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低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管 被引量：2
1
作者 石柱 代千 +5 位作者 宋海智 谢和平 覃文治 邓杰 柯尊贵 孔繁林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期272-278,共7页
通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材... 通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材料作为光吸收层,并且精确控制InP倍增层的雪崩长度,有效地降低了SPAD的暗计数率。其中InGaAsP材料与In P材料晶格匹配良好,可在In P衬底上外延生长高质量的InGaAsP/InP异质结,InGaAsP材料的带隙为Eg=1.03 e V,截止波长为1.2μm,可满足1.06μm单光子探测需要。同时,通过设计并研制出1.06μm InGaAsP/InP SPAD,对其特性参数进行测试,结果表明,当工作温度为270 K时,探测效率20%下的暗计数率约20 k Hz。因此基于时间相关单光子计数技术的该器件可在主动淬灭模式下用于随机到达的光子探测。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 ingaasp/inp 1.06μm 自由模式 暗计数率
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基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器
2
作者 郑婉华 任刚 +5 位作者 蔡向华 马小涛 杜晓宇 王科 邢名欣 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期117-,共1页
描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究。主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,... 描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究。主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高缺陷腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,激光器的激射阂值;研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,试验结果与理论模拟相一致。 展开更多
关键词 二维光子晶体 ingaasp/inp 半导体材料
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Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究
3
作者 张桂成 程宗权 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期198-205,共8页
本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70... 本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。 展开更多
关键词 双异质结 发光管 ingaasp/inp
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InGaAsP/InP双异质结发光管频响特性的研究
4
作者 张桂成 沈彭年 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期46-53,共8页
本文研究了光纤通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管的频响特性。结果表明:器件有源区掺杂浓度;有源层厚度;注入电流;光谱特性;P-n结特性等因素,对发光管的频响特性有重要影响。老化前有源区DSD的存在与否对频响无明显关系。
关键词 ingaasp/inp 发光管 频响特性
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γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响 被引量：2
5
作者 孙京华 王文娟 +3 位作者 诸毅诚 郭子路 祁雨菲 徐卫明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期44-51,共8页
对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复... 对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。 展开更多
关键词 Γ辐照 ingaasp/inp 单光子雪崩探测器 单光子性能
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InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数的优化 被引量：2
6
作者 赵霞飞 贾华宇 +3 位作者 李灯熬 罗飚 刘应军 马臖 《激光杂志》 北大核心 2017年第5期6-10,共5页
为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析。本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子阱激光器,提供了一种有源区结构优化方法。在... 为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析。本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子阱激光器,提供了一种有源区结构优化方法。在势阱层组分为In_(0.76)Ga_(0.24)As_(0.81)P_(0.19),厚度为5nm;势垒层组分为In_(0.751)Ga_(0.249)As_(0.539)P_(0.461),厚度为10nm时,激光器的各项性能参数达到最优。在此基础上,研究量子阱个数对激光器平均载流子浓度、输出光功率和阈值电流的影响。采用ALDS软件进行仿真,对比量子阱个数分别为5、6、7、8、9、10、11时,激光器的各项输出参数。对不同量子阱个数的激光器,分别进行结构和材料求解,并进行阈值、稳态、分布和光谱、小信号以及噪声分析。仿真结果表明,当量子阱个数为8时,在偏置电流为150mA,激光器温度为300K情况下,激光器的平均载流子浓度达到最大值0.745×1018/cm^3,输出光功率达到最大值28.8m A,阈值电流达到最低值15.7mA,阈值电流密度达到最低值0.8KA/cm^2,边模抑制比达到最高值22.13dB,驰豫振荡频率达到最高值13.8GHz,P-I曲线及斜率效率达到最优值。 展开更多
