NA0.5NBO3 烧结温度 压电性能
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锂掺杂BNKT无铅压电陶瓷的制备与电学性能 被引量:3
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作者 陈小明 廖运文 +5 位作者 王怀平 毛丽君 肖定全 朱建国 陈强 朱基亮 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期147-150,共4页
采用传统电子陶瓷工艺制备了无铅压电陶瓷Bi0.5(Na0.825K0.175)0.5TiO3+x%Li2CO3(x=0~10,质量分数),利用X线衍射(XRD)和扫描电镜等测试技术分析表征了该体系陶瓷的结构、介电与压电性能。结果表明,Li的添加改善了该体系陶瓷的烧结性能... 采用传统电子陶瓷工艺制备了无铅压电陶瓷Bi0.5(Na0.825K0.175)0.5TiO3+x%Li2CO3(x=0~10,质量分数),利用X线衍射(XRD)和扫描电镜等测试技术分析表征了该体系陶瓷的结构、介电与压电性能。结果表明,Li的添加改善了该体系陶瓷的烧结性能,烧结温度明显降低,弛豫程度增强;XRD结果表明,x<5.0时,陶瓷具有单一钙钛矿结构。Li的引入改善了该体系的电学性能,室温下该体系的压电常数d33可达174 pC/N,平面机电耦合系数kp达到29.7%。掺Li后,该陶瓷的去极化温度(Td)有所提高,其中当锂的质量分数增至1.0时,该陶瓷的Td高达180℃。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 Bi0.5(Na0.825K0.175)0.5TiO3 电学性能 制备 掺杂
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铜掺杂对(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3无铅压电陶瓷性能的影响 被引量:6
7
作者 胡晓萍 刘晓东 +2 位作者 曾敏 李龙珠 江向平 《陶瓷学报》 CAS 2005年第4期235-238,共4页
采用传统固相反应法对(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷进行铜掺杂改性研究。使用SEM、XRD并结合常规压电陶瓷性能测试手段对该体系的显微结构、压电性能等进行表征。研究结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,即材料的压电系数d33、平面... 采用传统固相反应法对(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷进行铜掺杂改性研究。使用SEM、XRD并结合常规压电陶瓷性能测试手段对该体系的显微结构、压电性能等进行表征。研究结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,即材料的压电系数d33、平面机电耦合系数Kp和介电损耗tanδ下降了,机械品质因子Qm大大提高;CuO掺入量在1%mol时各项性能最佳。另外,从SEM图片中可以看出:(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷材料的平均晶粒尺寸随着CuO掺入量的增加明显变大。这表明CuO有烧结助熔作用,能降低烧成温度。 展开更多
关键词 铜掺杂 (Na0.5K0.5)NbO3 无铅压电陶瓷
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非化学计量比对(K_(0.465)Na_(0.465)Li_(0.07))(Nb_(0.95)Sb_(0.05))O_3无铅压电陶瓷结构及性能的影响 被引量:2
8
作者 梁文峰 吴文娟 +1 位作者 肖定全 朱建国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期126-129,共4页
通过传统固相合成工艺制备了(K0.465+xNa0.465+yLi0.07)(Nb0.95-zSb0.05)O3(x,y,z=-0.01~0.02)无铅压电陶瓷,研究了非化学计量比对陶瓷结构及压电性能的影响。结果表明符合化学计量比的陶瓷具有四方钙钛矿结构;在实验范围内,K和Nb的过... 通过传统固相合成工艺制备了(K0.465+xNa0.465+yLi0.07)(Nb0.95-zSb0.05)O3(x,y,z=-0.01~0.02)无铅压电陶瓷,研究了非化学计量比对陶瓷结构及压电性能的影响。结果表明符合化学计量比的陶瓷具有四方钙钛矿结构;在实验范围内,K和Nb的过量或少量均不会改变体系的相结构,而Na过量将会导致体系正交-四方相变温度升高到室温以上,并且正交-四方相变温度随y的增加而升高;过量添加约0.5%(摩尔分数)的K或Na便能补偿在高温烧结时的碱金属元素的挥发损失,进而提高陶瓷的压电性能;该体系陶瓷的组分在较大范围内变化时(如当y=z=0时,x=0~0.02;当x=z=0时,y=0~0.01;以及当x=y=0时,z=-0.01~0.005),仍然能保持d33>200pC/N和kP>40%这样较好的性能。上述结果不仅有利于在研究中材料制备工艺的重复,而且有利于当材料在器件应用时所面临的规模化生产。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 相变 压电性能 钙钛矿 K0.5Na0.5NbO3(KNN)
