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平面型2.6μmInGaAs红外探测器变温特性研究 被引量:5
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作者 李永富 唐恒敬 +4 位作者 张可峰 李淘 宁锦华 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期612-617,共6页
通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主... 通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109cmHz1/2/W。 展开更多
关键词 ingaas红外探测器 产生-复合电流 隧穿电流 暗电流 优值因子 峰值探测
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延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究 被引量:2
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作者 李淘 乔辉 +3 位作者 李永富 唐恒敬 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期511-514,共4页
通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小。在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有... 通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小。在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有下降,噪声基本不变,说明在受到辐照后器件的探测性能略有下降。对器件在辐照前后的低频噪声进行了测试,发现整个低频区的噪声都没有明显的改变。这些结论表明γ辐照对延伸波长InGaAs器件的影响较小。 展开更多
关键词 红外探测器 ingaas Γ辐照
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新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计 被引量:2
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作者 赵旭 缪国庆 +1 位作者 张志伟 曾玉刚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期75-79,共5页
设计并模拟计算了延伸波长至2.6μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响。研究结果表明:在In0.82Al0.18As厚度为2... 设计并模拟计算了延伸波长至2.6μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响。研究结果表明:在In0.82Al0.18As厚度为200 nm且载流子浓度为2E18、In As0.6P0.4厚度为50 nm且载流子浓度为2E17、In0.82Ga0.18As厚度为50 nm且载流子浓度为2E16时,探测器表现出最佳的性能。与传统PIN结构探测器相比,其相对光谱响应度仅降低10%,暗电流降低了1个数量级。计算分析了不同工作温度下的暗电流,结果显示:在120~250 K时,暗电流主要为缺陷隧穿电流;在250~300 K时,暗电流主要为带间隧穿电流;当温度大于300 K时,暗电流主要为产生-复合电流和扩散电流。 展开更多
关键词 红外探测器 APSYS 盖层 光谱响应度 暗电流
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大直径InGaAs红外探测器
4
作者 顾聚兴 《红外》 CAS 1995年第3期7-7,共1页
在法国以Jenoptec为代表的Epitaxx公司宣布以系列的形式生产新的InGaAs PIN光电二极管,新光电二极管的敏感面直径达5mm。在此之前,该公司曾生产过直径为0.5mm、1mm、2mm和3mm的光电二极管系列。
关键词 大直径 ingaas 红外探测器
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宽谱红外/太赫兹量子棘轮探测器研究进展(内封面文章·特邀)
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作者 楚卫东 白鹏 +4 位作者 杨宁 王屹 韩尚杰 王迎新 赵自然 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第1期12-25,共14页
