激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤 被引量：6

1

作者 赵建君 宋春荣 +1 位作者 张灵振 牛燕雄 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1008-1012,共5页

在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光... 在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度.采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4～5 s基本吻合. 展开更多

关键词 热损伤 insb(pv)型探测器 高斯光束 损伤阈值

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CW CO_2激光对PV型InSb探测器的破坏效应 被引量：11

2

作者 陈金宝 陆启生 +2 位作者 舒柏宏 李文煜 许晓军 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期47-49,共3页

通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度、不同辐照时间的CWCO2 激光辐照时性能的变化 ,得到其破坏阈值区间。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中的温升 ,结果表明 ,PV型InSb探测器的破坏效应源于连续波激光辐照过程中... 通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度、不同辐照时间的CWCO2 激光辐照时性能的变化 ,得到其破坏阈值区间。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中的温升 ,结果表明 ,PV型InSb探测器的破坏效应源于连续波激光辐照过程中温升达到InSb材料熔点时其p 展开更多

关键词 光电探测器 CW CO2激光 破坏效应 pv型 锑化铟探测器 光电探测器

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PV型HgCdTe光电探测器中的混沌及其诊断 被引量：8

3

作者 马丽芹 程湘爱 +2 位作者 许晓军 李文煜 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期37-39,共3页

　对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进... 　对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。 展开更多

关键词 pv型HgCdTe光电探测器 诊断 混沌 功率谱 LYAPUNOV指数 激光辐照 半导体光电探测器

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1.319μm激光诱导HgCdTe(PV型)探测器混沌的研究 被引量：5

4

作者 马丽芹 程湘爱 +4 位作者 陆启生 李修乾 王睿 许晓军 何锋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期61-63,共3页

通过对 1.319μm连续波激光辐照PV型HgCdTe探测器的实验研究 ,发现当激光辐照功率密度超过探测器的饱和阈值以后 ,激光能诱导探测器产生混沌现象 ,并得出了相应的激光辐照功率密度范围 ,文中还对试验结果进行了论证与分析。

关键词 激光诱导 连续波激光 pv型HgCdTe探测器 混沌现象 激光辐射探测器

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激光辐照下PV型HgCdTe探测器反常响应机理 被引量：12

5

作者 贺元兴 江厚满 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1233-1237,共5页

利用PV型探测器开路电压的表达式,并考虑探测器的温度变化建立模型,对激光辐照下PV型HgCdTe探测器开路电压的变化进行了理论计算。当激光较弱时,计算结果与实验结果符合得很好。当激光较强时,对于辐照过程当中探测器输出变化的一般性趋... 利用PV型探测器开路电压的表达式,并考虑探测器的温度变化建立模型,对激光辐照下PV型HgCdTe探测器开路电压的变化进行了理论计算。当激光较弱时,计算结果与实验结果符合得很好。当激光较强时,对于辐照过程当中探测器输出变化的一般性趋势以及激光完全停照后的热弛豫过程,该模型也能给出较好的解释;但对于激光开始辐照时输出下跳和激光停止辐照时输出上跳的反常现象,该模型不能给出合理的解释。分析认为,该模型较好地描述了晶格温升对探测器输出的影响,但是它没有考虑热载流子效应;当激光较强时,热载流子效应不可忽略,特别是激光开始辐照和激光停止辐照时,载流子与晶格的温度差有比较明显的快速变化,从而导致了探测器的反常响应。 展开更多

关键词 pv型HgCdTe探测器 热载流子效应 响应 开路电压 漂移-扩散模型 激光辐照

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连续波激光辐照PV型HgCdTe探测器的新效应 被引量：2

6

作者 李文煜 程湘爱 +3 位作者 陆启生 许晓军 江厚满 马丽芹 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期811-814,共4页

　用连续波DF激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到不同辐照功率密度下,探测器响应输出的一系列实验结果,观察到器件饱和以外的如探测器混沌、探测器单极化等一些新现象,这些结果与理论预期有着较大差别。给出了实验结果的初步解释,该实... 　用连续波DF激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到不同辐照功率密度下,探测器响应输出的一系列实验结果,观察到器件饱和以外的如探测器混沌、探测器单极化等一些新现象,这些结果与理论预期有着较大差别。给出了实验结果的初步解释,该实验结果为今后更好地研究PV型HgCdTe探测器提供了新的线索。 展开更多

