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InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究 被引量:11
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作者 罗子江 周勋 +4 位作者 杨再荣 贺业全 何浩 邓朝勇 丁召 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期846-849,共4页
利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,... 利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相。样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜。 展开更多
关键词 MBE RHEED STM ingaas异质薄膜
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Z型异质结复合薄膜UIO-66-NH_(2)/Ag/Ag_(3)PO_(4)/Ni的可见光催化性能及机理
2
作者 赵娣 刘洪燕 +4 位作者 王树军 孙欣语 张紫璇 齐学宇 刘子帆 《材料导报》 北大核心 2025年第8期153-158,共6页
设计和合成高效光催化剂需要实现反应位点的精确调控、光诱导载流子的快速迁移以及可见光的有效吸收。本工作采用恒流电沉积法制备了UIO-66-NH_(2)/Ag/Ag_(3)PO_(4)/Ni复合薄膜。UIO-66-NH_(2)和Ag_(3)PO_(4)的能带结构匹配良好,同时纳... 设计和合成高效光催化剂需要实现反应位点的精确调控、光诱导载流子的快速迁移以及可见光的有效吸收。本工作采用恒流电沉积法制备了UIO-66-NH_(2)/Ag/Ag_(3)PO_(4)/Ni复合薄膜。UIO-66-NH_(2)和Ag_(3)PO_(4)的能带结构匹配良好,同时纳米Ag作为光生载流子分离中心,形成了由Ag_(3)PO_(4)、Ag和UIO-66-NH_(2)组成的Z型异质结光催化体系,有效地分离了光生电子-空穴对,保留了强氧化-还原活性位点,因而UIO-66-NH_(2)/Ag/Ag_(3)PO_(4)/Ni复合薄膜在可见光下表现出优异的光催化性能。此外,光电化学测试结果表明,UIO-66-NH_(2)/Ag/Ag_(3)PO_(4)/Ni复合薄膜具有更高的载流子分离速率和更低的催化还原溶解O_(2)的反应势垒。活性物种实验结果表明,·O_(2)^(-)和空穴(h^(+))在光催化降解中起主要作用,进一步证实了系统的Z型异质结光催化降解机制。 展开更多
关键词 UIO-66-NH_(2)/Ag/Ag_(3)PO_(4)/Ni复合薄膜 Z型异质 恒流电沉积 可见光 光催化
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LiNbO_(3)/ITO异质结薄膜的制备及光电性质研究
3
作者 朱家怡 杜帅 +2 位作者 周鹏飞 郑凡 陈云琳 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期819-824,共6页
在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于... 在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于ITO/LN,LN/ITO叠层顺序有更优的生长取向和结晶性能。AFM结果显示,200℃下异质结薄膜表面较为平整,鲜少有凸起。通过紫外可见分光光度计透光性能测试,相比于LN单层薄膜,叠层后的异质结薄膜的透光率在可见光范围内有所提高,且退火后异质结薄膜透光性进一步增强。利用变温霍尔效应测试仪研究了LN/ITO异质结的电学性质,测试结果表明LN/ITO异质结薄膜为p型半导体;与LN单层薄膜相比,LN/ITO异质结薄膜的电导率提高了11个数量级。 展开更多
关键词 LN/ITO薄膜 异质 磁控溅射镀膜 透光率 霍尔效应
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基于共溅射ZnO/SnO_(2)异质结薄膜的气体传感器研究 被引量:5
4
作者 孙士斌 张叶裕 +1 位作者 高晨阳 常雪婷 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第2期61-64,共4页
采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO_(2)n-n异质结复合薄膜,系统测试了其气敏特性,并分析了其气敏机理。结果表明,与ZnO薄膜和SnO_(2)薄膜气体传感器相比,ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏... 采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO_(2)n-n异质结复合薄膜,系统测试了其气敏特性,并分析了其气敏机理。结果表明,与ZnO薄膜和SnO_(2)薄膜气体传感器相比,ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏度以及更快的响应和恢复速度。ZnO/SnO_(2)异质结薄膜气体传感器对乙醇具有较好的选择性,最低检测体积分数为1×10^(-6),最佳工作温度为250℃;对1×10^(-4)乙醇气体的灵敏度可达18.4,响应时间和恢复时间分别为10 s和19 s。 展开更多
关键词 磁控共溅射 ZnO/SnO_(2)异质 复合薄膜 气体传感器
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RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜 被引量:5
5
作者 罗子江 周勋 +5 位作者 贺业全 何浩 郭祥 张毕禅 邓朝勇 丁召 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2107-2111,共5页
