75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器(英文) 被引量：2

1

作者 曹玉雄 苏永波 +3 位作者 吴旦昱 金智 王显泰 刘新宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期294-297,301,共5页

报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率... 报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13.92 dBm.放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06 mm×0.75 mm. 展开更多

关键词 inp双异质结双极晶体管(dhbt) 微波单片集成 毫米波 功放

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面向100 GHz+数模混合电路的0.5 μm InP DHBT工艺（英文） 被引量：2

2

作者 程伟 张有涛 +4 位作者 王元 牛斌 陆海燕 常龙 谢俊领 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期167-172,共6页

报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频... 报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率均处于国内领先水平. 展开更多

关键词 磷化铟 异质结双极型晶体管 分频器

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基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器 被引量：1

3

作者 王伯武 于伟华 +4 位作者 侯彦飞 余芹 孙岩 程伟 周明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-200,共4页

基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测... 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。 展开更多

关键词 磷化铟双异质结双极晶体管(inp dhbt) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器 宽带

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基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响

4

作者 周星宝 周守利 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页

基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件... 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。 展开更多

关键词 inp INGAP GAASSB inp 双异质结双极晶体管(dhbt) 缓变发射结 缓变基区 热电特性

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基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现

5

作者 王子青 赵子润 龚剑 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期579-583,638,共6页

基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结... 基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结构,实现输入缓冲及足够高的增益;D触发器单元采用采样/保持两级锁存拓扑结构实现接收数据的时钟同步;采用开关电流源单元及R-2R电阻单元,减小芯片体积,实现高速采样。该DAC最终尺寸为4.5 mm×3.5 mm,功耗为3.5 W。实测结果表明,该DAC可以很好地实现10 GHz采样时钟下的斜坡输出,微分非线性为＋0.4/-0.24 LSB,积分非线性为＋0.61/-0.64 LSB。 展开更多

关键词 数模转换器(DAC) R-2R电阻梯 inp双异质结双极晶体管(dhbt) 电流舵 主从D触发器

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用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管 被引量：2

6

作者 牛斌 程伟 +4 位作者 张有涛 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期263-266,共4页

报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 ... 报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力. 展开更多

关键词 磷化铟 双异质结晶体管 静态分频器

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InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性 被引量：2

7

作者 吴永辉 魏洪涛 +3 位作者 刘军 崔雍 樊渝 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期537-541,547,共6页

InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试... InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。 展开更多

关键词 inp双异质结双极晶体管(dhbt) 附加相位噪声 正交鉴相 压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC)

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一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) 被引量：1

8

作者 金智 程伟 +2 位作者 刘新宇 徐安怀 齐鸣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期81-84,共4页

针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有... 针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用. 展开更多

关键词 inp 异质结双极晶体管 高电流 高频

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InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS 被引量：1

9

作者 张翼 李晓鹏 +4 位作者 张有涛 张敏 杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期24-28,37,共6页

介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速... 介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速度优势。为降低功耗,采用了简化的流水线相位累加器。在整个频率控制字范围内,测试得到的平均无杂散动态范围为24.8 dBc。该电路由2122个晶体管组成,功耗为2.4 W,其优值系数为5.83 GHz/W。 展开更多

关键词 直接数字频率合成器 inp双异质结晶体管 数模转换器 相位累加器

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InP HBT小信号建模与参数提取分析 被引量：1

10

作者 蒋巍 陈亚培 张勇 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期187-189,共3页

基于异质结双极型晶体管(HBT)优越的高频性能,精准建模对HBT的使用以及电路设计具有极其重要的指导意义。文中采用UCSD等效电路模型对HBT进行了小信号模型的建立,根据InPHBT在不同偏置下的S参数以及I-V测试结果,利用解析法分析了非线性... 基于异质结双极型晶体管(HBT)优越的高频性能,精准建模对HBT的使用以及电路设计具有极其重要的指导意义。文中采用UCSD等效电路模型对HBT进行了小信号模型的建立,根据InPHBT在不同偏置下的S参数以及I-V测试结果,利用解析法分析了非线性模型的参数提取,讨论了本征参数的拟合优化,同时给出了关于HBT小信号等效电路模型,最后通过与实测参数进行对比验证,建立的小信号模型在测试频率范围内拟合结果与测试结果吻合良好。 展开更多

关键词 inp 异质结双极型晶体管(HBT) 小信号 建模 参数提取

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InP基HBT小信号模型参数直接提取方法 被引量：2

11

作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 刘博 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期602-608,644,共8页

为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄... 为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄生电容和电感的值,然后用截止状态和Z参数的方法提取外部电阻,再去掉这些参数以简化电路模型,本征部分的电路元件采用剥离算法来确定参数值。采用1μm×15μm的InP HBT对该算法的有效性进行验证,结果表明,在0.1~40 GHz频率范围内,模型仿真结果准确地拟合了器件测试结果。 展开更多

关键词 异质结双极型晶体管(HBT) 小信号等效电路 直接提取 剥离算法 inp

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