基于P3HT的有机薄膜晶体管环境稳定性提升

1

作者 李强 丁莉峰 +4 位作者 李磊磊 李禹文 李鑫旺 马佳楠 桑胜波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期23-31,共9页

电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定... 电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定性隔绝空气中的氧分子和水分子;利用聚(3-己基噻)(P3HT)共混聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有源层获得高抗氧化性和抗水解能力。测试结果表明,经过60d后器件载流子迁移率仅降低到原始值的87.91%,电流开关比降低到原来的81.90%,说明本文提出的环境稳定性提升方法优于其他方法。 展开更多

关键词 聚(3-己基噻吩)(P3HT) 有机薄膜晶体管(OTFT) 稳定性提升 表面钝化 有源层共混

在线阅读 下载PDF 职称材料

InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器 被引量：15

2

作者 刘洪 黄钊洪 +2 位作者 代贵华 黄志文 徐明六 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期19-21,共3页

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测... 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。 展开更多

关键词 共晶体薄膜 磁阻式齿轮转速传感器 锑化铟-铟

在线阅读 下载PDF 职称材料

InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性 被引量：18

3

作者 黄钊洪 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第8期7-9,共3页

通过真空镀膜工艺获得磁阻灵敏度RB R0 >4.0 (B=0 .3T)的InSb -In共晶体磁阻薄膜。公布了用X射线衍射法对这种薄膜进行物相分析的结果和它的磁阻特性曲线 ,它表明薄膜中主要含有 (111)晶面的InSb和 (10 1)晶面的In ,还有 (2 2 0 )、(... 通过真空镀膜工艺获得磁阻灵敏度RB R0 >4.0 (B=0 .3T)的InSb -In共晶体磁阻薄膜。公布了用X射线衍射法对这种薄膜进行物相分析的结果和它的磁阻特性曲线 ,它表明薄膜中主要含有 (111)晶面的InSb和 (10 1)晶面的In ,还有 (2 2 0 )、(311)、(40 0 )、(5 11)晶面的InSb和 (0 0 2 )、(10 3)、(110 )、(112 )、(2 0 0 )、(2 11)、(2 13)晶面的In ,它们构成InSb -In共晶体。 展开更多

关键词 共晶体 薄膜 磁阻效应 晶面

在线阅读 下载PDF 职称材料

InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器 被引量：9

4

作者 黄钊洪 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第7期11-13,共3页

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约... 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。 展开更多

关键词 锑化铟 共晶体 磁敏电阻 电流传感器 薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于超薄Al2O3栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用 被引量：4

5

作者 张浩 李俊 +5 位作者 赵婷婷 郭爱英 李痛快 茅帅帅 原理 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期451-460,共10页

随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重... 随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重要。我们在150 mm×150 mm大面积玻璃基底上,采用磁控溅射非晶铟镓锌氧化物(amorphous indium-gallium-zinc-oxide,a-IGZO)作为有源层,以原子层沉积(ALD)Al2O3为栅绝缘层,制备了底栅顶接触型a-IGZO TFT,并研究了50,40,30,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层对TFT器件的影响。其中,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层TFT具有最优综合性能:1 V的低工作电压、接近0 V的阈值电压和仅为65.21 mV/dec的亚阈值摆幅,还具有15.52 cm^2/(V·s)的高载流子迁移率以及5.85×10^7的高开关比。同时,器件还表现出优异的稳定性:栅极±5 V偏压1 h阈值电压波动最小仅为0.09 V以及优良的150 mm×150 mm大面积分布均一性。实现了TFT器件的低工作电压和高稳定性。最后,以该TFT器件为基础设计了共源极放大器,得到14 dB的放大增益。 展开更多

关键词 a-IGZO薄膜晶体管 Al2O3栅绝缘层 原子层沉积 共源极放大器

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体结构对Er/Yb共掺ZnO薄膜光致荧光特性的影响 被引量：2

