基于ISFET的尼古丁传感器的研究 被引量：2

1

作者 李先文 杨伯伦 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期234-236,共3页

报道了一种测定尼古丁的新方法。用二苦胺作电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成尼古丁传感器 ,测定尼古丁的线性范围为 1 .0×1 0 - 2 ～ 3.0× 1 0 - 5mol/L,适宜的 p H值范围为 5 .0～ 8.5 ,传感器... 报道了一种测定尼古丁的新方法。用二苦胺作电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成尼古丁传感器 ,测定尼古丁的线性范围为 1 .0×1 0 - 2 ～ 3.0× 1 0 - 5mol/L,适宜的 p H值范围为 5 .0～ 8.5 ,传感器灵敏度为 5 8.0 m V/pc。用该传感器分析烟草中的尼古丁含量 。 展开更多

关键词 isfet 尼古丁 化学传感器 二苦胺 离子敏感场效应晶体管 药物敏感膜 烟草 生物碱 分析

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基于壳聚糖膜的ISFET麻黄碱传感器的研究 被引量：1

2

作者 李先文 杨伯伦 《传感技术学报》 CAS CSCD 2003年第3期332-334,共3页

以硅钨酸为电活性物质 ,用壳聚糖代替传统的聚氯乙烯 (PVC)作为成膜物质 ,制成药物敏感膜。将其与离子敏感场效应晶体管 (ISFET)相结合 ,制成药物敏感传感器。传感器对麻黄碱有良好的响应 ,能斯特范围为 5 0× 10 - 5～ 1 0× ... 以硅钨酸为电活性物质 ,用壳聚糖代替传统的聚氯乙烯 (PVC)作为成膜物质 ,制成药物敏感膜。将其与离子敏感场效应晶体管 (ISFET)相结合 ,制成药物敏感传感器。传感器对麻黄碱有良好的响应 ,能斯特范围为 5 0× 10 - 5～ 1 0× 10 - 2 mol·L- 1 ,响应的灵敏度为 5 8 3mV/pC(C的单位为mol·L- 1 ) ,适宜的pH范围是 3 5～ 8 0。利用该传感器分析麻黄碱片剂含量 。 展开更多

关键词 壳聚糖 离子敏感场效应晶体管 isfet 药物敏感传感器 麻黄碱

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参比场效应晶体管(REFET)及其与ISFET集成化的研究 被引量：1

3

作者 王东红 武士香 +2 位作者 虞惇 王贵华 沈汉平 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第1期19-23,共5页

本文介绍为实现带有参比电极的ISFET测量探头微型化而研制成的一种新型探头。采用等离子聚合方法在ISFET敏感栅上覆盖一层聚苯烯薄膜(PPS),使其成为对H^+不敏感的参比场效应晶体管(REFET)。而后采用IC艺,将ISFET,REFET和伪参比电极集成... 本文介绍为实现带有参比电极的ISFET测量探头微型化而研制成的一种新型探头。采用等离子聚合方法在ISFET敏感栅上覆盖一层聚苯烯薄膜(PPS),使其成为对H^+不敏感的参比场效应晶体管(REFET)。而后采用IC艺,将ISFET,REFET和伪参比电极集成化,得到可用于微量溶液测量的微型探头,将探头中的ISFET和REFET按差分对管方式连接于差放线路中,由于两管对溶液中pH值响应不同,可输出随pH值变化的差模信号。研制的REFET在pH4～pH11范围内几乎无响应,表明了PPS膜具有较少的表面态及良好的H^+掩蔽性。用集成化探头测量pH值,灵敏度可达55mV/pH。 展开更多

关键词 聚苯乙烯 等离子聚合 半导体集成电路 PH测量 离子敏场 效应晶体管

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新型pH-ISFET芯片系统研究

4

作者 汪祖民 任振兴 +3 位作者 韩泾鸿 边超 杨海钢 夏善红 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第10期2525-2528,共4页

该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统。采用商业标准CMOS工艺实现了基础集成芯片,探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺,着重研究电聚合法制备的H^+敏感PPy膜;与采用低... 该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统。采用商业标准CMOS工艺实现了基础集成芯片,探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺,着重研究电聚合法制备的H^+敏感PPy膜;与采用低温Ta_2O_5敏感薄膜技术研制的集成芯片进行了比较。集成芯片具有灵敏度54mV/pH,响应时间0.1s,在pH1～12范围内线性相关系数99.99%的优良性能。 展开更多