近年来,红外/太赫兹探测技术取得了卓越的进步,聚焦于当前主流的红外及太赫兹探测器就其优点和缺点进行相应评述。为满足现在科技水平所需的高速探测光子型红外/太赫兹探测器取得了广泛地关注和研究,但其工作温度低、响应光谱范围窄等... 近年来,红外/太赫兹探测技术取得了卓越的进步,聚焦于当前主流的红外及太赫兹探测器就其优点和缺点进行相应评述。为满足现在科技水平所需的高速探测光子型红外/太赫兹探测器取得了广泛地关注和研究,但其工作温度低、响应光谱范围窄等缺点限制了其应用的场景。就工作原理、工作模式、研究进展、能带工程等方面介绍GaAs基经典红外/太赫兹光子型探测器并进行评述。在此基础上,详细介绍文中提出的量子棘轮红外探测器(QRIP)的研究进展,从QRIP器件的工作原理、器件结构等方面阐述了其优势及可行性。通过研究QRIP不同的杂质类型、掺杂浓度、生长工艺、能带结构等条件以研究其工作机理及量子特性,列出了不同结构QRIP器件实验结果并进行了分析。棘轮结构在无外加电场下能够对红外能量进行探测,同时在特定的偏压下能够实现光谱可调的性质以实现宽谱的探测。进一步地,将QRIP集成LED制备出量子棘轮上转换器件,其能够实现4~200 THz的超宽谱探测,同时量子棘轮上转换探测器在25 K时响应率可以达到0.4 A/W。该研究表明了量子棘轮探测器能够有效提升器件的工作温度、响应光谱范围,为高工作温度红外/太赫兹光子型探测器实现提供了新思路。 展开更多
关键词 红外/太赫兹探测器 宽谱探测器 高温太赫兹探测 量子棘轮
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一种锑化铟红外焦平面探测器的设计及制作
6
作者 谭启广 李忠贺 +1 位作者 张轶 曹凌霞 《红外》 2025年第1期23-27,共5页
裂片及串音问题限制了锑化铟(InSb)焦平面探测器向更大面阵规模、更小像元间距的发展。报道了采用分立感光像元的InSb焦平面探测器的试验研究结果。制备了阵列规模为320×256、像元间距为30μm的InSb红外探测器,测得其信号响应均值... 裂片及串音问题限制了锑化铟(InSb)焦平面探测器向更大面阵规模、更小像元间距的发展。报道了采用分立感光像元的InSb焦平面探测器的试验研究结果。制备了阵列规模为320×256、像元间距为30μm的InSb红外探测器,测得其信号响应均值为441.112 mV,噪声均值为1.729 mV。此阵列分立,缓解了裂片及串音问题,可靠性高且填充率较高。相较于键合硅片后刻蚀形成分立像元的方式,该方法不存在硅片对入射光信息的吸收损失,且制作工艺简单。 展开更多
关键词 红外焦平面探测器 INSB 分立
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中长波双波段红外焦平面探测器驱动电路设计
7
作者 张禹 宫宸 +2 位作者 魏洪苗 刘纪洲 李红 《红外》 2025年第3期16-22,共7页
双波段红外焦平面探测器是未来发展趋势之一,在越来越多的场景中得到应用。针对中长波双波段红外焦平面探测器的驱动电路进行设计,提出了包括双模式驱动电路、独立动态范围调整电路、低模拟信号调理电路、双衬底切换电路、电源驱动电路... 双波段红外焦平面探测器是未来发展趋势之一,在越来越多的场景中得到应用。针对中长波双波段红外焦平面探测器的驱动电路进行设计,提出了包括双模式驱动电路、独立动态范围调整电路、低模拟信号调理电路、双衬底切换电路、电源驱动电路和分布式积分的设计方法。该驱动电路能够对红外焦平面探测器敏感元输出的模拟信号进行有效变换,同时给红外焦平面探测器提供所需的偏置电压和驱动时序。本文所设计的中长波双波段红外焦平面探测器驱动电路在中波和长波图像融合后具有良好的成像效果。 展开更多
关键词 双波段 红外焦平面探测器 驱动电路 分布式积分 图像融合
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基于QT的红外探测器特性参数测试方法
8
作者 刘博文 邱晨 +3 位作者 王晓龙 邢艳蕾 王亮 陈彦冠 《红外》 2025年第2期26-35,共10页
受红外探测器广泛应用的影响,对红外探测器性能数据分析的需求呈多样性和复杂性。针对部分不可直接测得或者获取难度大的特性参数(如暗电流、量子效率等),提出了一种基于QT的红外探测器特性参数集成测试方法,包括传统测试系统以及自主... 受红外探测器广泛应用的影响,对红外探测器性能数据分析的需求呈多样性和复杂性。针对部分不可直接测得或者获取难度大的特性参数(如暗电流、量子效率等),提出了一种基于QT的红外探测器特性参数集成测试方法,包括传统测试系统以及自主开发的计算软件。计算软件使用QT及C++语言开发。独立自主完成底层算法设计开发,使其具备全波段任意温度黑体辐射光子数、暗电流、量子效率等多种特性参数计算功能。现有计算软件仅支持单一性能参数计算功能,且参数计算过程中存在普适性差、容错性低等问题。所提出的软件对底层计算原理采取封包处理,综合了多个性能参数计算功能。经多种阵列尺寸红外探测器验证,该软件具有准确、便捷等优点。 展开更多
关键词 红外探测器 特性参数 集成计算 QT C++
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倍增层Si浓度对β-FeSi_(2)/Si红外探测器性能的影响研究
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作者 朱朝阳 叶伟 +1 位作者 彭慧龙 陈昱坤 《河南科技》 2025年第1期73-77,共5页