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像... 利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。 展开更多
关键词 MBE RHEED STM ingaas薄膜
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低温分子束外延InGaAs非晶薄膜的微观结构和光学性质 被引量:1
6
作者 么艳平 刘春玲 +3 位作者 乔忠良 李梅 高欣 薄报学 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1450-1453,共4页
采用分子束外延技术制备了单层InGaAs非晶薄膜,Ⅴ/Ⅲ束流比分别为40∶1和60∶1.测试了样品各元素的摩尔百分比及X射线衍射特征,并利用场发射扫描电镜观察了样品的表面形貌。由X射线衍射数据计算了径向分布函数和双体相关函数,并分析了... 采用分子束外延技术制备了单层InGaAs非晶薄膜,Ⅴ/Ⅲ束流比分别为40∶1和60∶1.测试了样品各元素的摩尔百分比及X射线衍射特征,并利用场发射扫描电镜观察了样品的表面形貌。由X射线衍射数据计算了径向分布函数和双体相关函数,并分析了样品中距中心原子最近邻原子的平均距离、最近邻原子的配位数和短程有序畴。同时,由透射谱计算了材料的近红外吸收系数,计算出两片InGaAs非晶薄膜样品的光学带隙分别为0.886 eV和0.822 eV. 展开更多
关键词 半导体技术 ingaas非晶薄膜 径向分布函数 吸收系数 光学带隙
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用试探值α分析InGaAs/InP异质界面
7
作者 汪开源 黄玉辉 曹康敏 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1989年第4期130-134,共5页
自70年代液相外延得到迅速发展以来,在对短时间生长(1~30s)得到的亚微米异质外延层的丰富经验基础上,1982年以后,人们提出了LPE短时间生长机制的理论分析。但迄今为止,国内外对LPE生长接触后极短时间的,特别是初始生长速率的变化行为... 自70年代液相外延得到迅速发展以来,在对短时间生长(1~30s)得到的亚微米异质外延层的丰富经验基础上,1982年以后,人们提出了LPE短时间生长机制的理论分析。但迄今为止,国内外对LPE生长接触后极短时间的,特别是初始生长速率的变化行为的研究仍是猜测性地定性分析。研究异质界面问题最有效、最可信的方法是Auger深度离子剥离分析,它可以在2nm以下的精度显示异质固态结合处各元素沿生长距离的分布。 展开更多
关键词 试探值α 异质界面 ingaas/INP
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电共沉积InGaAs薄膜材料
8
作者 王喜莲 韩爱珍 高元恺 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期200-209,共10页
阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于 1 3~ 1 5 μm的InGaAs薄膜材料。用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时测量了薄膜I-V特性、导电类型、厚度及其表面形貌 ,分析结果表明该方法是半导体薄... 阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于 1 3~ 1 5 μm的InGaAs薄膜材料。用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时测量了薄膜I-V特性、导电类型、厚度及其表面形貌 ,分析结果表明该方法是半导体薄膜材料制备的一种新途径。 展开更多
关键词 ingaas 电共沉积 薄膜材料
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MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性 被引量:1
9
作者 郭子路 王文娟 +7 位作者 曲会丹 范柳燕 诸毅诚 王亚杰 郑长林 王兴军 陈平平 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期63-69,共7页
InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用... InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。 展开更多
关键词 分子束外延 P/As切换 异质界面扩散 ingaas/InP雪崩光电二极管
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γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
10
作者 张桂成 史智华 李胜华 《电子科学学刊》 CSCD 1990年第3期333-336,共4页
本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽... 本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度(τ/τ0)讨论了有关结果。 展开更多
关键词 辐射 异质 发光管 ingaas/INP
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InGaAs薄膜电共沉积研究
11
作者 李浴春 王喜莲 +3 位作者 韩竞科 韩爱珍 高元恺 杨志伟 《电化学》 CAS CSCD 2000年第4期463-468,共6页
本文应用优化工艺条件的电共沉积方法 ,制备发射光近于 1.3~ 1.5μm波长的InGaAs薄膜 .用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时也测量了薄膜的V I特性、导电类型及其表面形貌 .