6

作者 谭娜 段淑卿 张庆瑜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期9-13,共5页

采用脉冲磁控溅射技术制备了Er/Yb共掺ZnO薄膜,对不同退火温度下薄膜晶体结构和光致荧光(PL)光谱进行了系统分析,探讨了退火处理所导致的晶体结构变化以及反应新相的生成对Er3+离子激活、薄膜PL光谱的影响.研究结果表明,退火处理所导致... 采用脉冲磁控溅射技术制备了Er/Yb共掺ZnO薄膜,对不同退火温度下薄膜晶体结构和光致荧光(PL)光谱进行了系统分析,探讨了退火处理所导致的晶体结构变化以及反应新相的生成对Er3+离子激活、薄膜PL光谱的影响.研究结果表明,退火处理所导致的Er3+离子PL光谱的变化与薄膜的微观状态之间有着密切的联系.在室温到1050℃退火温度范围内,Er/Yb共掺ZnO薄膜为多晶结构,薄膜荧光强度的增加主要是薄膜内氧含量增加、缺陷减少使Er3+离子荧光寿命增加以及Er3+离子激活比例增加所致.当退火温度超过1050℃,荧光强度的明显降低是由新相生成造成缺陷增加以及薄膜内氧含量降低引起.在整个退火温度范围内,薄膜的PL光谱都表现为同一种光谱特性,即明锐的多峰结构,这说明Er3+在ZnO和Zn2SiO4中的周围环境非常相似. 展开更多

关键词 晶体结构 Er/Yb共掺ZnO薄膜 光致荧光

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体结构对Er/Yb共掺TiO_2薄膜荧光光谱的影响 被引量：1

7

作者 谭娜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期249-252,共4页

通过对不同退火温度下Er/Yb共掺TiO2薄膜的结构和光致荧光光谱(PL)的分析,研究了退火处理所导致的晶体结构变化对薄膜荧光光谱的影响,探讨了薄膜的结晶状态在Er3+激活、荧光光谱形状等方面的作用及可能的物理机制。研究结果表明:退火处... 通过对不同退火温度下Er/Yb共掺TiO2薄膜的结构和光致荧光光谱(PL)的分析,研究了退火处理所导致的晶体结构变化对薄膜荧光光谱的影响,探讨了薄膜的结晶状态在Er3+激活、荧光光谱形状等方面的作用及可能的物理机制。研究结果表明:退火处理所导致的Er3+的PL的变化与薄膜的相结构之间有着密切的联系。退火温度低于700℃时的宽化谱和Er/Yb共掺TiO2薄膜的非晶结构有关,多峰结构的PL是Er3+在烧绿石相ErxYb2-xTi2O7中的典型特征。 展开更多

关键词 晶体结构 ER Yb共掺 TIO2薄膜 荧光光谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法

8

《无机盐工业》 CAS 北大核心 2005年第5期61-61,共1页

本发明的Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^-3Pa，以铝的质量分数为0．1％～0．3％的锌铝合金为靶材，以纯度99．99％以上的N2O和纯度99．99％以上的Ar作为溅射气氛，A... 本发明的Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^-3Pa，以铝的质量分数为0．1％～0．3％的锌铝合金为靶材，以纯度99．99％以上的N2O和纯度99．99％以上的Ar作为溅射气氛，Ar的分压为气体总压强的15％～25％，将两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室， 展开更多

关键词 晶体薄膜 ZnO 共掺杂 气保护 AR P型 生长 磁控溅射法 气体流量计 锌铝合金 质量分数 输入装置 真空度 反应室 N2O 缓冲室 纯度

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型萘二甲酰亚胺基半导体/绝缘聚合物共混薄膜的微结构和电荷传输研究

9

作者 张悦 周涵 张发培 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期9024-9031,共8页

采用新型萘二甲酰亚胺基半导体聚合物FN2200与绝缘聚合物聚苯乙烯(PS)通过溶液相共混,并采用旋涂法制备共混薄膜的有机场效应晶体管(OFET)。发现在FN2200中加入少量PS可显著提升共混薄膜器件的电子迁移率,然而随着PS含量的增加,载流子... 采用新型萘二甲酰亚胺基半导体聚合物FN2200与绝缘聚合物聚苯乙烯(PS)通过溶液相共混,并采用旋涂法制备共混薄膜的有机场效应晶体管(OFET)。发现在FN2200中加入少量PS可显著提升共混薄膜器件的电子迁移率,然而随着PS含量的增加,载流子迁移率将急剧降低。通过氧等离子体刻蚀结合紫外-可见光吸收谱测量发现,FN2200/PS共混薄膜存在清晰的相分离结构,FN2200组分富集在在薄膜表面层而PS成分沉积在薄膜底部区。掠入射X射线衍射(GIXRD)结果发现,在FN2200中添加PS成分促使FN2200骨架链倾向于采取edge-on堆积方式,有利于载流子沿有机/介电层界面的横向传输。基于薄膜微结构表征结果,系统地解释了共混薄膜的OFET性能随PS含量的变化关系和内在机制。 展开更多