关键词 多量子阱激光器 ingaasp/inp 有源区结构 量子阱个数
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InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级
7
作者 张桂成 吴征 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第5期557-560,共4页
本文用DLTS谱仪研究了SiO_2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。
关键词 发光管 导质结发光管 ingaasp/inp
全文增补中
长波长1.3μm InGaAsP/InP外腔主动锁模半导体激光器
8
作者 邱昆 高以智 周炳琨 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期54-56,共3页
利用外腔主动锁模技术,得到了9ps脉宽的1.3μm InGaAsP/InP半导体激光超短脉冲。在外腔中加入法珀标准具后,获得了可调谐变换极限的锁模脉冲。
关键词 半导体激光器 锁模 ingaasp/inp
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差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片 被引量：1
9
作者 李雪春 胡礼中 +1 位作者 赛纳 闫志明 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期270-272,共3页
采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层；然后降低温度，在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有... 采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层；然后降低温度，在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题，并克服了其他方法的缺点． 展开更多
关键词 半导体激光器 差温生长法 激光晶片
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10×10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制
10
作者 雷红兵 于丽娟 +3 位作者 陆巧银 国伟华 韩春林 黄永箴 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第6期49-50,共2页
研制了脊形波导结构的10×10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件(AWG),并采用掺铒光纤放大器(EDFA)作宽带光源测量了AWG的近场图以及分光特性。
关键词 波导光栅器件 铟镓砷磷/铟磷阵列 波分复用技术 掺铒光纤放大器 宽带光源 近场图 分光特性 光纤网络通信
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InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
11
作者 王典芬 丁国庆 +1 位作者 魏铭鉴 孙文华 《分析测试学报》 CAS CSCD 1997年第3期1-5,共5页
采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实... 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。 展开更多
关键词 半导体表面化学 XPS MOCVD 外延晶片 外延膜材料
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γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
12
作者 张桂成 史智华 李胜华 《电子科学学刊》 CSCD 1990年第3期333-336,共4页
本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽... 本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度（τ/τ0）讨论了有关结果。 展开更多
关键词 辐射 异质结 发光管 INGAAS/inp
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1.3μm InGaAsP/InP DCC结构半导体激光器 被引量：1
13
作者 刘益春 张月清 +1 位作者 何胜夫 朱有才 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期75-78,共4页
用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T_0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生... 用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T_0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生的过热载流子在第二有源区内辐射复合参与激射的机会;降低了这些热载流子进入限制层产生损耗的几率,提高了T_0值,说明了DCC结构激光器阈值以下特征EL光谱半宽度与注入电流密度的关系并讨论了两个有源区组分匹配及薄夹层厚度对特征温度T_0和阈值电流的影响。 展开更多
关键词 半导体 激光器 DCC结构 ingaasp