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KNN/PVDF纳米复合膜的制备及介电性能研究 被引量:2
9
作者 郑茂梅 温阿利 +2 位作者 谢方圆 朱小红 朱基亮 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期11131-11134,共4页
采用聚合物前驱体法合成了K0.5Na0.5NbO3(KNN)纳米粉体.X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,制备出的KNN 粉体为单-的纯钙钛矿结构,并且其晶粒尺寸在15-25nm 之间.采用溶液混合法制备了KNN/聚偏氟乙烯(KNN/PVDF)纳... 采用聚合物前驱体法合成了K0.5Na0.5NbO3(KNN)纳米粉体.X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,制备出的KNN 粉体为单-的纯钙钛矿结构,并且其晶粒尺寸在15-25nm 之间.采用溶液混合法制备了KNN/聚偏氟乙烯(KNN/PVDF)纳米复合膜,研究了KNN 纳米粉体的含量对复合膜微观形貌和介电性能的影响.结果表明,KNN纳米粉体均匀地分散在聚偏氟乙烯(PVDF)基体中,KNN/PVDF复合膜材料的介电常数和介电损耗均随着KNN 含量的增加而增加.在1kHz下,当KNN 质量分数为20%时,复合膜的介电性能较为优越,其介电常数为29.9,介电损耗为0.053. 展开更多
关键词 K0.5NA0.5NBO3 PVDF 纳米复合膜 介电性能
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K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-LiSbO_3-BiMnO_3无铅压电陶瓷的常压烧结与压电性能 被引量:2
10
作者 成钧 江民红 刘心宇 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1791-1795,共5页
采用传统的无压固相烧结法工艺制备微量掺杂0.2%(摩尔分数)BiMnO3(BM)的0.95K0.5Na0.5NbO3(KNN)-0.05 LiSbO3(LS)陶瓷,并研究烧结保温时间对陶瓷的结构与压电、介电性能的影响规律。研究结果表明,随烧结保温时间的延长,陶瓷的压电常数d3... 采用传统的无压固相烧结法工艺制备微量掺杂0.2%(摩尔分数)BiMnO3(BM)的0.95K0.5Na0.5NbO3(KNN)-0.05 LiSbO3(LS)陶瓷,并研究烧结保温时间对陶瓷的结构与压电、介电性能的影响规律。研究结果表明,随烧结保温时间的延长,陶瓷的压电常数d33和机电耦合系数kp先显著升高,当保温时间为7 h时,趋于稳定,介电常数εr也随保温时间的延长而升高;机械品质因数Qm和介电损耗tanδ则一直降低。在1 100℃保温烧结9 h时,陶瓷具有最好的电性能:压电常数d33=228 pC/N,机电耦合系数kp=43%,机械品质因数Qm=55,介电损耗tanδ=0.017 8;随保温时间的延长,陶瓷的相转变温度θo-t有所降低,居里温度θc则明显升高。所有陶瓷样品在35~200℃内的介电损耗tanδ均有小于0.02。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 K0.5NA0.5NBO3 烧结 保温时间 压电性能
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Nb掺杂BaTiO%_3-Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3陶瓷系统PTCR性能的研究 被引量:3
11
作者 韦继锋 蒲永平 毛玉琴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期145-148,共4页
采用固相反应法制备了Nb2O5掺杂的(1-x)BaTiO3-xBi0.5K0.5TiO3(BT-BKT,0≤x≤0.02)系统陶瓷,研究了Nb2O5和BKT掺杂量对该系统陶瓷显微结构和电性能的影响。结果表明:BaTiO3陶瓷的晶格轴率c/a值随着BKT含量的增加而变大,陶瓷具有良好的... 采用固相反应法制备了Nb2O5掺杂的(1-x)BaTiO3-xBi0.5K0.5TiO3(BT-BKT,0≤x≤0.02)系统陶瓷,研究了Nb2O5和BKT掺杂量对该系统陶瓷显微结构和电性能的影响。结果表明:BaTiO3陶瓷的晶格轴率c/a值随着BKT含量的增加而变大,陶瓷具有良好的晶粒和明显的晶界。BT-BKT陶瓷的居里温度(Tc)也随着BKT的加入向高温移动,当x=0.01时,Tc提高到150℃,但室温电阻率(ρRT)随着BKT含量的增加也快速增大。 展开更多
关键词 BaTiO3-Bi0.5 K0.5TiO3 陶瓷 正温度系数电阻率 居里温度
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准同型相界内KNN-LS-BF无铅压电陶瓷的烧结与压电性能 被引量:1
12
作者 江民红 刘心宇 +2 位作者 陈国华 龚晓斌 周昌荣 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期1290-1294,共5页
