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Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层对In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料的光学特性影响
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作者 刘振华 刘胜威 +1 位作者 王一心 单恒升 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1433-1440,共8页
本研究聚焦Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层对In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料光学特性的影响。通过AFM表征,发现插入Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层的InGaN材料的表面粗糙度从94.42 nm显著减小到54.72 nm,降低了42.05%。HRXRD测试表明... 本研究聚焦Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层对In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料光学特性的影响。通过AFM表征,发现插入Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层的InGaN材料的表面粗糙度从94.42 nm显著减小到54.72 nm,降低了42.05%。HRXRD测试表明,材料的螺位错与刃位错密度分别下降了13.39%和45.53%,且阱垒界面的陡峭程度显著提升。PL谱分析结果表明,该材料表现出发光峰半高峰全宽变窄和发光强度增强的特征,同时观测到发光波长呈现一定程度的红移现象。研究结果发现,插入Al_(0.1)Ga_(0.9)N电子阻挡层能够有效降低In_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN多量子阱材料的缺陷密度,有效降低非辐射复合效率,进而增强材料的发光性能。此研究为高效太阳能电池的制备提供了必备的实验基础。 展开更多
关键词 in_(0.26)ga_(0.74)n/gan多量子阱 电子阻挡层 阱垒界面质量 非辐射复合中心
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