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面发射型InGaAsP/InP发光二极管的均匀衰减
14
作者 邸建华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第3期31-36,共6页
本文讨论了具有Au-Zn欧姆型和Ti/Pt/Au肖特基型p侧电极的InGaAsP/InP发光二极管(LED)的均匀衰减模式。对于具有Au-Zn电极的LED,均匀衰减通过两个不同的阶段:初期,光输出功率降低非常缓慢,其后,光输出功率急剧下降。这两个衰减阶段的起... 本文讨论了具有Au-Zn欧姆型和Ti/Pt/Au肖特基型p侧电极的InGaAsP/InP发光二极管(LED)的均匀衰减模式。对于具有Au-Zn电极的LED,均匀衰减通过两个不同的阶段:初期,光输出功率降低非常缓慢,其后,光输出功率急剧下降。这两个衰减阶段的起因在于:老化过程中电极金属的扩散及电极与顶层、覆盖层和有源层的合金反应。对于具有Ti/Pt/Au电极的LED来说,是由于电阻的增加而导致均匀衰减,而这种现象则是由电极和顶层之间In和Ga耗尽的界面形成而引起的。从而可以证明均匀衰减取决于p侧电极和顶层间的界面稳定性。 展开更多
关键词 发光二极管 ingaasp/inp 面发射 侧电极 有源层 输出功率 肖特基 覆盖层 暗斑 界面稳定性
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InGaAsP/InP宽调谐有源Bragg反射集成半导体激光器
15
作者 赵宇 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第Z1期34-35,共2页
目前,由InGaAsP/InP双异质结构成的工作在1.3或1.55μm的半导体激光器由于适用于光纤通信系统,其可调单模激光器受到了人们日益的重视。因为不少实际应用场合都需要波长的调谐。一般,除了依靠器件的工作温度来达到少量的调节外、半导体... 目前,由InGaAsP/InP双异质结构成的工作在1.3或1.55μm的半导体激光器由于适用于光纤通信系统,其可调单模激光器受到了人们日益的重视。因为不少实际应用场合都需要波长的调谐。一般,除了依靠器件的工作温度来达到少量的调节外、半导体激光器本身是不能调谐的。用带有可调光栅反射器的外腔结构,可以实现20-60nm的调谐范围,它只受到了激射材料增益光谱的限制。不用外部光学元件的单片集成激光器,调谐可以用多段式的分布反馈(DFB) 展开更多
关键词 半导体激光器 BRAGG ingaasp/inp 调谐范围 分布反馈 实际应用场合 光纤通信系统 激射 载流子密度 增益区
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MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP/InP量子阱
16
作者 刘宝林 杨树人 +3 位作者 陈佰军 秦福文 王本忠 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第4期79-82,共4页
报导了LP-MOVPE InGaAsP/InP体材料和量子阱的生长.生长的与InP匹配的1.55μm波长的InGaAsP材料,在77K时光荧光半峰宽达18.7meV,InGaAsP/InP量子阱的半峰宽为18.0meV.
关键词 MOVPE 量子阱 半导体 光子发光
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InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量
17
作者 卢革宇 王贤仁 +2 位作者 苗忠礼 程强 关一民 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第3期61-63,共3页
本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.
关键词 界面 双晶衍射 X射线 异质结
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测量InGaAsP/InP异质界面的化学斜面法
18
作者 卢革宇 王贤仁 +2 位作者 苗忠礼 关一民 程强 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第4期53-56,共4页
本文利用AES(俄歇电子能谱)测量了InGaAsP/InP异质界面的组分分布和界面宽度,提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法.同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响.
关键词 化学斜面法 界面 异质结 半导体
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InGaAsP/InP DC-PBH型单管激光器可靠性
19
作者 杨桂生 王玉章 +1 位作者 董志江 黄开平 《光通信研究》 1989年第1期42-47,共6页
本文介绍InGaAsP/InPDC—PBH型LD单管寿命试验、初期筛选老化及高低温循环实验情况。其结果是50℃时MTTF大于4000小时,采用0.9eV激活能外推室温(20℃)下,中值寿命大于10万小时,所观察到的寿命模式符合对数正态分布。
关键词 ingaasp/inp 单管 激光器 寿命
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1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH型激光器件寿命试验
20
作者 王玉章 黄开平 赵俊英 《光通信研究》 1990年第3期41-50,共10页
本文叙述了光纤通信中用作光源的半导体激光器寿命试验情况。实验是以DC-PBH型结构1.3μm激光管为对象,在高温下进行加速寿命试验,试验过程中均未出现偶然失效现象.其外推室温寿命MTTF值为2.6×10~5小时(σ=1.06),并给出了失效率λ... 本文叙述了光纤通信中用作光源的半导体激光器寿命试验情况。实验是以DC-PBH型结构1.3μm激光管为对象,在高温下进行加速寿命试验,试验过程中均未出现偶然失效现象.其外推室温寿命MTTF值为2.6×10~5小时(σ=1.06),并给出了失效率λ(t)与时间t的关系曲线,以备通信系统工程设计查用。 展开更多
关键词 激光器 ingaasp/inp 寿命 DC-PBH型
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