关键词 ingaas薄膜 电共沉积 透射率 半导体材料
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相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌 被引量:2
12
作者 王冠 翁燕华 吴平平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期547-552,共6页
本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As多层异质结构薄膜表面。通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌。计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.1... 本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As多层异质结构薄膜表面。通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌。计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.15-Ga0.85As缓冲层,厚度从1nm增加到4nm,薄膜表面临界波长从34nm提升到80nm。随着缓冲层的厚度从1nm增加到10nm,使用正弦波表面的模拟结果显示,薄膜表面粗糙度从2.87nm下降到0.43nm,随机叠加波表面的模拟结果也类似,表面粗糙度从1.21nm下降到0.18nm。热力学分析和应变分布分析可以解释缓冲层对薄膜表面形貌演化的作用。该模拟计算方式对设计缓冲层结构有很大的帮助,模拟计算的结果可以与实验相比对。 展开更多
关键词 相场 ingaas异质 表面形貌 缓冲层
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短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真 被引量:3
13
作者 刘峰 石峰 +3 位作者 焦岗成 师宏立 苗壮 任彬 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第9期778-782,共5页
针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光... 针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光电阴极的影响。研究结果显示:Schottky势垒偏压至少要达到8 V才能较好消除p-In Ga As/p-In P异质结的势垒影响。此时,为达到较小的漏电流,In0.53Ga0.47As光吸收层厚度2μm,In P发射层厚度1μm,掺杂浓度均为1×1016 cm-3。 展开更多
关键词 场助式光阴极 短波红外阈 ingaas 异质
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Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备及其日盲紫外光电探测器性能研究
14
作者 张献 岳志昂 +6 位作者 赵恩钦 魏帅康 叶文轩 黄敏怡 辛美波 赵洋 王辉 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期462-469,共8页
日盲紫外光电探测器(SBPDs)在军事、民用、医疗等领域存在巨大的应用潜力。本文采用射频磁控溅射技术制备Si掺杂氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了氩氧流量比对其物理特性的影响。晶体结构、光学性质和表面形貌分析结果表明,当氩氧流量比... 日盲紫外光电探测器(SBPDs)在军事、民用、医疗等领域存在巨大的应用潜力。本文采用射频磁控溅射技术制备Si掺杂氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,研究了氩氧流量比对其物理特性的影响。晶体结构、光学性质和表面形貌分析结果表明,当氩氧流量比为30∶20时,薄膜的结晶质量最好。Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜沿(402)晶面择优生长,表面平整光滑,无微孔洞,400~800 nm波段的平均透过率为90%。基于优化的Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜制备条件,本文制备了p-GaN/n-Ga_(2)O_(3)∶Si自供电SBPDs,其在0 V偏压254 nm光照下的上升时间和衰减时间分别为0.450和0.509 s,光暗电流比(PDCR)、响应度(R)和比探测率(D*)分别为23、0.24 mA/W和1.67×10^(8)Jones。研究了器件在0~-6 V偏压下的周期性时间响应特性,在0 V偏压下,器件在254 nm辐照瞬间出现尖峰,当施加反向偏压时,尖峰消失。最后分析了p-GaN/Ga_(2)O_(3)∶Si异质结在接触前、后及反向偏压下的能带图。 展开更多
关键词 Ga_(2)O_(3)∶Si薄膜 氩氧流量比 磁控溅射 异质 日盲紫外光电探测器
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InGaAsP/InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究
15
作者 丁国庆 《光通信研究》 北大核心 1999年第4期55-59,共5页
介绍应变量子阱材料的稳定性理论——能量平衡模型;报告几个典型的与晶体质量蜕化有关的光荧光谱;计算几种常用应变多量子阱结构材料的临界弹性应变量;指出非应变盖层可提高阱层临界应变量;
关键词 应变量子阱材料 能量平衡模型 晶格驰豫 异质结构材料 ingaasP 磷化铟薄膜
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基于p-6P异质诱导生长酞菁铜薄膜的NO_2传感器 被引量:7
16
作者 李占国 张玉婷 +4 位作者 谢强 李亨利 孙丽晶 宋晓峰 王丽娟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1005-1011,共7页
为实现室温下低浓度NO2气体检测,制作了p-六联苯(p-6P)诱导层的酞菁铜有机薄膜传感器。利用原子力显微镜(AFM)研究了不同沉积速率下p-6P薄膜的生长规律,慢速沉积提供足够的分子扩散时间,利于薄膜横向生长,形成高度低、尺寸大的晶畴。在p... 为实现室温下低浓度NO2气体检测,制作了p-六联苯(p-6P)诱导层的酞菁铜有机薄膜传感器。利用原子力显微镜(AFM)研究了不同沉积速率下p-6P薄膜的生长规律,慢速沉积提供足够的分子扩散时间,利于薄膜横向生长,形成高度低、尺寸大的晶畴。在p-6P薄膜上生长了酞菁铜薄膜,可以清晰看到晶畴上酞菁铜薄膜的有序排列。利用X射线衍射(XRD)仪,阐明了p-6P对酞菁铜薄膜具有很好的诱导效应。通过对比不同沉积速率p-6P薄膜诱导的酞菁铜传感器性能,发现慢速沉积诱导层的酞菁铜器件有高的响应强度和低的回复时间。异质诱导生长的酞菁铜传感器响应强度是直接生长在二氧化硅上的酞菁铜传感器的2倍,回复时间是3.2 min,对浓度为1.0×10^(-5)的NO_2气体灵敏。 展开更多