采用传统的陶瓷工艺制备成分处于准同型相界(MPB)内的无铅压电陶瓷0.956K0.5Na0.5NbO3-0.004BiFeO3-0.04LiSbO3(0.956KNN-0.004BF-0.04LS),研究烧结温度对陶瓷的结构与压电、介电性能和相变温度的影响。研究结果表明:所有样品均为单一... 采用传统的陶瓷工艺制备成分处于准同型相界(MPB)内的无铅压电陶瓷0.956K0.5Na0.5NbO3-0.004BiFeO3-0.04LiSbO3(0.956KNN-0.004BF-0.04LS),研究烧结温度对陶瓷的结构与压电、介电性能和相变温度的影响。研究结果表明:所有样品均为单一的钙钛矿结构;在1 100℃以下烧结的样品的相结构均呈现明显的正交相与四方相共存的特征,同时略偏向四方相区;适当的烧结温度的提高,能促进陶瓷的致密化;随着烧结温度的升高,陶瓷的压电性能先显著提高后降低,陶瓷的介电损耗先降低后提高,但对正交相与四方相转变温度(θo-t)和居里温度(θc)的影响比较小;当烧结温度为1 100℃时,陶瓷具有最好的压电与介电性能,其压电常数(d33)高达297 pC/N,机电耦合系数(kp)高达54%,居里温度为355℃,tanδ为2.6%,这表明0.956KNN-0.004BF-0.04LS无铅压电陶瓷具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 K0.5NA0.5NBO3 烧结温度 压电性能
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(K_(0.5)Na_(0.5))(Ta_xNb_(1-x))O_3无铅压电陶瓷的性能特征 被引量:2
13
作者 刘春凤 黄焱球 +2 位作者 高兰芳 周飞 宛新武 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期21-23,35,共4页
采用传统电子陶瓷制备工艺制备了(K0.5Na0.5)(TaxNb1-x)O3无铅压电陶瓷。研究了不同Ta含量下(K0.5Na0.5)(TaxNb1-x)O3陶瓷的晶相组成及性能特征。结果表明,(K0.5Na0.5)(TaxNb1-x)O3陶瓷在低Ta含量时形成单一斜方相固溶体,但Ta含量达到0.... 采用传统电子陶瓷制备工艺制备了(K0.5Na0.5)(TaxNb1-x)O3无铅压电陶瓷。研究了不同Ta含量下(K0.5Na0.5)(TaxNb1-x)O3陶瓷的晶相组成及性能特征。结果表明,(K0.5Na0.5)(TaxNb1-x)O3陶瓷在低Ta含量时形成单一斜方相固溶体,但Ta含量达到0.08mol后则有K6Ta10.8O30次晶相产生。随着Ta的加入,陶瓷的体积密度逐渐增大,居里温度(Tc)逐渐降低。当Ta含量为0.08mol时陶瓷具有良好的铁电、压电性能和介电稳定性能,其压电常数d33为76pC/N。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 (K0.5Na0.5)(TaxNb1-x)O3 介电 性能 铁电性能 压电性能
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铌酸盐无铅压电薄膜的脉冲激光沉积制备研究 被引量:2
14
作者 陆雷 肖定全 +2 位作者 赁敦敏 张永彬 朱建国 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期94-96,99,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了新型Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3无铅压电陶瓷薄膜,分别利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了该薄膜的晶体结构及表面形貌,分析研究了制备技术和工艺对薄膜晶体... 采用脉冲激光沉积(PLD)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了新型Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3无铅压电陶瓷薄膜,分别利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了该薄膜的晶体结构及表面形貌,分析研究了制备技术和工艺对薄膜晶体结构及表面形貌的影响。研究结果表明:薄膜的热处理温度和氧气压力对所生长的薄膜影响较大;制备Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3薄膜的最佳退火温度和氧气压力分别为650℃和30 Pa;利用脉冲激光沉积的Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3无铅压电陶瓷薄膜具有精细的表面结构。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(PLD) Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3 无铅压电薄膜
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水热法制备K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3陶瓷粉体及其介电性能研究 被引量:2