关键词 离子敏场效应管 片上系统 聚吡咯 五氧化二钽 敏感膜

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聚合物在pH-ISFET研究中的应用

5

作者 汪祖民 韩泾鸿 +2 位作者 任振兴 陈绍凤 夏善红 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2007年第4期1-3,共3页

聚合物具有许多无机物没有的特性,已被越来越多地应用到pH-ISFET中,主要体现在4个方面,即pH敏感膜、pH钝化膜、结构材料及封装材料。在介绍pH-ISFET工作机理的基础上,分析了其对功能薄膜的要求,总结、比较了各种用于pH-ISFET的聚合物的... 聚合物具有许多无机物没有的特性,已被越来越多地应用到pH-ISFET中,主要体现在4个方面,即pH敏感膜、pH钝化膜、结构材料及封装材料。在介绍pH-ISFET工作机理的基础上,分析了其对功能薄膜的要求,总结、比较了各种用于pH-ISFET的聚合物的特性、制备方法及其应用。 展开更多

关键词 离子敏场效应管 敏感膜 钝化膜 聚合物

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CMOS兼容的ISFET传感器模型和测量电路研究

6

作者 王阳 刘高平 +1 位作者 郭锋 尹湘源 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2007年第2期19-20,24,共3页

随着CMOS工艺的不断发展,将离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器与CMOS技术相结合,以达到提高集成度、降低成本、减小系统尺寸、提高系统可靠性。在对与CMOS工艺兼容的ISFET传感器结构模型分析的基础上,研究了一种测量电路,它具有有利于消... 随着CMOS工艺的不断发展,将离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器与CMOS技术相结合,以达到提高集成度、降低成本、减小系统尺寸、提高系统可靠性。在对与CMOS工艺兼容的ISFET传感器结构模型分析的基础上,研究了一种测量电路,它具有有利于消除体效应的影响、减少共模噪声的影响、克服温度漂移等优点。对该测量电路进行模拟仿真,得到输出电压与pH值之间的关系图,结果表明:其结果与理论模型仿真值基本吻合。 展开更多

关键词 isfet传感器 CMOS工艺 pH值 测量电路

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管传感器的栅极功能化处理方法综述

7

作者 王浩宇 郭焱 +3 位作者 周玉刚 陈敦军 张荣 郑有炓 《材料导报》 北大核心 2025年第13期38-47,共10页

半导体场效应晶体管(FET)在传感器中的应用是当前传感领域的热门研究方向之一。以AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)等为代表,FET传感器在检测限、灵敏度、特异性和操作便捷性等方面均优势明显,且易于集成化。器件传感表面的功能化处... 半导体场效应晶体管(FET)在传感器中的应用是当前传感领域的热门研究方向之一。以AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)等为代表,FET传感器在检测限、灵敏度、特异性和操作便捷性等方面均优势明显,且易于集成化。器件传感表面的功能化处理是器件制造的核心工艺之一,是场效应晶体管传感器后续发展的重要方向。本文综述了国内外基于AlGaN/GaN HEMT的传感器栅极功能化处理方法的研究进展,分别对气体、溶液离子和生物物质检测等常用的处理方法进行了介绍,并指出了一些现有处理手段中存在的局限性,展望了未来相关研究的部分发展方向。 展开更多

关键词 高电子迁移率晶体管 栅极功能化处理 气体探测 离子敏传感器 生物传感

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基于ISFET的克咳敏传感器的研究

8

作者 罗文谦 李先文 《传感技术学报》 CAS CSCD 2002年第3期256-257,共2页

本文报道了一种测定克咳敏的新方法 ,用硅钨酸作为电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器 ,测定克咳敏的线性范围为 5 .0× 10 -2 ～ 5 .0× 10 -5mol/L ;适宜的 pH范围为 4 .... 本文报道了一种测定克咳敏的新方法 ,用硅钨酸作为电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器 ,测定克咳敏的线性范围为 5 .0× 10 -2 ～ 5 .0× 10 -5mol/L ;适宜的 pH范围为 4 .0～ 7.5 ;响应灵敏度为 5 9.5mV/Pc.用该传感器测定克咳敏片剂的含量 ,结果和药典方法相一致 . 展开更多

关键词 硅钨酸 克咳敏 离子敏感场效应晶体管 药物分析

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ISFET在FIA中的应用

9

作者 王贵华 虞惇 +2 位作者 武士香 孙玉德 姚建庭 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第2期10-17,共8页