关键词 连续波DF激光 pv型HgCdTe探测器 混沌 单极化 红外探测器

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波段外10.6μm激光辐照中红外PV型HgCdTe光电探测器机理分析 被引量：4

7

作者 李莉 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2535-2539,共5页

用波长为10.6μm的波段外连续波激光辐照PV型HgCdTe中红外光电探测器,得到了不同辐照功率密度下探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果。观察到探测器对波段外激光的电压响应方向与波段内激光的电压响应方向相同,随波段... 用波长为10.6μm的波段外连续波激光辐照PV型HgCdTe中红外光电探测器,得到了不同辐照功率密度下探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果。观察到探测器对波段外激光的电压响应方向与波段内激光的电压响应方向相同,随波段外激光功率密度升高,探测器的电压响应值先增大后减小。分析认为:该现象是由于探测器材料的弱吸收和基底材料的强吸收在不同时刻产生的不同的温度梯度,与材料的整体温升共同作用的结果。该温度梯度在探测器内产生温差电动势,而热激发的电子空穴对在温度梯度的作用下定向运动被结电场分离,产生热生电动势,热生电动势是波段外激光辐照下PV型探测器中电动势产生的主要机制。 展开更多

关键词 激光辐照效应 pv型HgCdTe光电探测器 波段外激光 热生电动势

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激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应 被引量：2

8

作者 王飞 程湘爱 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z1期169-172,共4页

研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后... 研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响. 展开更多

关键词 pn结退化 损伤 pv型Hg1-xCdxTe探测器 并联电阻模型

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准平面型InSb光伏列阵红外探测器

9

作者 俞振中 王留福 +3 位作者 陈新强 沈寿珍 葛友放 胡文军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS 1984年第2期147-149,共3页

在台式光敏面基础上,采用SiO_2介质掩蔽,金属膜延伸电极和衬底区超声引焊电极引线,研制成InSb光伏型列阵的准平面型器件。由本工艺制备的器件具有无串音、结阻抗高、反向耐压高、稳定性好等良好性能。

关键词 平面型 光敏面 串音 串话 红外探测器 IR 探测器 实验设备 光伏器件 insb

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DI型64×64元InSb焦面探测器CADI注入方式的研究

10

作者 王巍 《航空兵器》 2001年第4期30-33,共4页

研究了一种直接注入(DI)型64×64元InSb焦面探测器的电流辅助注入(CADI)工作方式,对CADI注入方式进行了分析,并同DI方式进行了比较。经研究发现:将两种注入方式结合使用,可以发挥各自的特长,弥补彼此的不足,从而提高现有焦面探测器... 研究了一种直接注入(DI)型64×64元InSb焦面探测器的电流辅助注入(CADI)工作方式,对CADI注入方式进行了分析,并同DI方式进行了比较。经研究发现:将两种注入方式结合使用,可以发挥各自的特长,弥补彼此的不足,从而提高现有焦面探测器的性能。最后,对两种注入方式结合使用的情况作了一些讨论。 展开更多

关键词 读出电路 红外焦平面阵列 直接注入 电流辅助注入 DI型insb焦面探测器 CADI方式

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光伏型InSb红外探测器瞬态特性界面陷阱效应

11

作者 陈晓冬 杨翠 +4 位作者 向培 刘鹏 邵晓鹏 张小雷 吕洐秋 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期61-65,88,共6页

界面陷阱会显著影响探测器的瞬态特性,为揭示其内在机理,并为探测器设计提供借鉴,基于二维仿真开展了背照式光伏型InSb红外探测器瞬态特性的界面陷阱效应研究,分析了界面陷阱与空穴浓度、复合率、电场等关键物理参数的相关性.研究表明,... 界面陷阱会显著影响探测器的瞬态特性,为揭示其内在机理,并为探测器设计提供借鉴,基于二维仿真开展了背照式光伏型InSb红外探测器瞬态特性的界面陷阱效应研究,分析了界面陷阱与空穴浓度、复合率、电场等关键物理参数的相关性.研究表明,随着界面陷阱密度的增加,界面附近的复合率和电场会随之增加,空穴浓度会减小,而在电流密度分布中出现了"黑洞",且该"黑洞"位置逐渐向pn结移动.此外,随着界面陷阱密度的增加,瞬态光响应会逐渐减小. 展开更多

