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组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响被引量：1: 1; 作者单含李梅《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期68-71,共4页; 通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条... 展开更多; 关键词 GaSb衬底 ingaassb/algaassb多量子阱结构 X射线双晶衍射发光性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用AlSb缓冲层生长2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构被引量：2: 2; 作者尤明慧高欣 +4 位作者李占国刘国军李林李梅王晓华《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1716-1718,共3页; 针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个... 展开更多; 关键词 AlSb缓冲层 ingaassb/algaassb多量子阱中红外锑化物; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用MBE生长1.6～2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱被引量：1: 3; 作者尤明慧高欣 +5 位作者李占国刘国军李林李梅王晓华薄报学《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期282-284,共3页; 采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料。X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱的界面均匀性和质量较好。研究了不同In组分与光致发光波长的关系,光荧光谱测试表明,所制备的不同In组分的In... 展开更多; 关键词 ingaassb/algaassb 量子阱分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱: 4; 作者安宁李占国 +4 位作者何斌太芦鹏方铉魏志鹏刘国军《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期37-42,共6页; 讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性(带阶)的影响。给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系。分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用。研究表明,随In组分的增加,InGaAsSb禁带宽... 展开更多; 关键词 ingaassb/GaSb 应变量子阱能带结构自发发射谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

2μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计被引量：9: 5; 作者安宁韩兴伟 +3 位作者刘承志范存波董雪宋清丽《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期71-75,共5页; 为了提高2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器的最大输出功率,减小远场垂直发散角并实现单模稳定输出,在非对称波导结构的基础上设计了具有双波导结构的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器.同时,利用相关的物理模型及SimLastip程序语... 展开更多; 关键词半导体激光器 ingaassb/algaassb量子阱双波导结构低垂直发散角数值模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响被引量：1: 1; 作者单含李梅; 机构长春理工大学; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期68-71,共4页; 文摘通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量。利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6～2.28μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV。; 关键词 GaSb衬底 ingaassb/algaassb多量子阱结构 X射线双晶衍射发光性质; Keywords ingaassb/algaassb multi-quantum-wells X-ray double crystal diffraction Iuminescence properties; 分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用AlSb缓冲层生长2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构被引量：2: 2; 作者尤明慧高欣李占国刘国军李林李梅王晓华; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1716-1718,共3页; 基金高功率半导体激光国家重点实验室预研基金项目(232480) 国家自然科学基金项目(60976056); 文摘针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3μm附近。; 关键词 AlSb缓冲层 ingaassb/algaassb多量子阱中红外锑化物; Keywords AlSb buffer layer ingaassb/algaassb multi-quantum-well mid-infrared antimonide; 分类号 TN24 [电子电信—物理电子学] TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用MBE生长1.6～2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱被引量：1: 3; 作者尤明慧高欣李占国刘国军李林李梅王晓华薄报学; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期282-284,共3页; 基金国家自然科学基金(61006039 60976056) 重点实验室基金项目(232480)资助; 文摘采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料。X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱的界面均匀性和质量较好。研究了不同In组分与光致发光波长的关系,光荧光谱测试表明,所制备的不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料,在室温下的发光波长可以覆盖1.6～2.3μm的范围。; 关键词 ingaassb/algaassb 量子阱分子束外延; Keywords ingaassb/algaassb MQWs MBE; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱: 4; 作者安宁李占国何斌太芦鹏方铉魏志鹏刘国军; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期37-42,共6页; 基金国家自然科学基金项目(61006039 61370043); 文摘讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性(带阶)的影响。给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系。分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用。研究表明,随In组分的增加,InGaAsSb禁带宽度减小,应力加大,能带漂移增大,InGaAsSb/GaSb导带、价带的带阶减小。同时,利用上述研究结果合理地解释了InGaAsSb/GaSb自发发射谱的增益、发射峰位及半峰宽与In组分关系。研究In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱的影响,可以定性地解释已有的实验报道。; 关键词 ingaassb/GaSb 应变量子阱能带结构自发发射谱; Keywords ingaassb/GaSb strained quantum well band structure spontaneous emission spectra; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名2μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计被引量：9: 5; 作者安宁韩兴伟刘承志范存波董雪宋清丽; 机构中国科学院国家天文台长春人造卫星观测站; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期71-75,共5页; 基金国家自然科学基金青年基金(Nos.61605220 11303063)资助~~; 文摘为了提高2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器的最大输出功率,减小远场垂直发散角并实现单模稳定输出,在非对称波导结构的基础上设计了具有双波导结构的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器.同时,利用相关的物理模型及SimLastip程序语言构建了InGaAsSb/AlGaAsSb Macro文件,利用SimLastip软件对具有不同结构的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb半导体激光器进行了数值模拟分析.研究结果表明,双波导结构可以将半导体激光器的有源区限制因子由0.019 2减小至0.011 3,器件的最大输出功率提高了1.7倍,远场垂直发散角由57°减小到48°,器件性能得到了改善.; 关键词半导体激光器 ingaassb/algaassb量子阱双波导结构低垂直发散角数值模拟; Keywords Semiconductor laser ingaassb/algaassb quantum well Dual waveguide Low vertical divergence Simulation; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响	单含李梅	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	采用AlSb缓冲层生长2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构	尤明慧高欣李占国刘国军李林李梅王晓华	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	采用MBE生长1.6～2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱	尤明慧高欣李占国刘国军李林李梅王晓华薄报学	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱	安宁李占国何斌太芦鹏方铉魏志鹏刘国军	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	2μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计	安宁韩兴伟刘承志范存波董雪宋清丽	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	9	在线阅读下载PDF 职称材料