15
作者 江向平 林玫 +3 位作者 涂娜 陈超 李小红 李月明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第2期276-279,共4页
采用水热法合成了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)无铅压电陶瓷粉体。运用X线衍射(XRD)分析了KOH浓度及反应时间对产物物相的影响;利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察研究了粉体的形貌。结果表明,增大碱浓度(4~12 mol/L)和延长反应时... 采用水热法合成了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)无铅压电陶瓷粉体。运用X线衍射(XRD)分析了KOH浓度及反应时间对产物物相的影响;利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察研究了粉体的形貌。结果表明,增大碱浓度(4~12 mol/L)和延长反应时间都有利于KBT纳米粉体的合成。在220℃,KOH的起始浓度12 mol/L水热合成48 h的纯KBT相呈立方形结构,晶型规整,晶粒尺寸约为100 nm。由水热法制备的粉体在1 060℃烧结,获得介电损耗为0.05的致密压电陶瓷材料。 展开更多
关键词 水热法 K0.5Bi0.5TiO3 纳米粉体
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无铅高居里点BaTiO_3-Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3陶瓷的制备及其PTC性能的研究 被引量:2
16
作者 韦继锋 蒲永平 毛玉琴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期44-47,59,共5页
采用固相反应法制备了(1-x)BaTiO3-xBi0.5K0.5TiO3(BT-BKT,x=0,0.1和0.2),对陶瓷样品进行X射线衍射、扫描电镜、介电常数-温度及电阻率-温度测试分析,研究了掺杂BKT对该系统陶瓷相组成、显微结构和电性能的影响。结果表明:BaTiO3陶瓷的... 采用固相反应法制备了(1-x)BaTiO3-xBi0.5K0.5TiO3(BT-BKT,x=0,0.1和0.2),对陶瓷样品进行X射线衍射、扫描电镜、介电常数-温度及电阻率-温度测试分析,研究了掺杂BKT对该系统陶瓷相组成、显微结构和电性能的影响。结果表明:BaTiO3陶瓷的晶格参数c轴值随着BKT含量的增加基本不变,而a轴值有所减小。BT-BKT陶瓷的居里温度(Tc)随着BKT的加入向高温移动,当x=0.1和0.2时,Tc分别提高至170℃和185℃左右;但室温电阻率随着BKT含量的增加明显增大。 展开更多
关键词 固相法 BaTiO3-Bi0.5K0.5TiO3 电阻率 居里温度
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K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-La_2O_3无铅压电陶瓷性能的研究 被引量:1
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作者 余祖灯 江向平 +2 位作者 杨庆 陈超 涂娜 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2009年第3期276-280,共5页
采用传统固相反应法制备了K0.5Na0.5NbO3-xmol%La2O3(简称KNN-xLa)系列无铅压电陶瓷,研究了不同La2O3含量(x=0.0,0.05,0.15,0.25,0.35,0.5,1.0)样品的物相组成、显微结构、压电及介电性能。实验结果表明:La2O3的加入并没有改变陶瓷的相... 采用传统固相反应法制备了K0.5Na0.5NbO3-xmol%La2O3(简称KNN-xLa)系列无铅压电陶瓷,研究了不同La2O3含量(x=0.0,0.05,0.15,0.25,0.35,0.5,1.0)样品的物相组成、显微结构、压电及介电性能。实验结果表明:La2O3的加入并没有改变陶瓷的相结构,体系仍为单一正交相钙钛矿结构。随着掺杂量x的增大样品的压电系数(d33)、机械品质因子(Qm)、平面机电耦合系数(kp)和样品密度(ρ)都呈现先增大后减少的变化趋势,而介质损耗(tanδ)呈现先变小后增大的变化趋势,烧成温度则随着x的增大而升高。当x=0.15时,材料的综合性能达到最佳,其中ρ=4.52g/cm3,d33=120pC/N,Qm=130,kp=0.41,tanδ=0.021。此外,随着x的增大,居里温度Tc则呈现出先升高后降低的趋势,而正交相向四方相的转变温度To-t与Tc变化相反,且当x=0.15时,To-t=189℃,Tc=404℃。 展开更多
关键词 K0.5NA0.5NBO3 LA2O3 无铅压电陶瓷 压电性能 介电性能
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脉冲激光沉积Bi0.5(Na0.7K0.1Li0.2)0.5TiO3无铅压电薄膜的研究 被引量:1
