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MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性被引量：1: 1; 作者林秀华《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期324-329,共6页; 评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,Ga... 展开更多; 关键词氮化镓薄膜 ingan/a1gan双异质结构 MOCVD技术掺杂薄膜生长发光二极管生长动力学金属有机物化学沉积铟镓氮化合物铝镓氮化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂: 2; 作者唐宁沈波 +4 位作者韩奎卢芳超许福军秦志新张国义《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期147-149,共3页; 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了... 展开更多; 关键词 AlxGa1-xN/gan异质结构二维电子气自旋; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响: 3; 作者单恒升李明慧 +4 位作者李诚科刘胜威梅云俭宋一凡李小亚《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期83-88,124,共7页; 本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(... 展开更多; 关键词金属有机化合物化学气相沉积太阳能电池外延材料 Algan双势垒结构 ingan/gan MQWs 位错密度光生载流子; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构被引量：1: 4; 作者刘义族于福聚《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期39-42,共4页; 用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg T... 展开更多; 关键词分子束外延法 Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格 CdTe/ZnTe/GaAs异质结双缓冲层生长晶格结构晶格生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD生长InGaN合金的表面形貌与光学性质研究(英文) 被引量：1: 5; 作者苑进社张淼竹有章《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第3期187-189,共3页; 基于X射线衍射和原子力显微分析,研究了MOCVD生长的InGaN合金的表面形貌和光致发光光谱。结果发现本实验所用InGaN合金样品表面形貌呈现类花生状微结构团簇,纳米尺度较小的球状富铟InGaN颗粒附着在较大颗粒上;X射线衍射数据计算得微晶... 展开更多; 关键词 ingan/gan异质结构表面形貌光致发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子横向运动对共振隧穿的影响被引量：2: 6; 作者宫箭班士良《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期33-36,共4页; 讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。; 关键词共振隧穿耦合效应透射系数电子横向运动蓝光发射器半导体异质结构 GaAs/Ga1-xAlxAs 方形双势垒抛物形双势垒; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性被引量：1: 1; 作者林秀华; 机构厦门大学物理系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期324-329,共6页; 基金福建省自然科学基金!(No .E0 0 0 10 0 1) 中科院上海技术物理所红外物理国家实验室资助课题; 文摘评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度 ,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高 ,引起PL发光谱峰向长波侧移动 ;GaN缓冲层生长温度必须控制在 5 5 0℃。高的Ⅴ /Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中 5 5 0nm辐射峰产生。为了获得高质量 p AlGaN、GaN层 ,控制生长温度和以Cp2 Mg为杂质源的Mg受主掺杂量 ,并在N2 气氛中 80 0℃快速退火。; 关键词氮化镓薄膜 ingan/a1gan双异质结构 MOCVD技术掺杂薄膜生长发光二极管生长动力学金属有机物化学沉积铟镓氮化合物铝镓氮化合物; Keywords ingan/algan processing condition LED growth dynam8; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂: 2; 作者唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义; 机构北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期147-149,共3页; 基金国家"973"重点基础研究项目(2006CB604908 2006CB921607) +6 种基金国家自然科学基金(60806042 10774001 60736033 60628402) 教育部博士点基金(200800011021 20060001018) 北京市自然科学基金(4062017); 文摘通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g*的大小,发现由于交换相互作用,g*比g0有了显著的增加,同时g*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。