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高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制
被引量：
2
1
作者
慎小宝
李豫东
+7 位作者
玛丽娅·黑尼
赵晓凡
莫敏·赛来
许焱
雷琪琪
艾尔肯·阿不都瓦衣提
郭旗
陆书龙
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第9期1115-1122,共8页
为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析...
为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析讨论。结果表明,在1 MeV电子辐照下,非电离能损(NIEL)值在电池活性区内随着电子入射深度的增加不断增大;开路电压V oc、短路电流I sc等重要I-V特性参数随着辐照注量的增加均发生了不同程度的退化,注量达到6×10 16 e/cm 2时,电池光电转化效率为零,电池失效。光谱响应方面,注量小于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度明显比短波区域严重;注量大于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度与短波区域基本相同。辐照位移损伤引起的光生少数载流子扩散长度减小和载流子去除效应是导致电池性能退化的主要原因。
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关键词
ingaas单结太阳电池
高注量电子
位移损伤
载流子寿命
载流子去除效应
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职称材料
题名
高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制
被引量：
2
1
作者
慎小宝
李豫东
玛丽娅·黑尼
赵晓凡
莫敏·赛来
许焱
雷琪琪
艾尔肯·阿不都瓦衣提
郭旗
陆书龙
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院大学
新疆大学物理科学与技术学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第9期1115-1122,共8页
基金
国家自然科学基金(61534008,11275262)
中国科学院新疆理化技术研究所所长基金(Y55B171101)
中科院西部之光西部青年学者B类项目(2017-XBQNXZ-B-004)资助~~
文摘
为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析讨论。结果表明,在1 MeV电子辐照下,非电离能损(NIEL)值在电池活性区内随着电子入射深度的增加不断增大;开路电压V oc、短路电流I sc等重要I-V特性参数随着辐照注量的增加均发生了不同程度的退化,注量达到6×10 16 e/cm 2时,电池光电转化效率为零,电池失效。光谱响应方面,注量小于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度明显比短波区域严重;注量大于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度与短波区域基本相同。辐照位移损伤引起的光生少数载流子扩散长度减小和载流子去除效应是导致电池性能退化的主要原因。
关键词
ingaas单结太阳电池
高注量电子
位移损伤
载流子寿命
载流子去除效应
Keywords
ingaas
single junction solar cell
high fluence electron
displacement damage
carrier lifetime
carrier removal effect
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O475 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制
慎小宝
李豫东
玛丽娅·黑尼
赵晓凡
莫敏·赛来
许焱
雷琪琪
艾尔肯·阿不都瓦衣提
郭旗
陆书龙
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
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职称材料
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