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题名FinFET纳电子学与量子芯片的新进展
被引量：1
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作者
赵正平
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机构
中国电子科技集团公司
专用集成电路重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第1期1-6,共6页
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文摘
综述了后摩尔时代中两大发展热点:鳍式场效应晶体管(FinFET)纳电子学和基于量子计算新算法的量子芯片的发展历程和近两年的最新进展。在FinFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展现状,包括FinFET的发展、10 nm和7 nm技术节点的量产、5 nm和3 nm技术节点的环栅场效应晶体管(GAAFET)和2 nm技术节点的负电容场效应晶体管(FET)的前瞻性技术研究以及非Si器件(InGaAs FinFET、WS2和MoS2两种2D材料的FET)的探索性研究。指出继续摩尔定律的发展将以Si基FinFET和GAAFET的技术发展为主。在量子芯片领域,综述并分析了超导、电子自旋、光子、金刚石中的氮空位中心和离子阱等五种量子比特芯片的发展历程,提高相干时间、固态化及多量子比特扩展等的技术突破,以及近几年在量子信息应用的新进展。基于Si基的纳米制造技术和新的量子计算算法的结合正加速量子计算向工程化的进展。
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关键词
鳍式场效应晶体管(Finfet)
环栅场效应晶体管(GAAfet)
负电容场效应晶体管(fet)
ingaas
FINfet
超导量子芯片
电子自旋量子芯片
光子量子芯片
金刚石中的氮空位中心量子比特
离子阱量子芯片
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Keywords
Fin field effect transistor(Finfet)
gate-all-around field effect transistor(GAAfet)
negative capacitance field effect transistor(fet)
ingaas Finfet
superconduc-ting quantum chip
electron spin quantum chip
photon quantum chip
nitrogen vacancy center in diamond quantum bit
ion well quantum chip
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分类号
TN301
[电子电信—物理电子学]
O471.1
[理学—半导体物理]
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题名三维晶体管和后CMOS器件的进展
被引量：2
- 2
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作者
赵正平
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机构
中国电子科技集团公司
专用集成电路重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第1期1-11,共11页
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文摘
2012年当量产的集成电路的特征尺寸进入22 nm时,三维晶体管新结构成为纳电子发展的主流,标志纳电子学的发展由应力Si时代进入三维晶体管时代。介绍了多栅晶体管的发展过程,包括双栅、鳍栅、Pi型栅、Ω型栅、三栅和环形栅等FET关键技术的突破和由于栅极控制沟道电子能力增加而导致的器件性能的改善。同时,还介绍了后CMOS器件的新进展,包含InGaAs n沟道鳍栅FET、环栅纳米线FET、Ge n/p沟道鳍栅FET、碳纳米管FET、石墨烯FET、隧穿FET、单电子晶体管和自旋电子学等,以及后CMOS器件的评定和终结CMOS器件模型。
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关键词
鳍栅fet
三栅fet
ingaas鳍栅fet
环栅纳米线fet
Ge鳍栅fet
碳纳米管fet
石墨烯fet
隧穿fet
自旋器件
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Keywords
Finfet
tri-gate fet
ingaas Finfet
gate-all-around nanowire fet
Ge Fin- fet
carbon nanotube fet
graphene fet
tunnel fet
spin device
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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