期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
1
作者
陈晓丽
陈佩丽
+3 位作者
卢思
朱艳青
徐雪青
苏秋成
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期69-77,共9页
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量...
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。
展开更多
关键词
HF
inp/gap/zns量子点
光学性能
发光二极管
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作
被引量：
4
2
作者
王家先
陶金
+8 位作者
吕金光
李阳
赵永周
李盼园
秦余欣
张宇
郝振东
王维彪
梁静秋
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期592-602,共11页
提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而...
提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。
展开更多
关键词
Micro-LED
inp/
zns
量子
点
材料
色转换层
全彩显示器件
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
1
作者
陈晓丽
陈佩丽
卢思
朱艳青
徐雪青
苏秋成
机构
中国科学院广州能源研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期69-77,共9页
基金
广东省基金与应用基础研究基金项目(2023A1515010345)
广东省省级科技计划项目(2023A0505010003)
中国科学院技术支撑人才项目(E329850301)。
文摘
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。
关键词
HF
inp/gap/zns量子点
光学性能
发光二极管
Keywords
HF
inp/
gap/
zns
quantum dot
optical performance
light emitting diode
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作
被引量：
4
2
作者
王家先
陶金
吕金光
李阳
赵永周
李盼园
秦余欣
张宇
郝振东
王维彪
梁静秋
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院大学
吉林大学电子科学与工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第5期592-602,共11页
基金
国家重点研发项目(2018YFB1801900)
广东省科技计划(2016B010111003)
+2 种基金
吉林省科技发展计划(20180201024GX,20190302062GX)
应用光学国家重点实验室(SKLAO:201908)
中国科学院青年创新促进会基金(2018254)资助项目。
文摘
提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。
关键词
Micro-LED
inp/
zns
量子
点
材料
色转换层
全彩显示器件
Keywords
micro-LED
inp/
zns
quantum dots material
color conversion layer
full-color display device
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
陈晓丽
陈佩丽
卢思
朱艳青
徐雪青
苏秋成
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作
王家先
陶金
吕金光
李阳
赵永周
李盼园
秦余欣
张宇
郝振东
王维彪
梁静秋
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
