期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
CuPc-G-PAn/Perylenes异质结太阳电池性能研究 被引量:8
1
作者 封伟 韦玮 +1 位作者 曹猛 吴洪才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期384-390,共7页
对聚苯胺材料进行染料接枝改性 ,将其用作异质结光伏电池的 p型材料 ,制作出结构为导电玻璃 /酞菁铜接枝聚苯胺 (p型 ) / (n型 ) /Al)简写为 ITO/Cu Pc- G- PAn(p型 ) / (n型 ) /A1 )的有机 p- n异质结光伏电池。该电池在 37.2 W/m2... 对聚苯胺材料进行染料接枝改性 ,将其用作异质结光伏电池的 p型材料 ,制作出结构为导电玻璃 /酞菁铜接枝聚苯胺 (p型 ) / (n型 ) /Al)简写为 ITO/Cu Pc- G- PAn(p型 ) / (n型 ) /A1 )的有机 p- n异质结光伏电池。该电池在 37.2 W/m2 的碘钨灯照射下 ,开路电压 Voc=80 2 m V,短路电流 Isc=41μA/cm2 ,填充因子 FF =58 ,能量转换效率大约为 0 .51 ,它比聚苯胺及肖特基电池大得多。通过测量其电流—电压 J— V和电容—电压 C— V特性 ,研究了其光伏效应及电学性能。J— V特性表明 ,二极管的曲线因子约为 6.3,比 1大得多 ;C— V特性表明 ,在 Cu Pc- G- PAn/界面处的耗尽层约为 2 31 nm,从 p/n层的光吸收谱可知 ,光激活层在 Cu Pc- G- PAn/界面处 ,它们分别与 ITO及铝形成欧姆接触。 展开更多
关键词 性能 光伏效应 有机p-n异质结 太阳电池
在线阅读 下载PDF
效率达19.1%的全离子注入单晶硅太阳电池 被引量:2
2
作者 范玉杰 韩培德 +2 位作者 梁鹏 邢宇鹏 叶舟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期829-834,共6页
基于PESC(钝化发射极太阳电池)的电池结构,制备发射极为磷离子注入、背面场为硼离子注入的全离子注入单晶硅太阳电池,分析磷和硼离子注入的退火特性和杂质分布以及离子注入硼背场对电池性能的影响,并与常规POCl3扩散发射极电池进行对比... 基于PESC(钝化发射极太阳电池)的电池结构,制备发射极为磷离子注入、背面场为硼离子注入的全离子注入单晶硅太阳电池,分析磷和硼离子注入的退火特性和杂质分布以及离子注入硼背场对电池性能的影响,并与常规POCl3扩散发射极电池进行对比。研究表明:离子注入的硼背场可明显提高电池的长波响应,使电池的开路电压提高约100 m V,效率提高5.4%;与POCl3扩散发射极电池相比,磷离子注入发射极改善了电池的短波响应,使电池效率提高0.8%;全离子注入电池的效率达到19.1%。 展开更多
关键词 太阳电池 离子注入 扩散 发射极 背面场 退火
在线阅读 下载PDF
多晶黑硅材料及其太阳电池应用研究 被引量:2
3
作者 沈泽南 刘邦武 +4 位作者 夏洋 刘杰 李超波 刘金虎 钟思华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期729-733,共5页
利用等离子体浸没离子注入技术(PⅢ)成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜(AFM)观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度,黑硅材料表面呈小山峰结构,表面粗糙度约为50nm。利用紫外.可见一红外分光光度计测量黑硅的反射率,... 利用等离子体浸没离子注入技术(PⅢ)成功制备了多晶黑硅材料。通过原子力显微镜(AFM)观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度,黑硅材料表面呈小山峰结构,表面粗糙度约为50nm。利用紫外.可见一红外分光光度计测量黑硅的反射率,结果表明黑硅材料在300—1100nm的平均反射率为7.9%,远低于酸制绒硅片反射率。利用制备的多晶黑硅材料制备太阳电池器件,其光电转换效率可达15.88%,开路电压为605mV,短路电流密度为33.7mA/cm2。最后研究了扩散工艺对黑硅太阳电池性能的影响。 展开更多
关键词 等离子体浸没离子注入 黑硅 太阳电池
在线阅读 下载PDF
单晶硅太阳电池发射区结构设计与工艺优化 被引量:1
4
作者 周涛 刘聪 +2 位作者 陆晓东 吴元庆 夏婷婷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期28-32,共5页
