检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 1; 作者周星宝周守利《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页; 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件... 展开更多; 关键词 inp ingap gaassb inp 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结缓变基区热电特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1: 2; 作者齐志华李献杰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页; 关键词 gaassb/inp 双异质结双极晶体管技术发展现状欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ): 3; 作者齐志华李献杰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页; InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... 展开更多; 关键词 gaassb/inp 双异质结双极晶体管单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管微空气桥; 在线阅读下载PDF 职称材料

发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响被引量：1: 4; 作者顾磊熊德平 +1 位作者周守利彭银生《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期913-917,共5页; 基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能。计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上... 展开更多; 关键词 inp/gaassb 倒置DHBT 流体动力学模型底切发射区电流阻塞效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响: 5; 作者储媛媛刘莹妹 +3 位作者李生娟徐志成陈建新王兴军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期791-797,共7页; 通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声... 展开更多; 关键词 gaassb/inp异质结非谐效应声子寿命四声子模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响: 1; 作者周星宝周守利; 机构浙江工业大学信息工程学院中国科学院国家空间科学中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页; 基金浙江省自然科学基金资助项目(LY12F04003) 现代通信与网络系统科技创新自主设计项目(2010R50011-13); 文摘基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。; 关键词 inp ingap gaassb inp 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结缓变基区热电特性; Keywords inp/ingap/gaassb/inp double heterojunction bipolar transistor （DHBT） graded emitter junction gradient base thermoelectric characteristic; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1: 2; 作者齐志华李献杰; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901); 关键词 gaassb/inp 双异质结双极晶体管技术发展现状欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ): 3; 作者齐志华李献杰; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901); 文摘 InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。; 关键词 gaassb/inp 双异质结双极晶体管单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管微空气桥; Keywords gaassb/inp DHBT SHBT II-type DHBT micro-airbridge; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响被引量：1: 4; 作者顾磊熊德平周守利彭银生; 机构杭州萧山技师学院广东工业大学物理与光电工程学院浙江工业大学信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期913-917,共5页; 基金广东省科技计划资助项目(2015B010112002) 广州市科技计划资助项目(2016201604030035); 文摘基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能。计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管有较高的高频性能;对于发射区在下面与基区接触面积大导致较多的基区载流子复合而使器件的增益偏低问题,可以考虑掩埋侧边腐蚀工艺底切发射区的技术来减少发射区和基区的接触面积,从而减少复合改善器件的增益特性。; 关键词 inp/gaassb 倒置DHBT 流体动力学模型底切发射区电流阻塞效应; Keywords inp/gaassb collector-up DHBT hydrodynamics model undercut-emitter current-blocking effect; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响: 5; 作者储媛媛刘莹妹李生娟徐志成陈建新王兴军; 机构上海理工大学材料科学与工程学院中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期791-797,共7页; 基金国家自然科学基金(11874377) 上海市自然科学基金(18ZR1445700)。; 文摘通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声子模型和四声子模型计算模拟了光学声子和温度的依赖关系,并和实验结果对比发现,与三声子模型相比,四声子模型与实验数据符合更好,表明温度依赖的拉曼散射峰位的变化必须考虑四次声子非谐振动。相对于晶格失配的样品S1(Sb=37.9%)和S3(Sb=56.2%),获得的声子非谐度在晶格匹配的样品S2(Sb=47.7%)中是最小的,同时通过对声子线宽的研究表明S2中声子寿命是最长的。结合低温光致发光的实验结果,证实了GaAsSb合金晶格振动的声子非谐效应和声子寿命不仅受合金无序散射的影响,同时受到和衬底晶格失配引入的线缺陷和缺陷的声子散射影响。; 关键词 gaassb/inp异质结非谐效应声子寿命四声子模型; Keywords gaassb/inp heterojunction anharmonic effect phonon lifetime the four-phonon model; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响	周星宝周守利	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)	齐志华李献杰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)	齐志华李献杰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响	顾磊熊德平周守利彭银生	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响	储媛媛刘莹妹李生娟徐志成陈建新王兴军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料