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1．3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器
1
作者
吴振英
胡常炎
+2 位作者
吴桐
李蓉萍
刘自力
《光通信研究》
1994年第3期16-19,共4页
本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，...
本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，且均匀性较好；最大单面光电转换效率为０．１８ｍＷ／ｍＡ；在６５℃的环境温度下其最大发射功率仍大于１０ｍＷ；用标准单模光纤耦合，２５℃下阈值电流为２０ｍＡ的入纤光功率大于１．５ｍＷ。
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关键词
波导
激光器
液相外延
ingaasp
inp
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职称材料
1.55μm高功率单横模半导体激光器的研制
2
作者
薛正群
池炳坤
陈玉萍
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第7期1189-1195,共7页
1.55μm高功率半导体激光器广泛应用于长距离主干网光网络、无人驾驶等领域,在应用系统中更高的激光出光功率有利于提升系统的工作距离和接收端的信噪比;随着光电子集成和共封装光学的快速发展,其高光电集成密度要求激光器具备低功耗等...
1.55μm高功率半导体激光器广泛应用于长距离主干网光网络、无人驾驶等领域,在应用系统中更高的激光出光功率有利于提升系统的工作距离和接收端的信噪比;随着光电子集成和共封装光学的快速发展,其高光电集成密度要求激光器具备低功耗等性能。本文通过优化激光器外延P-InP掺杂,激光器室温下串联电阻从3.2Ω降低至2.2Ω,器件电阻性能优于相同结构对比器件,300 mA电流下器件电功耗从510 mW降低至430 mW。进一步采用锥形波导结构提高激光器增益体积,测试结果显示,锥形波导结构使激光器出光功率提升17%以上,同时器件电功耗无明显增加;室温低电流下器件最高光电转换效率接近50%,与相关研究报道结果优值相当;远场测试结果显示,激光器水平方向发散角有效降低,同时器件光束质量未发生明显变化。实验结果为面向光电子集成应用的低功耗高功率半导体激光器提供了研究基础。
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关键词
1.55μm
inp
/ingaasp
高功率激光器
P型掺杂
锥形
波导
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职称材料
题名
1．3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器
1
作者
吴振英
胡常炎
吴桐
李蓉萍
刘自力
机构
武汉电信器件公司
出处
《光通信研究》
1994年第3期16-19,共4页
文摘
本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，且均匀性较好；最大单面光电转换效率为０．１８ｍＷ／ｍＡ；在６５℃的环境温度下其最大发射功率仍大于１０ｍＷ；用标准单模光纤耦合，２５℃下阈值电流为２０ｍＡ的入纤光功率大于１．５ｍＷ。
关键词
波导
激光器
液相外延
ingaasp
inp
Keywords
RWG LD LPE self-alignemnt
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
1.55μm高功率单横模半导体激光器的研制
2
作者
薛正群
池炳坤
陈玉萍
机构
福州大学先进制造学院
厦门市芯诺通讯科技有限公司
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第7期1189-1195,共7页
基金
福建省科技计划(2021H4016)
泉州市科技计划(2021G13)
福建省雏鹰计划青年拔尖人才项目(2022173)。
文摘
1.55μm高功率半导体激光器广泛应用于长距离主干网光网络、无人驾驶等领域,在应用系统中更高的激光出光功率有利于提升系统的工作距离和接收端的信噪比;随着光电子集成和共封装光学的快速发展,其高光电集成密度要求激光器具备低功耗等性能。本文通过优化激光器外延P-InP掺杂,激光器室温下串联电阻从3.2Ω降低至2.2Ω,器件电阻性能优于相同结构对比器件,300 mA电流下器件电功耗从510 mW降低至430 mW。进一步采用锥形波导结构提高激光器增益体积,测试结果显示,锥形波导结构使激光器出光功率提升17%以上,同时器件电功耗无明显增加;室温低电流下器件最高光电转换效率接近50%,与相关研究报道结果优值相当;远场测试结果显示,激光器水平方向发散角有效降低,同时器件光束质量未发生明显变化。实验结果为面向光电子集成应用的低功耗高功率半导体激光器提供了研究基础。
关键词
1.55μm
inp
/ingaasp
高功率激光器
P型掺杂
锥形
波导
Keywords
1.55μm
inp
/ingaasp
high power laser
p-type doping
taper waveguide
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1．3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器
吴振英
胡常炎
吴桐
李蓉萍
刘自力
《光通信研究》
1994
0
在线阅读
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职称材料
2
1.55μm高功率单横模半导体激光器的研制
薛正群
池炳坤
陈玉萍
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
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