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InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展
被引量：
4
1
作者
金智
苏永波
+5 位作者
张毕禅
丁芃
汪丽丹
周静涛
杨成樾
刘新宇
《太赫兹科学与电子信息学报》
2013年第1期43-49,共7页
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系...
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。
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关键词
太赫兹
inp基晶体管
固态电子器件
太赫兹单片集成电路
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职称材料
InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）
被引量：
2
2
作者
钟英辉
李凯凯
+5 位作者
李梦珂
王文斌
孙树祥
李慧龙
丁鹏
金智
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期163-167,共5页
针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起...
针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.
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关键词
inp
基
高电子迁移率
晶体管
小信号模型
栅泄漏电流
漏端延时
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职称材料
题名
InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展
被引量：
4
1
作者
金智
苏永波
张毕禅
丁芃
汪丽丹
周静涛
杨成樾
刘新宇
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2013年第1期43-49,共7页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(No.2010CB327502)
文摘
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的截止频率已经进入到太赫兹频段,太赫兹电路的频率特性得到极大发展。以固态器件为基础的太赫兹电路的工作频率进入到THz频段。本文重点介绍InP基双极器件和场效应器件的发展以及在太赫兹电路和系统中的应用。
关键词
太赫兹
inp基晶体管
固态电子器件
太赫兹单片集成电路
Keywords
terahertz
inp
-based transistors
solid state electronic device
Terahertz MonolithicIntegrated Circuits（TMIC）
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）
被引量：
2
2
作者
钟英辉
李凯凯
李梦珂
王文斌
孙树祥
李慧龙
丁鹏
金智
机构
郑州大学物理工程学院
中国科学院微电子研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期163-167,共5页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(11775191,61404115,61434006)
Development Fund for Outstanding Young Teachers in Zhengzhou University China(1521317004)
文摘
针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.
关键词
inp
基
高电子迁移率
晶体管
小信号模型
栅泄漏电流
漏端延时
Keywords
inp
-based HEMTs
small-signal model
gate-leakage current
drain delay
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP基三端太赫兹固态电子器件和电路发展
金智
苏永波
张毕禅
丁芃
汪丽丹
周静涛
杨成樾
刘新宇
《太赫兹科学与电子信息学报》
2013
4
在线阅读
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职称材料
2
InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）
钟英辉
李凯凯
李梦珂
王文斌
孙树祥
李慧龙
丁鹏
金智
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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