首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标,对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。... 首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标,对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。仿真结果表明,发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响。当发射区表面浓度为5×10^20cm^-3,结深为0.1μm时,太阳电池转换效率最高,可达20.39%。若采用热扩散工艺制备发射区,扩散温度范围为825~850℃,扩散时间范围为10~20min;若采用离子注入工艺制备发射区,当注入剂量为1×10^17cm^-2,注入能量为5keV时,退火温度范围为850~875℃,退火时间范围为5~15min。 展开更多
关键词 单晶硅 太阳电池 发射区 表面浓度 结深 扩散 离子注入 转换效率
在线阅读 下载PDF
低能离子注入对PAn/Si异质结太阳电池的改性研究
5
作者 王辉 郑建邦 +2 位作者 曹猛 李成全 吴洪才 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期336-339,共4页
利用电化学方法制备了聚苯胺 /Si太阳电池 ,将离子注入改性技术引用到聚苯胺 /Si异质结太阳电池的改性研究中 ,对离子注入后太阳电池顶区材料的吸收光谱和热稳定性能进行了研究 ,测量了改性后电池的输出特性。研究结果表明 :经离子注入... 利用电化学方法制备了聚苯胺 /Si太阳电池 ,将离子注入改性技术引用到聚苯胺 /Si异质结太阳电池的改性研究中 ,对离子注入后太阳电池顶区材料的吸收光谱和热稳定性能进行了研究 ,测量了改性后电池的输出特性。研究结果表明 :经离子注入改性后的聚苯胺吸收光谱明显变宽 ,材料的热分解温度较注入前提高了 40℃ ,电池在 10 92W/m2 光照时的转换效率提高了 18倍 ,在 37 2W/m2 光照时的转换效率提高了近 展开更多
关键词 离子注入 聚苯胺 异质结太阳电池 掺杂
在线阅读 下载PDF
MEVVA离子注入铁镍银对DSSCs光电性能的影响
6
作者 罗军 沈晓楠 +3 位作者 庞盼 廖斌 吴先映 张旭 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期1-6,共6页
利用MEVVA技术分别将金属Fe、Ni、Ag离子注入进DSSCs结构中作为电荷传输层的TiO_2膜,表征了各金属离子注入后TiO_2膜表面形貌及晶相结构,研究了DSSCs注入前后光电性能及电池内部界面的电荷传输变化。能带理论分析显示,金属离子注入后,Ti... 利用MEVVA技术分别将金属Fe、Ni、Ag离子注入进DSSCs结构中作为电荷传输层的TiO_2膜,表征了各金属离子注入后TiO_2膜表面形貌及晶相结构,研究了DSSCs注入前后光电性能及电池内部界面的电荷传输变化。能带理论分析显示,金属离子注入后,TiO_2能带结构发生变化,并在其禁带中引入了杂质能级,不仅优化了TiO_2导带与染料LUMO能级匹配度,而且杂质能级为电荷的传输提供了额外传输"通道",从而降低了电荷传输过程中的复合率。DSSCs光电性能测试结果显示,与未注入的DSSCs相比,Fe、Ni、Ag离子注入DSSCs的光电转化率分别提高了13.6%、12.7%、34.2%。 展开更多
关键词 离子注入 染料敏化太阳能电池 电荷传输 光电性能 阻抗
在线阅读 下载PDF
高效率n型硅离子注入双面太阳电池
7
作者 李晓苇 史金超 +2 位作者 张伟 沈艳娇 李锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期211-215,共5页
为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场。基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10^-13A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区... 为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场。基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10^-13A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区间更紧凑。在电阻率为13Ω·cm的n型硅片基底上,采用磷离子注入技术工业化生产的n型硅双面太阳电池的正面平均转化效率达到了20.64%,背面平均转化效率达到了19.52%。内量子效率的分析结果显示,离子注入太阳电池效率的增益主要来自长波段光谱响应的提升。 展开更多
关键词 双面太阳电池 n型Si 转化效率 背场 离子注入
