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题名一种K波段晶圆级封装器件化R组件设计
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作者
朱贵德
罗鑫
王军会
罗里
何小峰
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机构
西南电子技术研究所
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出处
《电讯技术》
北大核心
2025年第6期980-985,共6页
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文摘
介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和砷化镓(GaAs)工艺相结合的芯片架构,实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封扇出晶圆级封装工艺,通过在两种芯片上合理设置接地焊盘位置,再借助晶圆级封装的再布线设计和植球工艺,实现单个封装内多通道间以及多个封装间的良好电磁屏蔽。采用多物理场协同仿真方式,将无源互连的场级全波仿真结果与有源电路的电路级仿真结果进行场路协同联合仿真,通过场路协同调谐优化,得到最优宽带匹配效果,研制出了一款晶圆级扇出封装器件化R组件。实测表明在K波段噪声系数小于2.1 dB,小信号增益大于22 dB,延时误差均方根小于1.8 ps。R组件尺寸为11 mm×8 mm×0.7 mm,重量仅0.2 g。该设计方案充分发挥了CMOS工艺数模混合集成能力和GaAs工艺优异的射频性能,实现了R组件更高的功能密度、通道密度和低成本需求,具有一定的工程应用价值。
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关键词
相控阵天线
k波段r组件
晶圆级扇出封装
场路协同仿真
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Keywords
phased array antenna
k-band rx module
wafer-level fan-out package
field-circuit co-simulatio
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分类号
TN453
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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