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300keV Xe^(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应
1
作者
毛思宁
杨熙宏
+3 位作者
陈坚
刘家瑞
高文玉
朱沛然
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第5期35-38,共4页
采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe^(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
关键词
离子束
金属-硅体系
界面
反应
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职称材料
题名
300keV Xe^(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应
1
作者
毛思宁
杨熙宏
陈坚
刘家瑞
高文玉
朱沛然
机构
北京大学技术物理系
中国科学院物理研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第5期35-38,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe^(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
关键词
离子束
金属-硅体系
界面
反应
Keywords
Xe^(2+)
ion
Metal/silicon system
interface reaction induced by ion beam
分类号
TL612 [核科学技术—核技术及应用]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
300keV Xe^(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应
毛思宁
杨熙宏
陈坚
刘家瑞
高文玉
朱沛然
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
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