本文介绍了把pH-ISFET用作检测器的单管道FIA测量系统,研究了该系统中流动注射参数的影响,探讨了标准曲线法与测量范围的拓展方法。研究表明,用ISFET作为FIA的检测器,与其它种类检测器的规律相似。FIA-ISFET系统具有测量速度快、样品与... 本文介绍了把pH-ISFET用作检测器的单管道FIA测量系统,研究了该系统中流动注射参数的影响,探讨了标准曲线法与测量范围的拓展方法。研究表明,用ISFET作为FIA的检测器,与其它种类检测器的规律相似。FIA-ISFET系统具有测量速度快、样品与试剂用量少、重现性好及操作简便等特点。其测量范围和测量精度与ISFET的静态测量方法相同。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 流动注射分析技术

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单片机在H^+-ISFET pH计中的应用

10

作者 曾一凡 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1990年第4期89-94,共6页

本文是单片机氢离子敏场效应管pH计的研制总结。文中论述了把单片机应用于氢离子敏场效应管pH计中的数学模型和实现方法,以及软件、硬件的组成方式等。

关键词 PH计 氢离子 场效应晶体管 微机

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离子敏场效应晶体管(ISFET)的研究进展 被引量：3

11

作者 张彩霞 马小芬 +3 位作者 申霖 邓家春 华玉林 印寿根 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期9-12,共4页

以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用。综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能... 以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用。综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能的方向发展。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 生物传感器 敏感膜

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基于ISFET的农药检测生物传感技术 被引量：2

12

作者 吴庆英 杨中平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第12期4-7,共4页

随着微电子、生物技术的发展,离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感技术已应用于农药检测,并显示出较好的优越性,而我国对基于ISFET的农药检测生物技术研究尚未展开。简单介绍了基于IS-FET的生物传感器的结构、原理,重点探讨了其在农药检... 随着微电子、生物技术的发展,离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感技术已应用于农药检测,并显示出较好的优越性,而我国对基于ISFET的农药检测生物技术研究尚未展开。简单介绍了基于IS-FET的生物传感器的结构、原理,重点探讨了其在农药检测方面的研究应用,分析了ISFET生物传感器存在的问题与未来的发展。 展开更多

关键词 农药 检测 离子敏场效应晶体管 生物传感器

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全固态AlGaN/GaN ISFET pH传感器的温度特性 被引量：2

13

作者 戴雅琼 黄德佳 +2 位作者 邢洁莹 潘郑州 张佰君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期734-739,共6页

制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管（ISFET）结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感... 制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管（ISFET）结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感器分别在15,45和75℃下对不同pH值的微升标准溶液进行了测量。实验结果表明,随着温度升高,pH传感器的敏感度增大,其变化趋势与理论相符。当温度为75℃时,器件灵敏度达到50. 9 mV/pH。同时,实验中还观察到传感器的阈值电压随温度升高产生了正向漂移。通过传输线模型测试以及对肖特基圆环进行电容-电压特性测试,发现阈值电压变化的原因在于载流子迁移率随温度升高而明显降低。 展开更多

关键词 ALGAN/GAN异质结 离子敏感场效应晶体管(isfet) 全固态 PH传感器 阈值电压

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磷钨酸涂覆ISFET制作DrugFET的研究 被引量：1

14

作者 李先文 黄强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期45-46,50,共3页

用磷钨酸涂覆离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）制成药物敏感场效应晶体管（ＤｒｕｇＦＥＴ）。该器件具有全固态化、易微型化、集成化和多功能化等特点。用其对药物制剂的含量进行测定，所得结果和药典分析结果一致。

关键词 磷钨酸 离子敏感 场效应晶体管 药物分析 isfet

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pH-ISFET在电位滴定中的应用

15

作者 王政祥 武世香 《传感器技术》 CSCD 1990年第2期49-53,共5页

本文介绍了以pH-ISFET为检测器的电位滴定系统,研究了强酸与强碱的滴定。用pH-ISFET作为检测器,与其它种类检测器的滴定规律相似,pH-ISFET电位滴定系统可将被检测液的浓度下限拓展到10^(-5)N数量级。该系统辨认等当点的能力强,而且具有... 本文介绍了以pH-ISFET为检测器的电位滴定系统,研究了强酸与强碱的滴定。用pH-ISFET作为检测器,与其它种类检测器的滴定规律相似,pH-ISFET电位滴定系统可将被检测液的浓度下限拓展到10^(-5)N数量级。该系统辨认等当点的能力强,而且具有设备简单、操作方便、重现性好、适用性强等特点。 展开更多

关键词 电位滴定技术 pH-ISFEF 酸碱滴定

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用银-氯化银作ISFET参比电极的可行性研究 被引量：1

