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应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响
1
作者 蔡纯 刘旭 +3 位作者 肖金标 丁东 张明德 孙小菡 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1837-1841,共5页
采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(... 采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响· 展开更多
关键词 inp/ingaasp 偏振相关损耗 应力 差分群时延 多量子阱 Stokes模型
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差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片 被引量：1
2
作者 李雪春 胡礼中 +1 位作者 赛纳 闫志明 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期270-272,共3页
采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层；然后降低温度，在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有... 采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层；然后降低温度，在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题，并克服了其他方法的缺点． 展开更多
关键词 半导体激光器 差温生长法 激光晶片
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InP/InGaAsP/InGaAs场助近红外光电阴极理论建模和特性分析
3
作者 李想 邓伟婷 +3 位作者 邓文娟 彭新村 周书民 邹继军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期806-812,817,共8页
场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电... 场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电流并计算外量子效率。分析外加电压、外延层掺杂浓度及厚度、基极电极宽度、发射面宽度及发射层材料等因素对外量子效率的影响,最终确定外量子效率达到峰值时各层最佳参数。结果表明:n型InP接触层、P型In_(0.7955)Ga_(0.2045)As_(0.45)P发射层和p型In_(0.53)_Ga_(0.47)As吸收层的最佳掺杂浓度分别为1×10^(19)、2×10^(18)和4×10^(17)cm^(-3),厚度分别为0.2μm、50nm和3μm;综合考虑仿真结果和工艺制备条件,基极电极宽度最佳范围为1~2μm,发射面宽度最佳范围为5~8μm。外加6V电压时,1.65μm波长处外量子效率理想峰值为41%。 展开更多
关键词 光电阴极 场助 ingaasp 近红外 外量子效率
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低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管 被引量：2
4
作者 石柱 代千 +5 位作者 宋海智 谢和平 覃文治 邓杰 柯尊贵 孔繁林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期272-278,共7页
通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材... 通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材料作为光吸收层,并且精确控制InP倍增层的雪崩长度,有效地降低了SPAD的暗计数率。其中InGaAsP材料与In P材料晶格匹配良好,可在In P衬底上外延生长高质量的InGaAsP/InP异质结,InGaAsP材料的带隙为Eg=1.03 e V,截止波长为1.2μm,可满足1.06μm单光子探测需要。同时,通过设计并研制出1.06μm InGaAsP/InP SPAD,对其特性参数进行测试,结果表明,当工作温度为270 K时,探测效率20%下的暗计数率约20 k Hz。因此基于时间相关单光子计数技术的该器件可在主动淬灭模式下用于随机到达的光子探测。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 ingaasp/inp 1.06μm 自由模式 暗计数率
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1．3μmInGaAsP／InP涂层结构超辐射发光二极管输出特性的理论和实验 被引量：1
5
作者 马东阁 石家纬 +3 位作者 刘明大 金恩顺 李淑文 高鼎三 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期36-42,共7页
本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程，对减反射涂层结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的输出特性进行了计算，给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的... 本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程，对减反射涂层结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的输出特性进行了计算，给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。 展开更多
关键词 超辐射 发光二极管 涂层 ingaasp/inp 输出特性
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InGaAsP／InPPFBH激光器 被引量：1
6
作者 张静媛 王圩 +1 位作者 汪孝杰 田慧良 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第12期10-12,共3页
采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向... 采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于１００℃。 展开更多
关键词 分布反馈 激光器 液相外延 磷化铟 ingaasp
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10×10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制
7
作者 雷红兵 于丽娟 +3 位作者 陆巧银 国伟华 韩春林 黄永箴 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第6期49-50,共2页
研制了脊形波导结构的10×10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件(AWG),并采用掺铒光纤放大器(EDFA)作宽带光源测量了AWG的近场图以及分光特性。
关键词 波导光栅器件 铟镓砷磷/铟磷阵列 波分复用技术 掺铒光纤放大器 宽带光源 近场图 分光特性 光纤网络通信
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InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
8
作者 王典芬 丁国庆 +1 位作者 魏铭鉴 孙文华 《分析测试学报》 CAS CSCD 1997年第3期1-5,共5页
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实... 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。 展开更多
关键词 半导体表面化学 XPS MOCVD 外延晶片 外延膜材料
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液相外延制备InGaAsP／InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论
9
作者 桑文斌 钱永彪 +5 位作者 闵嘉华 莫要武 陈培峰 王林军 吴汶海 陈高庭 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第10期893-897,共5页
本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方（Ｂｒ＿２／ＨＢｒ），对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤... 本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方（Ｂｒ＿２／ＨＢｒ），对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺，同时探索了利用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，在研究基础上制造了重现性好且性能良好的１．３μｍ激光二极管，室温时，阈值电流最低小于２５ｍＡ，典型值为３０ｍＡ，在６０ｍＡ直流电流的驱动下，光输出功率高达１２．５ｍＷ。 展开更多