【目的】为降低暗电流,改善器件性能,对不同的倍增层Si掺杂浓度在电场分布、暗电流和响应度等性能方面的影响进行探讨,以获得掺杂浓度的最优值。【方法】利用半导体仿真软件Silvaco-TCAD深入探讨了倍增层Si掺杂浓度对β-FeSi_(2)/Si近... 【目的】为降低暗电流,改善器件性能,对不同的倍增层Si掺杂浓度在电场分布、暗电流和响应度等性能方面的影响进行探讨,以获得掺杂浓度的最优值。【方法】利用半导体仿真软件Silvaco-TCAD深入探讨了倍增层Si掺杂浓度对β-FeSi_(2)/Si近红外探测器性能的影响规律。【结果】随着倍增层掺杂浓度的提升,倍增层内部电场强度峰值逐渐增加,暗电流密度与电容值也将相应提高,光响应度基本保持不变。进一步研究表明,当倍增层掺杂浓度为1×10^(15) cm^(-3)时,器件获得良好的性能,暗电流密度为9.93×10^(-6) A/cm^(2),在波长为1.5μm时,光响应度和比探测率分别为0.4452 A/W和1.77×10^(11) cm·Hz^(1/2)W^(-1)。【结论】研究结果对制备高性能的β-FeSi_(2)/Si红外探测器具有指导意义。 展开更多
关键词 掺杂浓度 倍增层 暗电流 红外探测器
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低热负载红外探测器渐变壁厚冷指结构设计
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作者 岳晨 闫杰 +1 位作者 王冠 方志浩 《红外》 2025年第4期27-32,共6页
随着制冷型红外探测器研制水平的提高,对杜瓦结构提出了低漏热的需求。通过力学仿真与传导热负载理论分析,提出了一种低热负载红外探测器渐变壁厚冷指结构设计,并探究了渐变壁厚冷指的外径渐变位置对力学可靠性与传导漏热的影响。结果表... 随着制冷型红外探测器研制水平的提高,对杜瓦结构提出了低漏热的需求。通过力学仿真与传导热负载理论分析,提出了一种低热负载红外探测器渐变壁厚冷指结构设计,并探究了渐变壁厚冷指的外径渐变位置对力学可靠性与传导漏热的影响。结果表明,若采用大量级振动条件,则渐变壁厚冷指的外径渐变位置可适当上移,以增强结构的稳定性;若采用小量级振动条件,则外径渐变位置可适当下移。在满足力学可靠性的前提下,进一步降低热负载,并进行了组件优化验证。该结构在保证力学可靠性的前提下,可将杜瓦静态热负载降低15%~18%。 展开更多
关键词 红外探测器 冷指 传导热负载
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ICP刻蚀对超晶格红外探测器电极制备的控制
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作者 任昂 刘铭 李景峰 《红外》 2025年第3期1-7,共7页
Ⅱ类超晶格红外探测器通常利用台面结实现对红外辐射的探测,其中金属电极的制备工艺至关重要。深入研究了电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma, ICP)刻蚀系统中物理刻蚀与化学刻蚀对超晶格探测器电极孔形貌的控制以及对刻蚀速... Ⅱ类超晶格红外探测器通常利用台面结实现对红外辐射的探测,其中金属电极的制备工艺至关重要。深入研究了电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma, ICP)刻蚀系统中物理刻蚀与化学刻蚀对超晶格探测器电极孔形貌的控制以及对刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、刻蚀气体流量等参数,打破了刻蚀系统中物理刻蚀与化学刻蚀之间的平衡,实现了电极孔侧壁倾角从70°到90°的工艺控制。该方法可以获得平滑的电极孔侧壁以及合适的倾斜角度,为金属电极的生长提供最佳沉积条件。 展开更多
关键词 红外探测器 ICP刻蚀 超晶格 电极孔 侧壁倾角
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多谱段红外探测器组件的光学工程化设计
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作者 张璐 李冬冰 付志凯 《红外》 2025年第4期20-26,共7页
在多谱段红外探测器设计中,多谱段滤光片是实现焦平面集成分光的关键器件。其谱段拼缝越宽、贴装位置距离探测器越远,组件响应度非均匀性越差、谱段间串扰越大。基于某6谱段512×3×6组件开展研究,通过光线模拟计算提出多谱段... 在多谱段红外探测器设计中,多谱段滤光片是实现焦平面集成分光的关键器件。其谱段拼缝越宽、贴装位置距离探测器越远,组件响应度非均匀性越差、谱段间串扰越大。基于某6谱段512×3×6组件开展研究,通过光线模拟计算提出多谱段滤光片参数和探测器尺寸的设计方法。基于光线模拟计算逻辑设计了一套可迭代计算、优化上述参数的计算程序。提出了滤光片贴装工艺方法,为后续相似组件的光学设计提供了有益的解决方案。本文设计的多谱段红外探测器滤光片的拼缝宽度为30μm,厚度为0.6 mm,距离探测器0.9 cm;探测器像元尺寸为40μm×40μm,中心间距为900μm。组件完成制备验证,降温时间为416 s,6谱段响应率非均匀性分别为10.9%、12.5%、11.8%、11.9%、12.3%和10.9%,相邻谱段间无串扰。 展开更多
关键词 多谱段红外探测器 光线模拟 参数设置 光学设计
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短波红外自滤波超窄带锗平面结构光电探测器
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作者 方昶月 王莉 +2 位作者 王艺飞 柳宇健 罗林保 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期343-347,共5页