在线阅读 下载PDF
n型单晶硅太阳电池中硼离子注入发射极特性研究 被引量:1
8
作者 祝方舟 卞剑涛 刘正新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1583-1588,共6页
离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消除的缺点。该文通过对硼注入发射极退火特性进行研究,发现样品的J0e(发射极饱和电流)、少子寿命teff、ImpV... 离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消除的缺点。该文通过对硼注入发射极退火特性进行研究,发现样品的J0e(发射极饱和电流)、少子寿命teff、ImpVoc(理论开路电压)均随退火温度的升高得到显著改善。为进一步研究其机理,采用椭圆偏振光光谱对晶格损伤进行表征,并借助TCAD软件模拟分析注入后热处理所产生的硼硅团簇(BIC)等缺陷状态,从损伤修复和杂质激活两方面对硼(B)注入发射极J0e随退火温度变化的机制做出解释。 展开更多
关键词 太阳电池 离子注入 发射极 缺陷 晶格损伤
在线阅读 下载PDF
N离子注入改性SnO_2缓冲层及其CdTe太阳电池应用
9
作者 刘源 唐鹏 +4 位作者 张静全 武莉莉 李卫 王文武 冯良桓 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第17期152-157,共6页
使用等离子注入技术对SnO_2薄膜进行N离子注入改性,进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱(XPS)表征,并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果发现,对于30nm厚的SnO_2缓冲层,经过30s、10min不同时间N... 使用等离子注入技术对SnO_2薄膜进行N离子注入改性,进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱(XPS)表征,并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果发现,对于30nm厚的SnO_2缓冲层,经过30s、10min不同时间N离子注入以后,其300~800nm波长范围透过率有所降低,而体电阻率则明显增加,特别是N离子注入10min的SnO_2缓冲层,表面出现很多凹孔,呈蜂窝状结构,且对后续沉积的CdS层表面形貌产生了明显影响。Kelvin探针表征结果显示,随着N离子注入时间的延长,SnO_2缓冲层功函数逐渐增加,最高达到约5.075eV,比本征SnO_2缓冲层的功函数高出0.15eV。XPS测试结果显示,N离子注入10min后,SnO_2缓冲层N1s结合能峰位向低结合能方向发生了明显移动,而O1s结合能峰位则向高结合能方向移动了,且表面区非晶格氧所占比例增大。对比电池结果,有N离子注入改性SnO_2缓冲层的电池与无缓冲层的电池相比,效率从10%左右增加到12%以上,最高达到12.47%,其中开路电压提高最为显著,从约750mV提高到790mV以上,提升了约5%,电池的整体均匀性也明显改善。 展开更多
关键词 N离子注入 SnO2缓冲层 原子力显微镜 X射线光电子能谱 CDTE太阳电池
在线阅读 下载PDF
超薄多晶硅的掺杂、钝化及光伏特性研究
10
作者 宋志成 杨露 +4 位作者 张春福 刘大伟 倪玉凤 张婷 魏凯峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期434-440,共7页
本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅... 本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10^(15) cm^(-3),在855℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×10^(20) atoms/cm^(3),远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×10^(20) atoms/cm^(3))。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流I_(sc)升高20 mA,串联电阻R_(s)降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。 展开更多
关键词 TOPCon太阳能电池 多晶硅 掺杂 离子注入 钝化接触 寄生吸收 光电转换效率
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部