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作者 陆雷 肖定全 +2 位作者 赁敦敏 张永彬 朱建国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期915-918,共4页
采用脉冲激光沉积制备了新型无铅压电Bi0.5(Na0.7K0.1Li0.2)0.5TiO3陶瓷薄膜,分别利用X射线衍射仪、X射线光电子谱、俄歇电子能谱、原子力显微镜及扫描电镜研究了该薄膜的晶体结构、组成成分及表面形貌。结果表明,薄膜基体温度和工作气... 采用脉冲激光沉积制备了新型无铅压电Bi0.5(Na0.7K0.1Li0.2)0.5TiO3陶瓷薄膜,分别利用X射线衍射仪、X射线光电子谱、俄歇电子能谱、原子力显微镜及扫描电镜研究了该薄膜的晶体结构、组成成分及表面形貌。结果表明,薄膜基体温度和工作气压对所生长的薄膜影响较大;在SiO2/Si基片上制备Bi0.5(Na0.7K0.1Li0.2)0.5TiO3薄膜的最佳温度和氧气压力分别为600℃和13Pa;利用脉冲激光沉积的薄膜具有精细的表面结构。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 Bi0.5(Na0.7K0.1Li0.2)0.5TiO3 薄膜
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(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3无铅压电陶瓷的制备及性能研究 被引量:1
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作者 王林芳 常云飞 杨祖培 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期591-594,共4页
目的制备(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)无铅压电陶瓷并研究其结构和性能。方法采用传统固相法,用XRD,SEM等手段对KNN无铅压电陶瓷材料的相结构和显微形貌进行了表征。结果KNN压电陶瓷材料为单一的正交晶系的钙钛矿结构。对KNN无铅压电陶瓷的电... 目的制备(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)无铅压电陶瓷并研究其结构和性能。方法采用传统固相法,用XRD,SEM等手段对KNN无铅压电陶瓷材料的相结构和显微形貌进行了表征。结果KNN压电陶瓷材料为单一的正交晶系的钙钛矿结构。对KNN无铅压电陶瓷的电性能测试表明,KNN陶瓷具有高的压电常数d33=127 pC/N,高的机电耦合系数Kp=0.41,高的温度Tc=428℃和低的介电损耗tanδ=0.028(10 kHz)的优点;KNN陶瓷存在着饱满的电滞回线,其剩余极化率Pr为18.8μC/cm2,其矫顽场Ec为9.65 kV/cm;所得的陶瓷的密度和电性能要远优于用同样制备方法和烧结方式所得的陶瓷的性能,并且也优于用等静压工艺所得的陶瓷的性能。结论KNN陶瓷是高频压电器件较理想的备选材料之一。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 (K0.5Na0.5)NbO3 压电性能 介电性能 铁电性能
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乙二醇溶剂热法制备K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3陶瓷粉体 被引量:3
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作者 周媛 蔡艳芝 +1 位作者 李玉祥 吴华霞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期205-210,共6页
采用乙二醇溶剂热法制备K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3陶瓷粉体,系统研究了V(EG)/V(H_2O)、反应温度、前驱液浓度对粉体物相、形貌及颗粒尺寸的影响。结果表明,反应温度230℃,反应时间7h,V(EG)/V(H2O)≤3∶2可获得纯相的K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3粉... 采用乙二醇溶剂热法制备K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3陶瓷粉体,系统研究了V(EG)/V(H_2O)、反应温度、前驱液浓度对粉体物相、形貌及颗粒尺寸的影响。结果表明,反应温度230℃,反应时间7h,V(EG)/V(H2O)≤3∶2可获得纯相的K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3粉体;温度升高粉体的结晶性变差;当溶液浓度为6mol/L时,粉体出现球形和正方体两种形貌,反应物浓度增大粉体均出现正方体形貌且颗粒尺寸减小,当浓度为10mol/L、V(EG)/V(H2O)=1∶4时,粉体颗粒尺寸最小。 展开更多
关键词 乙二醇溶剂热K0.5Na0.5NbO3粉体
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