; 关键词 AlxGa1-xN/gan异质结构二维电子气自旋; Keywords AlxGa1-xN/gan heterostructures two-dimensional electron gas spin; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响: 3; 作者单恒升李明慧李诚科刘胜威梅云俭宋一凡李小亚; 机构陕西科技大学材料原子·分子科学研究所西安电子科技大学陕西科技大学材料科学与工程学院西北大学信息科学与技术学院; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期83-88,124,共7页; 基金西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室开放基金,710071(kdxkf2020-02) 国家自然科学基金(61901375) +1 种基金陕西省自然科学基础研究计划(2021JM-384)。; 文摘本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)谱分析表明,与含有AlGaN电子阻挡层的低In组分的量子阱结构太阳能电池外延材料相比,该结构材料具有较小的半峰全宽(FWHM),计算表明:此结构材料的位错密度降低了一个数量级,达到10^(7)cm^(-2);同时,有源区中的应变弛豫降低了51%;此外,此结构材料的发光强度增强了35%。研究结果表明含有AlGaN双势垒结构的外延材料可以减小有源区的位错密度,降低非辐射复合中心的数目,增大有源区有效光生载流子的数目,为制备高质量太阳能电池提供实验依据。; 关键词金属有机化合物化学气相沉积太阳能电池外延材料 Algan双势垒结构 ingan/gan MQWs 位错密度光生载流子; Keywords metal organic chemical vapor deposition solar cell epitaxial material Algan double barrier structure ingan/gan MQWs dislocation density photo-induced carrier; 分类号 O484 [理学—固体物理] TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构被引量：1: 4; 作者刘义族于福聚; 机构天津师范大学物理与电子信息学院中国科学院上海技术物理研究所; 出处《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期39-42,共4页; 文摘用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与; 关键词分子束外延法 Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格 CdTe/ZnTe/GaAs异质结双缓冲层生长晶格结构晶格生长; Keywords MBE Hg 1 x Cd x Te HgTe superlattice CdTe/ZnTe/GaAs heterojunctions X ray diffraction TEM; 分类号 O781 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD生长InGaN合金的表面形貌与光学性质研究(英文) 被引量：1: 5; 作者苑进社张淼竹有章; 机构西安理工大学应用物理系西安交通大学应用物理系; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第3期187-189,共3页; 基金 NationalNaturalScienceFoundationofChina(No.10474078); 文摘基于X射线衍射和原子力显微分析,研究了MOCVD生长的InGaN合金的表面形貌和光致发光光谱。结果发现本实验所用InGaN合金样品表面形貌呈现类花生状微结构团簇,纳米尺度较小的球状富铟InGaN颗粒附着在较大颗粒上;X射线衍射数据计算得微晶粒度折合当量直径约23nm。原子力显微测量得典型的微结构团簇横向宽度约400nm^900nm,表面粗糙度在所选择的6.43μm区域内方均根值为11.52nm,3.58μm区域内方均根值为8.48nm。在室温下用325nm连续激光激发测得样品的表面发光光谱,结果显示光致发光光谱出现多峰结构,其主要发光峰峰值波长分别位于569nm、532nm和497nm。理论计算分析认为发光光谱多峰结构可能是由于InGaN/GaN异质结构形成的F-P垂直腔中多光束干涉调制效应造成的,同时InGaN合金的尺度和组分涨落导致较宽的发光峰。研究结果对设计GaN基半导体光电子器件具有一定的参考价值。; 关键词 ingan/gan异质结构表面形貌光致发光; Keywords ingan/gan heterostructure morphology photoluminescence; 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子横向运动对共振隧穿的影响被引量：2: 6; 作者宫箭班士良; 机构内蒙古大学物理系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期33-36,共4页; 基金国家自然科学基金教育部高等学校骨干教师资助计划项目 +1 种基金教育部留学回国人员基金内蒙古自治区"3 2 1"人才工程基金; 文摘讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。; 关键词共振隧穿耦合效应透射系数电子横向运动蓝光发射器半导体异质结构 GaAs/Ga1-xAlxAs 方形双势垒抛物形双势垒; Keywords resonant tunneling coupling effect transmission coefficient; 分类号 O471.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性	林秀华	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂	唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响	单恒升李明慧李诚科刘胜威梅云俭宋一凡李小亚	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构	刘义族于福聚	《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	MOCVD生长InGaN合金的表面形貌与光学性质研究(英文)	苑进社张淼竹有章	《电子显微学报》 CAS CSCD	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	电子横向运动对共振隧穿的影响	宫箭班士良	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	2	在线阅读下载PDF 职称材料