关键词 半导体聚合物 共混薄膜 相分离 场效应晶体管 电荷传输

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅氧烷侧链诱导共混薄膜垂直相分离构建可拉伸有机晶体管

10

作者 江润芳 邱龙臻 《液晶与显示》 2025年第8期1115-1121,共7页

传统共轭聚合物存在电学性能与力学性能难以协同优化的关键问题。本研究以硅氧烷侧链修饰的二酮吡咯并吡咯(DPP)基共轭聚合物(DPP-4Si)与氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SEBS)为研究对象,通过共混薄膜的制备与微相分离结构调控,开发了高... 传统共轭聚合物存在电学性能与力学性能难以协同优化的关键问题。本研究以硅氧烷侧链修饰的二酮吡咯并吡咯(DPP)基共轭聚合物(DPP-4Si)与氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(SEBS)为研究对象,通过共混薄膜的制备与微相分离结构调控,开发了高性能弹性半导体薄膜,迁移率最高可达1.08 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。基于最优配比的共混薄膜制备了全可拉伸晶体管。测试表明,该晶体管在承受100%拉伸应变后仍能保持稳定的电学性能,在100%拉伸应变后仍保持72%以上的电流保持率,展现出优异的可拉伸特性。 展开更多

关键词 全可拉伸晶体管 可拉伸电子 共混策略 相分离 半导体薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于InSb-In磁敏电阻器的双限温度开关的设计

11

作者 刘冰 黄钊洪 孔令涛 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2009年第1期65-67,共3页

介绍一种用InSb—In共晶体薄膜磁敏电阻器（MR）制成的双限温度开关的温控机理和特性。实验表明：由InSb—In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关，具有灵敏度高、控温范围宽的优点，在低温区，其灵敏度可以高达30mV／℃以上... 介绍一种用InSb—In共晶体薄膜磁敏电阻器（MR）制成的双限温度开关的温控机理和特性。实验表明：由InSb—In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关，具有灵敏度高、控温范围宽的优点，在低温区，其灵敏度可以高达30mV／℃以上，常温下也可达到23mV／℃左右；其上下限温度调整范围为-40～120℃，测温精度可达到±0．1℃。 展开更多

关键词 insb—in共晶体薄膜 磁敏电阻器 双限温度开关

在线阅读 下载PDF 职称材料

PVDF/P(VDF-TrFE)混合薄膜形貌的原子力显微镜研究

12

作者 沈杰 李伟平 诸跃进 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期101-106,共6页

利用原子力显微镜研究PVDF/P(VDF-TrFE)混合薄膜的结晶形貌受退火温度的影响,发现随着退火温度的升高,两种成份的结晶情况各异,并受到分子链间的作用而互相影响。α相的PVDF大球晶结构受P(VDF-TrFE)分子链的影响不易转化成β相的小球晶... 利用原子力显微镜研究PVDF/P(VDF-TrFE)混合薄膜的结晶形貌受退火温度的影响,发现随着退火温度的升高,两种成份的结晶情况各异,并受到分子链间的作用而互相影响。α相的PVDF大球晶结构受P(VDF-TrFE)分子链的影响不易转化成β相的小球晶。在P(VDF-TrFE)的熔融温度以上退火后,P(VDF-TrFE)结晶成长纤维状晶体,并随着退火温度的升高而长大。共混薄膜中发生了两种类型的相分离,P(VDF-TrFE)的结晶可以使整个混合薄膜的宏观相容性得到提高,使两种成份的分层现象消失。 展开更多

关键词 晶体形貌 共混薄膜 退火温度 原子力显微镜

在线阅读 下载PDF 职称材料

集成光学 光电集成与器件

13

《中国光学与应用光学》 2007年第5期53-54,共2页

关键词 光电集成 集成光学 共掺 薄膜光电子学 应用光学 波导调制器 光波导放大器 聚合物阵列波导光栅 器件 单模光纤 光导纤维 多量子阱 光子晶体 半导体光电 定向耦合器

在线阅读 下载PDF 职称材料