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p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性被引量：1: 1; 作者姚楚君杨国锋 +3 位作者孙锐许桂婷李月靖蔡乐晟《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期820-824,839,共6页; 随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超... 展开更多; 关键词 N面gan 发光二极管极化效应 ingan/gan超晶格载流子注入效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性被引量：5: 2; 作者王小丽王文新 +5 位作者江洋马紫光崔彦翔贾海强宋京陈弘《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1152-1158,共7页; 研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光... 展开更多; 关键词 ingan/gan多量子阱超晶格电致发光光致发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究: 3; 作者李超荣吕威张泽《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第1期17-22,共6页; 应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关。量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出... 展开更多; 关键词 ingan/gan 量子阱结构失配临界厚度半导体结构发光性能器件设计弛豫配位超晶格; 在线阅读下载PDF 职称材料

400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文): 4; 作者王东盛郭文平 +8 位作者张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期225-229,共5页; 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%... 展开更多; 关键词金属有机物化学气相沉积紫光发光二极管 gan发光二极管电子阻挡层超晶格; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性被引量：1: 1; 作者姚楚君杨国锋孙锐许桂婷李月靖蔡乐晟; 机构江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期820-824,839,共6页; 基金中国博士后科学基金资助项目(2014M561623 2014M551559) +2 种基金 JUSRP51517); 文摘随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED。通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面Ga N基LED具有潜在的应用前景。; 关键词 N面gan 发光二极管极化效应 ingan/gan超晶格载流子注入效率; Keywords N-face gan light-emitting diode（LED） polarization effect ingan/gan superlattice carrier injection efficiency; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性被引量：5: 2; 作者王小丽王文新江洋马紫光崔彦翔贾海强宋京陈弘; 机构中国科学院物理研究所清洁能源前沿研究重点实验室天津中环新光科技有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1152-1158,共7页; 基金国家自然科学基金(60877006 60890192/F0404 +1 种基金 50872146) 科技部"973"计划(2010CB327501)资助项目; 文摘研究了具有InGaN/GaN超晶格(SL)插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱(MQW)的发光特性。结构测试表明,SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加,而是改变了In组份的分布,形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光(EL)谱和光致发光(PL)谱均出现了双发光峰。我们认为这两个峰分别来自于量子点和量子阱,且存在着载流子从阱向点转移的输运机制。最后变温PL积分强度的Arrhenius拟合表明,SL插入结构并没有在MQW中引入新的缺陷,使其发光效率下降。; 关键词 ingan/gan多量子阱超晶格电致发光光致发光; Keywords ingan/gan multi-quantum wells superlattices electroluminescence photoluminescence; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究: 3; 作者李超荣吕威张泽; 机构中国科学院物理研究所北京电镜实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第1期17-22,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(No 50272081) 国家973项目(No 2002CB613500). NationalNatureScienceFoundationofChina(No 30271501).; 文摘应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关。量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型,但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定。这就激发了从实验上予以研究的要求。另外,含N的III V族究竟适用何种模型尚无定论,且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究。本文应用高分辨X射线衍射和透射电子显微技术研究了InGaN GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响。得出InGaN GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度更适合基于介稳外延半导体结构应变弛豫的Fischer模型;失配位错为纯刃型位错,可通过滑移面的改变而形成穿透位错;弛豫发生后,非常明显地影响发光性能,尤其是室温下的发光性能。; 关键词 ingan/gan 量子阱结构失配临界厚度半导体结构发光性能器件设计弛豫配位超晶格; Keywords misfit dislocation ingan/gan quantum well TEM microstructure optical property; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文): 4; 作者王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同; 机构大连理工大学物理与光电学院江苏新广联科技股份有限公司中国科学院上海微系统与信息研究所信息功能材料国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期225-229,共5页; 文摘利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。; 关键词金属有机物化学气相沉积紫光发光二极管 gan发光二极管电子阻挡层超晶格; Keywords metal organic chemical vapor deposition violet light emitting diodes gan light emitting diodes electron blocking layer super lattice; 分类号 TN312.08 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性	姚楚君杨国锋孙锐许桂婷李月靖蔡乐晟	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性	王小丽王文新江洋马紫光崔彦翔贾海强宋京陈弘	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究	李超荣吕威张泽	《电子显微学报》 CAS CSCD	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)	王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料