关键词 LPE 掩埋异质结 激光二极管 ingaasp 磷化铟
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基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器
10
作者 郑婉华 任刚 +5 位作者 蔡向华 马小涛 杜晓宇 王科 邢名欣 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期117-,共1页
描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究。主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,... 描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究。主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高缺陷腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,激光器的激射阂值;研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,试验结果与理论模拟相一致。 展开更多
关键词 二维光子晶体 ingaasp/inp 半导体材料
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γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
11
作者 张桂成 史智华 李胜华 《电子科学学刊》 CSCD 1990年第3期333-336,共4页
本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽... 本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度（τ/τ0）讨论了有关结果。 展开更多
关键词 辐射 异质结 发光管 INGAAS/inp
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1.3μm InGaAsP/InP DCC结构半导体激光器 被引量：1
12
作者 刘益春 张月清 +1 位作者 何胜夫 朱有才 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期75-78,共4页
用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T_0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生... 用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T_0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生的过热载流子在第二有源区内辐射复合参与激射的机会;降低了这些热载流子进入限制层产生损耗的几率,提高了T_0值,说明了DCC结构激光器阈值以下特征EL光谱半宽度与注入电流密度的关系并讨论了两个有源区组分匹配及薄夹层厚度对特征温度T_0和阈值电流的影响。 展开更多
关键词 半导体 激光器 DCC结构 ingaasp
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Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究
13
作者 张桂成 程宗权 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期198-205,共8页
本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70... 本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。 展开更多
关键词 双异质结 发光管 ingaasp/inp
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InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究
14
作者 张桂成 沈彭年 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期46-53,共8页
本文研究了光纤通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的频响特性。结果表明:器件有源区掺杂浓度;有源层厚度;注入电流;光谱特性;P-n结特性等因素,对发光管的频响特性有重要影响。老化前有源区DSD的存在与否对频响无明显关系。
关键词 ingaasp/inp 发光管 频响特性
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MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP/InP量子阱
15
作者 刘宝林 杨树人 +3 位作者 陈佰军 秦福文 王本忠 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第4期79-82,共4页
报导了LP-MOVPE InGaAsP/InP体材料和量子阱的生长.生长的与InP匹配的1.55μm波长的InGaAsP材料,在77K时光荧光半峰宽达18.7meV,InGaAsP/InP量子阱的半峰宽为18.0meV.
关键词 MOVPE 量子阱 半导体 光子发光
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三端1．3μmInGaAsP／InP双区共腔激光器
16
作者 张权生 石志文 +2 位作者 杜云 赵军 颜学进 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第7期27-29,共3页
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获得了... 研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获得了大范围调节。 展开更多
关键词 激光器 双区共腔激光器 电极 磷化铟 ingaasp
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InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量
17
作者 卢革宇 王贤仁 +2 位作者 苗忠礼 程强 关一民 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第3期61-63,共3页
本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.
关键词 界面 双晶衍射 X射线 异质结
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测量InGaAsP/InP异质界面的化学斜面法
18
作者 卢革宇 王贤仁 +2 位作者 苗忠礼 关一民 程强 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第4期53-56,共4页
本文利用AES(俄歇电子能谱)测量了InGaAsP/InP异质界面的组分分布和界面宽度,提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法.同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响.
关键词 化学斜面法 界面 异质结 半导体
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InGaAsP／InP异质结构材料组分及结构的XPS测定
19
作者 王典芬 丁国庆 《光通信研究》 1996年第2期45-51,共7页
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，... 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，并与光压谱（ＰＶＳ）测定的带隙值和Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率作了比较，比较结果是满意的。实验和分析表明，在研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料表面组分和表面点阵结构方面。 展开更多
关键词 XPS 带隙 失配率 半导体外延材料 异质结构
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γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响 被引量：2
20
作者 孙京华 王文娟 +3 位作者 诸毅诚 郭子路 祁雨菲 徐卫明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期44-51,共8页
对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复... 对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。 展开更多
关键词 Γ辐照 ingaasp/inp 单光子雪崩探测器 单光子性能
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