关键词 p-六联苯 酞菁铜 薄膜传感器 异质诱导
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有机/无机异质结薄膜发光二极管 被引量:5
17
作者 谭海曙 陈立春 +4 位作者 杨小辉 王向军 谢洪泉 高广华 姚建铨 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1997年第10期942-945,共4页
Thin film light-emitting diodes with organic/inorganic heterostructure in which ZnO:Zn layer was used as electron transporting and hole blocking layer, PDDOPV, Poly(2,5- Didodecyloxy-1,4 Phenylenevinylene ) was used a... Thin film light-emitting diodes with organic/inorganic heterostructure in which ZnO:Zn layer was used as electron transporting and hole blocking layer, PDDOPV, Poly(2,5- Didodecyloxy-1,4 Phenylenevinylene ) was used as hole transport and emission layer have been successfully prepared. Comparing to single layer device, the luminescent efficiency of bilayer device is improved about twenty-six times, the emission spectrum’s peak wavelength shifts to short wavelength, the half width at full maximum (HWFM) widens. The improvement of luminescent efficiency is due to the insertion of ZnO:Zn layer. 展开更多
关键词 PDDOPV 氧化锌 异质薄膜 LED 发光二极管
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纳米Cu_2O/TiO_2异质结薄膜电极的制备和表征 被引量:16
18
作者 唐一文 陈志钢 +2 位作者 张丽莎 贾志勇 张新 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期453-458,共6页
通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O,获得了p-Cu2O/n-TiO2异质结电极.研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响,制备出纯度较高、粒径为40-50nm的Cu2O 薄膜.纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好,禁带宽度为2.06eV.光电化学... 通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O,获得了p-Cu2O/n-TiO2异质结电极.研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响,制备出纯度较高、粒径为40-50nm的Cu2O 薄膜.纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好,禁带宽度为2.06eV.光电化学测试表明纳米 p-Cu2O/n-TiO2异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率. 展开更多
关键词 氧化亚铜薄膜 二氧化钛膜 异质结电极 光电化学
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碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究 被引量:3
19
作者 王剑屏 郝跃 +2 位作者 彭军 朱作云 张永华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期465-469,共5页
讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证... 讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义 ,同时在表面发现直径为 1~ 10 μm的六角形缺陷 .对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析 ,并对缺陷产生的机理进行了探讨 ,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源 . 展开更多
关键词 薄膜 碳化硅 异质外延 表面缺陷 腐蚀 衬底
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p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质 被引量:4
20
作者 朱慧群 李毅 +3 位作者 丁瑞钦 王忆 黄洁芳 张锐华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期636-641,共6页
采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P... 采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982×1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V.s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性。 展开更多
关键词 磁控溅射 P型ZNO薄膜 磷掺杂 异质
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