关键词 insb 界面陷阱 瞬态特性 光伏型红外探测器

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激光辐照光伏型光电探测器热效应的有限元分析 被引量：7

12

作者 刘全喜 齐文宗 +1 位作者 郝秋龙 赵方东 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第3期275-279,共5页

建立了高斯激光辐照光伏(PV)型光电探测器温升的三维物理模型,采用有限元分析方法计算了探测器的三维温度场分布,探讨了辐照时间、胶层厚度和胶层热导率对熔融损伤阈值及热恢复时间的影响。研究结果表明:InSb PV型探测器受到强激光连续... 建立了高斯激光辐照光伏(PV)型光电探测器温升的三维物理模型,采用有限元分析方法计算了探测器的三维温度场分布,探讨了辐照时间、胶层厚度和胶层热导率对熔融损伤阈值及热恢复时间的影响。研究结果表明:InSb PV型探测器受到强激光连续辐照时会发生熔融损伤破坏,且最早发生于迎光面的光斑中心;激光的功率越高,造成损伤破坏所需要的时间越短;热导率越大,越薄的胶层对应的损伤阈值越大,但胶层厚度和热导率对熔融损伤阈值的影响在大功率激光辐照时才较明显。为了提高PV型探测器抗激光辐照能力,应选用热导率大且尽可能薄的胶层。采用该模型计算得到10 W功率激光辐照下的熔融时间为3.26 s,与实验得到的3 s基本吻合。 展开更多

关键词 pv型光电探测器 热效应 熔融损伤阈值 有限元分析 热恢复时间 热传导方程

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InSb焦平面探测器的J-T制冷器 被引量：3

13

作者 黄水安 刘永春 王巍 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第6期530-533,共4页

论述了InSb红外探测器制冷的必要性及所需的制冷温度,分析了InSb焦平面探测器对制冷的要求比分立引出(或单元)探测器更为严格的原因,指出InSb焦平面探测器的制冷温度在77～90K区间,其探测率变化不大;在137K时,分立引出(或单元)InSb探测... 论述了InSb红外探测器制冷的必要性及所需的制冷温度,分析了InSb焦平面探测器对制冷的要求比分立引出(或单元)探测器更为严格的原因,指出InSb焦平面探测器的制冷温度在77～90K区间,其探测率变化不大;在137K时,分立引出(或单元)InSb探测器仍有较高输出信噪比,但这时焦平面探测器的SNR却有较严重的下降。试验表明,采用J T节流制冷器的InSb焦平面探测器可以实现高性能。 展开更多

关键词 insb 多元红外探测器 焦平面探测器 J-T制冷器 量子效率 铟锑二元化合物 光伏型

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HgCdTe探测器Pt电阻测温分析 被引量：5

14

作者 王飞 程湘爱 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第4期461-463,466,共4页

研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻... 研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致。 展开更多

关键词 pv型HgCdTe探测器 温升 杜瓦冷面 Pt电阻 1.319 μm连续激光

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中红外高能激光探测单元 被引量：1

15

作者 陈绍武 张检民 +1 位作者 宇文璀蕾 冯刚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1306-1310,共5页

基于光电导探测原理,分析了影响室温光导型InSb探测器在中红外激光功率参数测量中的因素,得到了材料掺杂数密度、环境温度对探测器暗电阻、光谱响应率和光谱探测率的影响规律;开展了探测器在强激光辐照下的热效应理论模拟和实验研究,模... 基于光电导探测原理,分析了影响室温光导型InSb探测器在中红外激光功率参数测量中的因素,得到了材料掺杂数密度、环境温度对探测器暗电阻、光谱响应率和光谱探测率的影响规律;开展了探测器在强激光辐照下的热效应理论模拟和实验研究,模拟分析了探测器在激光辐照下的动态响应特性。结果表明:针对测量系统中所使用的探测器,在激光功率密度小于4W/cm2时,激光热效应对测量结果的影响可忽略;研制了相应的恒流源驱动电路,实现了中红外高能激光功率参数的探测。 展开更多

关键词 高能激光 P型光导 insb探测器 暗电阻 光谱响应率 光谱探测率

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