16

作者 何杏君 王守琦 《电子科学学刊》 EI CSCD 1989年第4期444-448,共5页

本文叙述了用银-氯化银作参比电极的复合离子敏感场效应晶体管的制备、原理和测量结果。通过实验和理论分析,提出了用无液接的银-氯化银电极作参比电极的可行性和克服其不稳定性的途径;并对用银-氯化银参比电极测量Na^+,Ca^(++)等阳离子... 本文叙述了用银-氯化银作参比电极的复合离子敏感场效应晶体管的制备、原理和测量结果。通过实验和理论分析,提出了用无液接的银-氯化银电极作参比电极的可行性和克服其不稳定性的途径;并对用银-氯化银参比电极测量Na^+,Ca^(++)等阳离子时,敏感场效应晶体管不符合能斯特响应的现象进行了解释。 展开更多

关键词 参比电极 银-氯化银 晶体管 isfet

全文增补中

扑尔敏ISFET化学传感器的研制与应用

17

作者 刘亚强 李先文 黄强 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期459-460,共2页

以苯并 15 冠 5作为电活性物质 ,邻苯二甲酸二辛酯作增塑剂 ,制成了PVC膜药物敏感场效应晶体管化学传感器 ,该传感器对扑尔敏的线性响应范围为 0 .5～ 3.0× 10 - 6mol·L- 1,具有较好的选择性、稳定性和重现性。用该传感器... 以苯并 15 冠 5作为电活性物质 ,邻苯二甲酸二辛酯作增塑剂 ,制成了PVC膜药物敏感场效应晶体管化学传感器 ,该传感器对扑尔敏的线性响应范围为 0 .5～ 3.0× 10 - 6mol·L- 1,具有较好的选择性、稳定性和重现性。用该传感器对扑尔敏进行测定 。 展开更多

关键词 场效应晶体管 化学传感器 苯并15-冠-5 扑尔敏 抗阻胺药物 药物分析

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硅钨酸-丁氯喘ISFET的研制与应用

18

作者 刘亚强 李先文 +1 位作者 黄西潮 黄强 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期56-59,共4页

以硅钨酸为活性物质 ,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂制成的 5%聚氯乙烯四氢呋喃溶液 ,涂在离子敏感场效应晶体管 ( ISFET)的栅极上 ,形成对药物敏感的场效应晶体管 ( Drug FET)。由该 Drug FET制成的化学传感器对盐酸丁氯喘的线性响应范围为... 以硅钨酸为活性物质 ,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂制成的 5%聚氯乙烯四氢呋喃溶液 ,涂在离子敏感场效应晶体管 ( ISFET)的栅极上 ,形成对药物敏感的场效应晶体管 ( Drug FET)。由该 Drug FET制成的化学传感器对盐酸丁氯喘的线性响应范围为 1 .0 0× 1 0 - 5～ 1 .50× 1 0 - 1mo L/L,斜率为 60 m V/Δpc,适宜的 p H范围为 4.5～8.2 ,检测下限为 8.50× 1 0 - 6 mo L/L。用该传感器分析了丁氯喘片剂的含量 。 展开更多

关键词 盐酸丁氯喘 硅钨酸 离子敏感场效应晶体管 药物分析 呼吸系统药物 测定方法

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MOSFET功率管器件单粒子烧毁效应(SEB)截面测量 被引量：4

19

作者 李志常 李淑媛 +2 位作者 刘建成 曹洲 杨世宇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2004年第5期395-398,共4页

对MOSFET功率管进行了16O、35Cl、79Br离子及高剥离态127I离子的单粒子烧毁(SEB)效应截面测量,得到了SEB截面相对于线性能量转移(LET)值的曲线。对两种类型10片MOSFET功率管器件的SEB截面进行了测量。研究了器件在不同工作条件下,如不... 对MOSFET功率管进行了16O、35Cl、79Br离子及高剥离态127I离子的单粒子烧毁(SEB)效应截面测量,得到了SEB截面相对于线性能量转移(LET)值的曲线。对两种类型10片MOSFET功率管器件的SEB截面进行了测量。研究了器件在不同工作条件下,如不同的漏源电压VDS和栅源电压VGS条件下的SEB效应。在相同条件下,127I的SEB截面比79Br的高近两个量级。 展开更多

关键词 单粒子 截面测量 截面比 高剥离态 能量转移 线性 离子 MOSFET 功率管 SEB

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CMOS微环境pH传感芯片研究 被引量：4

20

作者 施朝霞 朱大中 《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期577-580,共4页

基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100μm×100... 基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100μm×100μm电极提供参考电位,消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象。缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量,器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44mV/pH,线性度在10%范围内。本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设计中。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 CMOS工艺 多层浮栅 集成参考电极

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