文章基于锗平面肖特基结构,通过调控光生载流子收集过程中的复合作用,成功研制探测波长位于1290 nm、半高宽仅为8 nm且无需滤光片的自驱动短波红外光电探测器。该器件性能稳定,抗干扰能力强,在接收1290 nm光信号时,器件的串扰值在1278~1... 文章基于锗平面肖特基结构,通过调控光生载流子收集过程中的复合作用,成功研制探测波长位于1290 nm、半高宽仅为8 nm且无需滤光片的自驱动短波红外光电探测器。该器件性能稳定,抗干扰能力强,在接收1290 nm光信号时,器件的串扰值在1278~1311 nm波长范围以外均小于-10 dB,可应用于红外系统信息的采集。文章研究结果可以为相关窄带探测器的设计提供理论和实验参考。 展开更多
关键词 窄带探测 肖特基结 短波红外 光电探测器
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用于天文观测的InGaAs近红外探测器性能测试方法 被引量:1
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作者 孙佰成 郭杰 +5 位作者 许方宇 范明国 龚晓霞 项永生 凌云 张雨辰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1002-1008,共7页
基于天文红外探测器评价体系,利用改进的“光子转移曲线”测试方法,分别测试了液氮制冷和热电制冷的两款InGaAs近红外探测器的性能。NIRvana-LN光电子与输出数字量的转换因子为0.16ADU/e-,读出噪声实测值是83 e-,远高于标称值15 e-;NIRv... 基于天文红外探测器评价体系,利用改进的“光子转移曲线”测试方法,分别测试了液氮制冷和热电制冷的两款InGaAs近红外探测器的性能。NIRvana-LN光电子与输出数字量的转换因子为0.16ADU/e-,读出噪声实测值是83 e-,远高于标称值15 e-;NIRvana的高、低转换因子分别为1.25ADU/e-和0.097ADU/e-,读出噪声分别为105 e-和380 e-;NIRvana在高转换因子档下暗电流实测值是415 e-/s,大约是标称值的2倍。理论估算云南天文台两米环形望远镜在1.565μm太阳磁场测量时的信号电子数约8800 e-,在实测暗电流4.06 e-/s,像元曝光时间20 ms,读出噪声83.59 e-条件下,NIRvana-LN探测器信噪比为70。 展开更多
关键词 红外天文 ingaas红外探测器 转换因子 读出噪声 暗电流
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InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展 被引量:7
15
作者 胡伟达 李庆 +3 位作者 温洁 王文娟 陈效双 陆卫 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第3期201-208,共8页
近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响... 近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响,对盖格模式下多种单光子探测电路进行了综述,同时对新型金属-绝缘体-金属结构设计的研究进展进行了介绍和展望。 展开更多
关键词 ingaas/InP红外雪崩光电探测器 暗电流机制 单光子探测 表面等离共振效应
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InGaAs短波红外探测器研究进展 被引量:24
16
作者 张卫锋 张若岚 +2 位作者 赵鲁生 胡锐 史衍丽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第6期361-365,共5页
InxGa1-xAs材料属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随In组分含量的不同,其光谱响应的截止波长可在0.87~3.5μm范围内变化,并具有高量子效率,加之成熟的MBE和MOVCD材料生长方式,很容易获得大面积高质量的外延材料,InGaAs材料因此成为一... InxGa1-xAs材料属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随In组分含量的不同,其光谱响应的截止波长可在0.87~3.5μm范围内变化,并具有高量子效率,加之成熟的MBE和MOVCD材料生长方式,很容易获得大面积高质量的外延材料,InGaAs材料因此成为一种重要的短波红外探测材料。InGaAs探测器可以在室温或近室温下工作,且具有较高的灵敏度和探测率,是小型化、低成本和高可靠性的短波红外探测系统的最佳选择,因此InGaAs短波红外探测器获得了飞速的发展和广泛的应用。同时对国内外InGaAs焦平面探测器发展状况和趋势进行了介绍。 展开更多
关键词 ingaas 短波红外 焦平面阵列 红外探测器
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短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制 被引量:13
