期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
O_2^+注入Si的折射率谱和弛豫时间
被引量：
1
1
作者
马德录
韩宇
《半导体情报》
1998年第1期51-55,共5页
用椭圆偏光谱仪测量了注入能量为５０ｋｅＶ、不同注入剂量的Ｏ＿２～＋注入Ｓｉ的折射率谱。计算了单晶硅电极化的弛豫时间，并对结果进行了讨论。
关键词
离子注入
椭圆偏光谱
折射率谱
硅
氧气
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
O_2^+注入Si的折射率谱和弛豫时间
被引量：
1
1
作者
马德录
韩宇
机构
辽宁大学物理系
出处
《半导体情报》
1998年第1期51-55,共5页
文摘
用椭圆偏光谱仪测量了注入能量为５０ｋｅＶ、不同注入剂量的Ｏ＿２～＋注入Ｓｉ的折射率谱。计算了单晶硅电极化的弛豫时间，并对结果进行了讨论。
关键词
离子注入
椭圆偏光谱
折射率谱
硅
氧气
Keywords
ion implantation ellipsometry spectroscopy refractive index spectrum relaxation time
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
O_2^+注入Si的折射率谱和弛豫时间
马德录
韩宇
《半导体情报》
1998
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
