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SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究
被引量：
1
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作者
邹德恕
高国
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陈建新
沈光地
张京燕
杜金玉
邓军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期36-39,共4页
介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
关键词
离子注入
自对准
半导体器件
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职称材料
题名
SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究
被引量：
1
1
作者
邹德恕
高国
陈建新
沈光地
张京燕
杜金玉
邓军
机构
北京工业大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期36-39,共4页
文摘
介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
关键词
离子注入
自对准
半导体器件
Keywords
ion implantation self aligned sige/si hbt
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究
邹德恕
高国
陈建新
沈光地
张京燕
杜金玉
邓军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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