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作者 张永刚 顾溢 +3 位作者 朱诚 郝国强 李爱珍 刘天东 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-9,共4页
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征... 采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级. 展开更多
关键词 光伏探测器 短波红外 ingaas 气态源分子束外延
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短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展 被引量:23
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作者 李雪 邵秀梅 +8 位作者 李淘 程吉凤 黄张成 黄松垒 杨波 顾溢 马英杰 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期56-63,共8页
短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦... 短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦平面以及新型多功能InGaAs探测器取得了良好进展。在常规波长InGaAs焦平面方面,从256×1、512×1元等线列向320×256、640×512、4000×128、1280×10^24元等多种规格面阵方面发展,室温暗电流密度优于5 n A/cm2,室温峰值探测率优于5×10^12cm·Hz1/2/W。在延伸波长InGaAs探测器方面,发展了高光谱高帧频10^24×256、10^24×512元焦平面,暗电流密度优于10 n A/cm^2和峰值探测率优于5×10^11cm·Hz1/2/W@200 K。在新型多功能InGaAs探测器方面,发展了一种可见近红外响应的InGaAs探测器,通过具有阻挡层结构的新型外延材料和片上集成微纳陷光结构,实现0.4~1.7μm宽谱段响应,研制的320×256、640×512焦平面组件的量子效率达到40%@0.5 m、80%@0.8 m、90%@1.55 m;发展了片上集成亚波长金属光栅的InGaAs偏振探测器,其在0°、45°、90°、135°的消光比优于20:1。 展开更多
关键词 ingaas 焦平面 短波红外 暗电流 探测
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高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展 被引量:25
19
作者 邵秀梅 龚海梅 +5 位作者 李雪 方家熊 唐恒敬 李淘 黄松垒 黄张成 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第8期629-635,共7页
中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,... 中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度<5 n A/cm^2,室温峰值探测率优于5×10^(12)cm×Hz^(1/2)/W。同时,开展了向可见波段拓展的320×256焦平面探测器研究,光谱范围0.5~1.7mm,在0.8mm的量子效率约20%,在1.0mm的量子效率约45%。针对高光谱应用需求,上海技物所开展了1.0~2.5mm短波红外InGaAs探测器研究,暗电流密度小于10 n A/cm^2@200 K,形成了512×256、1024×128等多规格探测器,峰值量子效率高于75%,峰值探测率优于5×10^(11)cm×Hz^(1/2)/W。 展开更多
关键词 ingaas 焦平面 短波红外 暗电流 探测
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近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响 被引量:2
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作者 朱耀明 李永富 +4 位作者 唐恒敬 汪洋 李淘 李雪 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期169-173,共5页
采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表... 采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表明,探测器的暗电流、噪声与台面面积是成线性关系的,而信号与台面面积则不是线性关系。探测器的台面可分为光敏区和光敏区外部分,光敏区外部分对暗电流、噪声的贡献与光敏区是一致的,但对信号的贡献这两部分则是不一致的,这主要是由于衬底反射和器件之间的沟道光生载流子的侧向扩散所造成的。 展开更多
关键词 红外ingaas探测器 台面结构 器件性能
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